G.Skill finalmente está preparado para presentar oficialmente su nueva y brillante serie de memorias Trident Z5 Royal DDR5, que vendrá en colores dorado y plateado.

G.Skill apuesta por el brillo mientras muestra los kits de memoria Premium Trident Z5 Royal DDR5 antes de Computex

Mostrado en Computex del año pasado, G.Skill finalmente ofrece un adelanto oficial de su próxima serie de memorias Trident Z5 Royal DDR5 que se presentará en todo su esplendor en Computex 2024.

En el breve adelanto, el fabricante de memorias muestra que la serie de memorias Trident Z5 Royal DDR5 ofrecerá una capa adicional de embellecimiento a la serie Trident Z5 (RGB) existente, que ya son algunos de los DIMM más atractivos para las PC modernas que admiten el estándar de memoria DDR5.

Aunque la compañía no comparte qué tipo de velocidades o especificaciones obtendremos con estos nuevos kits DDR5, sí comparte el primer aspecto oficial que adopta una combinación de colores dorado y plateado brillante junto con el elegante difusor RGB con temática de diamantes que presentamos la última vez. Vi en los kits de ram Trident Z Royal DDR4. Además, el avance que aparece justo antes de Computex significa que veremos el lanzamiento oficial en el evento en sí, lo cual tiene mucho sentido.

Actualmente, los kits de memoria Trident Z5 DDR5 de G.Skill ofrecen velocidades de hasta 8800 MT/s, que son increíblemente rápidas y solo son compatibles con un puñado de placas base. La compañía también ha establecido nuevos récords de overclocking con su memoria superando la barrera DDR5-11000 MT/s en varios récords mundiales.

Aunque no esperamos que DDR5 supere las velocidades de 10,000 MT/s de fábrica por el momento, Intel y AMD están a punto de introducir nuevas CPU junto con sus últimas placas base que definitivamente aumentarán aún más las velocidades de memoria en las PC de consumo.

Como tal, esperamos que G.Skill esté entre los principales fabricantes de memorias que permitan velocidades aún más rápidas con productos como su serie Royal. Como siempre, estaremos presentes en Computex y le brindaremos actualizaciones en vivo sobre lo último de G.Skill y otros fabricantes con respecto a las últimas capacidades DDR5.

MSI es el primer fabricante de placas base de escritorio en presentar su próxima placa base Z790 preparada para memoria DDR5 CAMM2, que allana el camino para el futuro.

MSI una vez más aporta otra capa de innovación a los mercados de placas base a través del Z790 Project Zero, integrando memoria DDR5 CAMM2

La línea Project Zero de MSI es realmente interesante de ver ya que, con ella, la empresa pretende llevar innovación a los productos asociados. La tendencia comenzó inicialmente con la placa base B650M Project Zero de MSI, donde decidieron colocar todos los conectores de alimentación en la parte posterior para mejorar la gestión de cables.

Ahora, MSI ha adelantado su próximo producto, el Z790 PROJECT ZERO PLUS, que cuenta con la nueva y exclusiva memoria DDR5 CAMM2 integrada, con el objetivo de reducir el tamaño y garantizar altas velocidades.

MSI y @kingstontech están anticipando la próxima revolución en el diseño de memoria, la DDR5 CAMM2. Presentado en un Z790 PROJECT ZERO PLUS, el módulo prototipo Kingston FURY Impact DDR5 CAMM2 demuestra el tamaño compacto, el perfil delgado y el rendimiento OC potencial.#MSIxComputex2024 pic.twitter.com/vAhVB12zrI

– Juegos MSI (@msigaming) 23 de mayo de 2024

La placa base MSI Z790 Project Zero Plus se construyó en colaboración con Kingston, donde MSI utiliza su módulo prototipo Kingston FURY Impact DDR5 CAMM2 para mostrar la efectividad de cambiar el tipo de memoria.

Los desarrollos en torno a la memoria CAMM2 para computadoras de escritorio han alcanzado recientemente un nuevo nivel, especialmente después del anuncio de JEDEC, que dijo que los módulos CAMM2 de próxima generación contarán con DDR6 y LPDDR6 integrados con velocidades súper rápidas superiores a 20,000 MT/s, y también anunció planes para adopción de PC de escritorio también.

Por ahora, el MSI Z790 PROJECT ZERO PLUS «provocado» es un concepto de la compañía, y si bien esperamos que el tipo de memoria CAMM2 se adopte masivamente en el futuro, poco a poco tomará tiempo llegar a la industria principal. Puede observar en el avance que los módulos están atornillados a la placa base, lo cual puede parecer un inconveniente en comparación con el mecanismo de cierre actual al que nos hemos acostumbrado en las placas existentes, pero parece que serán versiones futuras de memoria CAMM2 DDR5 y LPDDR5. eliminará la necesidad de tornillos como se menciona en la siguiente diapositiva de JEDEC:

Los fabricantes de memorias como Micron, Samsung y SK hynix ya han presentado sus soluciones CAMM más nuevas, que se espera que impulsen el uso de este tipo de memoria y que potencialmente podrían reemplazar los módulos «DIMM» tradicionales, dado que pueden ofrecer velocidades y calidad.

El Intel Core i9-11900K, una CPU de tres años de antigüedad que funciona con memoria DDR4, ha establecido un nuevo récord mundial, destronando al 14900KS con DDR5.

La antigua CPU Intel Core i9-11900K con memoria DDR4 establece un nuevo récord mundial y eclipsa al nuevo Core i9-14900KS con memoria DDR5

Las CPU Intel Rocket Lake han sido consideradas como un «desperdicio de arena» que genera pequeñas mejoras en el rendimiento y al mismo tiempo retrocede en el número de núcleos en comparación con la generación anterior. Sin embargo, parece que los overclockers han encontrado un nuevo propósito para estos chips y, cuando se ajustan correctamente, pueden superar incluso a los mejores chips disponibles en el mercado hoy en día.

El nuevo récord mundial de overclocking de memoria proviene del legendario overclocker, SPLAVE, también conocido como Allen Matthew, quien decidió probar la CPU Intel Core i9-11900K (Rocket Lake) en la placa base Z590 OC Formula de ASRock. Esta placa base admite memoria DDR4 y viene optimizada para overclock de memoria con su diseño DIMM dual. El punto de referencia utilizado fue PYPrime, que calcula el rendimiento de latencia y se utilizó la ejecución de 32B.

El récord anterior lo logró el renombrado overclocker SAFEDISK, que utilizó una CPU Intel Core i9-14900KS que funciona a 8,37 GHz (en 8 P-Cores) y un par de kits de memoria G.Skill Trident Z5 RGB que funcionan en DDR5-9306 (CL32). -47-42-34-2T). El récord mundial anterior se logró en 1 minuto, 37 segundos y 596 ms.

Pero SPLAVE decidió que podía hacerlo mejor utilizando hardware más antiguo. Para la sesión de OC, la CPU Intel Core i9-11900K se ajustó a 6,957 GHz y el par de memorias G.Skill Trident Z DDR4 se overclockeó a velocidades DDR4-3914 (CL12-11-11-18-1T). Con estas velocidades, el overclocker terminó la prueba en 1 minuto, 37 segundos y 311 ms. Esto fue solo 285 ms más rápido, pero cuando analizamos las cifras generales de latencia, el Core i9-11900K logró alrededor de un 10% menos de latencia, lo cual es esencial para este punto de referencia.

Hemos visto con la generación de memoria DDR5 que, si bien el ancho de banda y las velocidades generales han experimentado una enorme mejora, los tiempos de reloj y la latencia han experimentado una degradación. Si bien se espera que esto esté a la par con los futuros kits DDR5, las plataformas actuales también enfrentan el problema del uso de los modos Gear 1 y Gear 2, con el modo Gear 2 obstaculizando las capacidades al ejecutar los relojes a la mitad de la velocidad del IMC.

Esto también se ve en las CPU Ryzen de AMD, que funcionan con una relación de reloj de memoria de 1:2 para admitir velocidades de reloj más altas, por lo que, de forma predeterminada, las velocidades de Gear 1 con CPU DDR4 y Rocket Lake están un paso por delante de sus contrapartes Gear 2. Pero este es solo un punto de referencia y no significa que Rocket Lake sea una plataforma mejor que las CPU Alder Lake o Raptor Lake.

De hecho, está lejos de ser real, ya que hemos visto que los chips más nuevos han introducido recuentos de núcleos, relojes y ganancias de IPC mucho más altos, lo que lleva a una mejor experiencia general en una variedad de aplicaciones y juegos a pesar de que la latencia de la memoria es un poco inferior a DDR4.

Lexar ha presentado su memoria ARES DDR5, con especificaciones de vanguardia y velocidades de hasta 8000 MT/s.

La memoria Ares DDR5 de Lexar apunta a un rendimiento de alta gama, junto con una estética de primer nivel

Se sabe que los módulos de memoria ARES de Lexar son uno de los mejores de las empresas, simplemente por la tecnología que vienen con ellos y su elegante estética, lo que los convierte en una opción viable para los consumidores. Intensificando el juego, Lexar ha presentado su nuevo modelo de memoria ARES, que presenta una increíble velocidad de 7600 MT/s, lo que la convierte en una de las más rápidas del mercado. Con tales especificaciones, Lexar compite con empresas como G.Skill y XPG, superándolas potencialmente en algunas áreas, que discutiremos más adelante.

Profundizando más en las especificaciones, los últimos módulos de memoria ARES de Lexar cuentan con chips de memoria A-die de SK hynix, que son conocidos por su reputación tanto en términos de rendimiento como de eficiencia que incorporan.

Además, los chips de memoria Lexar ARES DDR5 son compatibles con XMP 3.0 de Intel, lo que permite un mayor control sobre sus necesidades de overclocking y garantiza la estabilidad en entornos de alto estrés. En cuanto a velocidades, los módulos ARES pueden alcanzar velocidades de 8000 MT/s en tiempos CL38-48-49-100, mientras que 7600 MT/s en CL36-46-46-96; este último viene con latencias más rápidas, por lo que es un ganar-ganar.

La línea ARES de Lexar generalmente está bien equipada en estética y su modelo más nuevo no es una excepción. El módulo tiene ocho segmentos LED y 13 modos de iluminación diferentes y se puede personalizar mediante el software Lexar Sync integrado.

En general, los sticks tienen un aspecto RGB difuso y ciertamente es agradable presenciarlo, a la par de algunos de los módulos más atractivos que existen. Para la disipación de calor, los módulos están equipados con una carcasa a base de aluminio con un espesor de 1,8 mm y tienen almohadillas de grasa de silicona de alta calidad para garantizar el mejor rendimiento bajo tensión.

El kit de memoria es compatible con una variedad de placas base de alta gama de ASUS, MSI y Gigabyte, mientras que las velocidades de 8000 MT/s actualmente solo son compatibles con las placas base ASUS ROG Maximus Z790 APEX Encore y Z790 APEX, así que téngalo en cuenta al comprar el equipo.

En cuanto a los precios, se espera que la memoria ARES de Lexar se venda a 1.299 yuanes por su conjunto de memoria de 32 GB; sin embargo, aún no se ha revelado la disponibilidad global. El precio es ciertamente competitivo aquí, ya que la memoria está disponible en el segmento de $ 200, lo que se acerca a Trident Z5 Neo, aunque es un poco más caro.

Micron se ha convertido en el primer fabricante en ofrecer memoria RDIMM DDR5 de alta gama para centros de datos de IA, que funciona a hasta 8000 MT/s.

Micron establece un nuevo récord en la industria de servidores, lanza memoria RDIMM DDR5 de 128 GB basada en matriz DRAM de 32 Gb que funciona a una velocidad vertiginosa de 8000 MT/s

[Press Release]: Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), anunció hoy que lidera la industria al validar y distribuir su memoria monolítica RDIMM DDR5 de 128 GB basada en matriz DRAM de 32 Gb en velocidades de hasta 5600 MT/s en todas las plataformas de servidores líderes. . Impulsada por la tecnología 1β (1-beta) líder en la industria de Micron, la memoria RDIMM DDR5 de 128 GB ofrece más de un 45 % de densidad de bits mejorada, hasta un 22 % de eficiencia energética mejorada y hasta un 16 % menos de latencia que el 3DS competitivo a través de silicio. (TSV) productos.

Rendimiento rápido para la IA en el centro de datos

• La DDR5 de alta capacidad de Micron ofrece un rendimiento hasta un 28 % más rápido para el entrenamiento de IA.

Latencia mejorada hasta un 16%

• Importante para cargas de trabajo vinculadas a la memoria, como la IA generativa, bases de datos en memoria y análisis de datos en tiempo real, donde se necesita alta capacidad y tiempos de respuesta rápidos son fundamentales para la inferencia en tiempo real.

DDR5 de mayor ancho de banda con capacidad de hasta 8000 MT/s

Baja potencia y eficiencia energética para cargas de trabajo de centros de datos

• >24% de mejora en la eficiencia energética (pj/bit)

Innovadora tecnología 1β

• Mejora del 45 % en la densidad de bits de oblea utilizando la tecnología 1-beta líder de Micron basada en un troquel de 32 Gb, lo que permite la mejor densidad de bits de la industria.
• El RDIMM 1β de 128 GB de Micron ayuda a equilibrar el número de núcleos de la CPU con la capacidad de memoria, el ancho de banda y la potencia para optimizar el rendimiento del sistema, permitiendo la futura infraestructura del centro de datos.

La colaboración de Micron con los líderes y clientes de la industria ha dado lugar a una amplia adopción de estos nuevos módulos de gran capacidad y alto rendimiento en CPU de servidores de gran volumen. Estos módulos de memoria de alta velocidad fueron diseñados para satisfacer las necesidades de rendimiento de una amplia gama de aplicaciones de misión crítica en centros de datos, incluida la inteligencia artificial (IA) y el aprendizaje automático (ML), la computación de alto rendimiento (HPC), la memoria en memoria. bases de datos (IMDB) y procesamiento eficiente para cargas de trabajo informáticas generales con recuentos de múltiples núcleos y subprocesos múltiples. La memoria RDIMM DDR5 de 128 GB de Micron estará respaldada por un ecosistema sólido que incluye AMD, Hewlett Packard Enterprise (HPE), Intel y Supermicro, entre muchos otros.

Con este último hito en el envío de volumen, Micron continúa liderando el mercado en el suministro de RDIMM de alta capacidad que han sido calificados en todas las principales plataformas de CPU para nuestros clientes.

Los servidores de IA ahora se configurarán con HBM3E de 24 GB y 8 de altura para memoria conectada a GPU y RDIMM de 128 GB de Micron para memoria conectada a CPU para ofrecer la capacidad, el ancho de banda y la infraestructura optimizada de energía necesarios para cargas de trabajo con uso intensivo de memoria.

– Praveen Vaidyanathan, vicepresidente y director general del grupo de productos informáticos de Micron

La memoria Micron DDR5 RDIMM de 128 GB ya está disponible directamente de Micron y estará disponible a través de distribuidores y revendedores de canales globales selectos en junio de 2024. Como parte de su cartera integral de memorias para centros de datos, Micron ofrece una amplia gama de opciones de memoria en DDR5 RDIMM, MCRDIMM, Factores de forma MRDIMM, CXL y LPDDR5x para permitir a los clientes integrar soluciones optimizadas para aplicaciones de IA y computación de alto rendimiento (HPC) que se adapten a sus necesidades de optimización de ancho de banda, capacidad y energía. Para obtener más información, visite la página web DDR5 de Micron.

Las CPU de escritorio Arrow Lake-S «Core Ultra 200» de Intel podrían incluir un nuevo controlador de memoria DDR5, como lo insinuó un reconocido overclocker.

Overclocker sugiere que las CPU de escritorio Arrow Lake-S «Core Ultra 200» de Intel se lanzarán en el tercer trimestre de 2024 con un controlador de memoria DDR5 actualizado

La información proviene del evento Dragon Shield «Wuhan» de MSI donde la compañía presentó sus últimos productos e innovaciones. Durante el evento, el reconocido overclocker interno de MSI, TOPPC, subió al escenario para hablar brevemente sobre los controladores de memoria de doble canal presentes en las familias de CPU Intel existentes y adelantó la próxima plataforma de escritorio Arrow Lake-S «Core Ultra 200». No se hizo mención de la familia de CPU ni de su controlador de memoria, pero es bastante fácil saber de qué estaba hablando Toppc.

Las CPU Intel Alder Lake (12.ª generación) y Raptor Lake (13.ª generación/14.ª generación) actuales cuentan con controladores de memoria DDR4 y DDR5 de doble canal. Uno debería esperar que ocurra lo mismo con la familia de CPU de escritorio de próxima generación de Intel, pero parece que Intel puede estar ofreciendo un IMC actualizado que será excelente para los sintonizadores de memoria.

Hasta el momento, la memoria DDR5 solo ha alcanzado velocidades de hasta 9000 MT/s en DIMM overclockables y aunque JEDEC está estableciendo el estándar para futuras velocidades de 8800 MT/s para servidores, la velocidad del cliente puede experimentar un aumento importante en el soporte de memoria. . Todavía existe la cuestión de si todas las placas base estarán calificadas para admitir velocidades tan altas, como hemos visto con las placas base de las series 600/700, que solo unas pocas variantes de gama alta y ciertas placas como la Z790 MPOWER pueden admitir memoria OC de alta velocidad. .

Dicho esto, los overclockers han llevado las velocidades de la memoria DDR5 al límite utilizando la plataforma Intel de 14.a generación. La velocidad más alta registrada hasta ahora es DDR5-11648.4, que es simplemente una locura. Se espera que las CPU de escritorio Arrow Lake-S «Core Ultra 200» de próxima generación de Intel presenten soporte nativo DDR5 de hasta 6400 MT/s, lo que representa un aumento de alrededor del 14 % con respecto a las velocidades nativas DDR5-5600 enumeradas para las CPU de 14.ª generación. Es la línea de base que sugiere que Arrow Lake de Intel debería poder manejar velocidades superiores a 10K MT/s.

Lo siguiente es lo que sabemos hasta ahora sobre las CPU de escritorio Arrow Lake-S:

• Nueva marca de CPU Core Ultra 200 (SKU desbloqueados 285K, 265K, 245K)
• Longevidad del zócalo LGA 1851 prevista hasta 2026
• Compatibilidad únicamente con DDR5, sin compatibilidad con DDR4
• Comienza con las placas base de la serie 800
• Compatibilidad con memoria hasta DDR5-6400 (JEDEC nativa)
• Mayores carriles PCIe Gen 5.0 a través de CPU y PCH
• Arrow Lake-S Primera familia de computadoras de escritorio compatibles (DIY)
• Las CPU Arrow Lake-S cuentan con caché L2 de 3 MB por núcleo P
• Las CPU Arrow Lake-S cuentan con iGPU Alchemist
• Las CPU Arrow Lake-S cuentan con SKU de CPU 8+16, 6+8
• Arrow Lake-S 8+16 (24 núcleos)
• Arrow Lake-S 6+8 (14 núcleos)
• Sin soporte Hyper-Threading (?)
• Lanzamiento en el segundo semestre de 2024

Tenga en cuenta que los chips Arrow Lake de Intel contarán con iGPU Alchemist «Arc» Xe-LPG integradas, por lo que una memoria más rápida definitivamente puede ayudar al chip gráfico a satisfacer sus necesidades de ancho de banda. También se debe esperar que las CPU Arrow Lake-S «Core Utlra 200» sean la primera familia que admita solo memoria DDR5 como la plataforma AM5 de AMD. Las nuevas placas base con zócalo LGA 1851 deberían salir en forma de la serie 800 de los fabricantes y el overclocker también insinúa el lanzamiento en el tercer trimestre de 2024, por lo que un plazo de julio o agosto debería ser correcto, ya que se espera que Intel presente los chips en junio de 2024 durante Computex.

Fuente de noticias: Foros de Chiphell

Rambus ha actualizado su línea DDR5 PMIC con tres nuevas ofertas para servidores que permiten un mejor rendimiento y capacidades.

La DRAM DDR5 para servidores mejorará en todas las formas posibles con las nuevas opciones Rambus PMIC y dispositivo de «corriente extrema» de hasta 12 V

Presione soltar: Rambus, un proveedor líder de chips y silicio IP que hace que los datos sean más rápidos y seguros, anunció hoy la disponibilidad de su nueva familia de circuitos integrados de administración de energía (PMIC) para servidores DDR5 de última generación, incluido un dispositivo de corriente extrema líder en la industria para alta -aplicaciones de rendimiento. Con esta nueva familia de PMIC para servidores, Rambus ofrece a los fabricantes de módulos un conjunto de chips de interfaz de memoria DDR5 RDIMM completo que admite una amplia gama de casos de uso de centros de datos.

• Soporte de interfaz serial de bus básico I2C e I3C
• Cumple o supera todas las especificaciones de rendimiento JESD300-5 hasta 1MHz para I2C y
  12,5 MHz para interfaz serie de bus básico I3C
• Función de verificación de errores de paridad y verificación de errores de paquetes (PEC)
• Soporte de interrupción dentro de banda (IBI)
• Entrada VIN_Bulk operativa de 4,25 V a 15 V
• Entrada VIN_Mgmt operativa de 3V a 3,6V
• Cuatro reguladores de conmutación reductores (SWA, SWB, SWC y SWD) y
  3 reguladores LDO (VBias, VOUT_1.8V, VOUT_1.0V)
• Protección contra escritura y modos de operación programables.
• Bus I2C operativo a niveles de E/S nominales de 1,0 V a 3,3 V
• Bus básico I3C operativo a niveles de E/S nominales de 1,0 V, 1,1 V y 1,2 V
• Capacidad de conmutación dinámica del controlador para operación de bus básico I3C entre push-pull
  y drenaje abierto
• Operación de -100C a +1250C
• Paquete FCQFN térmicamente mejorado de 35 pines

El PMIC es un componente crítico en la arquitectura de memoria DDR5, ya que permite más canales de memoria, módulos de mayor capacidad y mayor ancho de banda. La familia PMIC de servidores Rambus DDR5 incluye productos para las especificaciones JEDEC de corriente extrema (PMIC5020), alta corriente (PMIC5000) y baja corriente (PMIC5010).

El Rambus PMIC5020 líder en la industria permitirá que futuras generaciones de RDIMM DDR5 ofrezcan nuevos puntos de referencia en cuanto a rendimiento y capacidad. Esta nueva familia de PMIC de servidor Rambus, junto con los circuitos integrados Rambus DDR5 RCD, SPD Hub y sensor de temperatura, comprenden un conjunto de chips de interfaz de memoria completo para una amplia gama de configuraciones y casos de uso DDR5 RDIMM. Con más de 30 años de experiencia en memorias de alto rendimiento, Rambus ofrece a los fabricantes de RDIMM una ventanilla única para chips de interfaz de memoria DDR5, brindando el más alto nivel de garantía de validación y acelerando el tiempo de comercialización.

Disponibilidad y más información

Los Rambus DDR5 PMIC5020, PMIC5000 y PMIC5010 ya están disponibles. Obtenga más información sobre los chips de interfaz de memoria Rambus DDR5 en https://www.rambus.com/ddr5.

Samsung proporcionó una actualización sobre su cartera de centros de datos en sus últimos resultados, confirmando que las próximas generaciones HBM3E, DDR5 y V-NAND llegarán en el segundo trimestre.

Samsung tiene varios productos de centro de datos de próxima generación disponibles este año: 12-Hi HBM3E, 128 GB DDR5, 9.ª generación V-NAND y más

El gigante surcoreano informó que estaba presenciando un crecimiento récord en el dominio de la IA y que seguirá adelante con múltiples líneas de productos nuevas en este segmento. En primer lugar, Samsung ha comenzado la producción en masa de su memoria HBM3E «Shinebolt», que se enviará por primera vez en pilas de 8 Hi este mes y será seguida por la variante de 12 Hi en el segundo trimestre. La solución de memoria de próxima generación ofrecerá hasta 36 GB de capacidad por pila para productos de hasta 288 GB en un chip de 8 módulos como el MI300X de AMD.

Samsung Electronics comenzó la producción en masa del HBM3E de 8 capas en abril para responder a la demanda de IA generativa y planea producir en masa productos de 12 capas en el segundo trimestre.

Además, planeamos fortalecer nuestro liderazgo en el mercado de servidores mediante la producción en masa y el envío a clientes de productos de 128 GB (gigabytes) basados ​​en DDR5 de 1b nano 32 Gb (gigabit) en el segundo trimestre.

NAND planea responder de manera oportuna a la demanda de IA mediante el desarrollo de un SSD de 64 TB de capacidad ultraalta y proporcionando muestras en el segundo trimestre, y también mejorar su liderazgo tecnológico al iniciar la producción en masa de V9 por primera vez en la industria.

Samsung (traducido automáticamente)

Según se informa, AMD ha firmado un acuerdo con Samsung Foundry, que suministrará la DRAM HBM3E para su uso en productos existentes y de próxima generación, como las GPU MI350/MI370 actualizadas, que se dice que cuentan con mayores capacidades de memoria.

En el lado de la DRAM DDR5, Samsung lanzará sus módulos de memoria de 1b (nm) de 32 Gb para producción en masa en el segundo trimestre de 2024. Estos circuitos integrados de memoria se utilizarán para desarrollar módulos de hasta 128 GB. Samsung ya envió las primeras muestras de sus soluciones DDR5 de próxima generación a los clientes.

Por último, Samsung está actualizando el frente SSD V-NAND, que verá la introducción de SSD para centros de datos de 64 TB. Estos SSD se mostrarán a los clientes en el segundo trimestre de 2024 y la empresa también espera que la producción en masa de su novena generación V-NAND comience en el tercer trimestre. Los SSD V-NAND de novena generación se basarán en un diseño QLC (Quad Level Cell). Los informes sugieren que TLC V-NAND (9.ª generación) comenzará a producirse este mes y contará con velocidades de transferencia un 33% más rápidas de 3200 MT/s. Estos SSD aprovecharán el último estándar PCIe Gen5.

Ampere Computing aprovechará el nodo de proceso de 3 nm de TSMC para su CPU AmpereOne-3, que ofrecerá hasta 256 núcleos, durante el próximo año.

La CPU AmpereOne-3 aprovecha la tecnología TSMC de 3 nm y chiplet para hasta 256 núcleos para centros de datos

Ampere Computing ha estado bien involucrada en los mercados, especialmente en el segmento de la nube, desde que la empresa ganó tracción en los mercados con su línea de procesadores centrados en la nube, que son conocidos por ser algunos de los más «cargados» que existen en términos de el recuento de núcleos a bordo. Los lanzamientos de la compañía incluyen procesadores como AmpereOne, que viene con 192 núcleos físicos, junto con un TDP de 350 W y ocho canales de memoria DDR5, compitiendo con procesadores como Xeon Scalable de Intel y EPYC de AMD. Sin embargo, la empresa ahora ha revelado planes para el futuro, revelando en su lugar nuevos SKU con especificaciones «sorprendentes».

The Next Platform informa que Ampere se está preparando para lanzar su segunda generación de procesadores AmpereOne. En declaraciones al medio de comunicación, el director de producto de la empresa, Jeff Wittich, reveló que se espera que el nuevo AmpereOne-2 llegue a finales de este año, con una arquitectura central «A2» mejorada, junto con 12 canales de memoria para garantizar la mejor calidad. actuación.

Combinando estas actualizaciones, Ampere cree que el AmpereOne-2 podrá incorporar un aumento del 33 % en los controladores de memoria DDR5 integrados, junto con un ancho de banda de memoria un 50 % mayor, lo que en consecuencia generará un aumento acumulativo en el rendimiento.

Además del AmpereOne-2, la compañía también planea lanzar la tercera generación de la línea para 2025 y, según lo que se ha revelado, las especificaciones son algo que no hemos visto mucho en los mercados. El AmpereOne-3, o la tercera generación, debutará con la friolera de 256 núcleos y contará con el proceso de 3 nanómetros de TSMC en una configuración de chiplet. Según se informa, la arquitectura incluirá PCIe-Express 6.0 y una docena de controladores de memoria DDR5. Con esto, Ampere planea competir con algunos de los principales contendientes de la industria, incluida NVIDIA.

Nos hemos estado moviendo bastante rápido en el lado de la computación. Este diseño incluye muchas otras características de la nube: aspectos relacionados con la gestión del rendimiento para aprovechar al máximo todos esos núcleos. En cada uno de los lanzamientos de chips, realizaremos lo que generalmente se considerarían cambios generacionales en el núcleo de la CPU.

También estamos adoptando un enfoque de chiplet con este diseño de 256 núcleos, que también es un paso más. Los chiplets son una parte bastante importante de nuestra estrategia general.

– Jeff Wittich a través de The Next Platform

No podemos comentar si Ampere Computing podría lograr atraer la misma atención que NVIDIA en los segmentos de IA. Aun así, según lo que la empresa ha planeado, sin duda desempeñarán un papel relativamente dominante en el futuro.

Fuente de noticias: La próxima plataforma