Micron ha presentado su nueva DRAM DDR5 de 16 Gb para aplicaciones de memoria de servidor y PC, que ofrece velocidades de hasta 7200 MT/s gracias al nodo 1β.

Memoria Micron DDR5 actualizada con los últimos módulos DRAM de 16 Gb basados ​​en el nodo de proceso 1β

Presione soltar: Micron Technology, anunció hoy que ha ampliado su tecnología de nodo de proceso 1β (1-beta) líder en la industria con la introducción de memoria DDR5 de 16 Gb. Con una funcionalidad demostrada en el sistema a velocidades de hasta 7200 MT/s, la DRAM 1β DDR5 de Micron ahora se envía a todos los clientes de centros de datos y PC. La memoria DDR5 basada en 1β de Micron con tecnología avanzada de dispositivo CMOS de alta k, reloj de 4 fases y sincronización de reloj proporciona hasta un 50% de mejora en el rendimiento y un 33% de mejora en el rendimiento por vatio con respecto a la generación anterior.

A medida que el número de núcleos de CPU aumenta para satisfacer las demandas de las cargas de trabajo de los centros de datos, la necesidad de mayor ancho de banda y capacidades de memoria crece significativamente para superar el desafío del «muro de memoria» y al mismo tiempo optimizar el costo total de propiedad para los clientes.

La fabricación en gran volumen y la disponibilidad de DRAM 1β DDR5 para plataformas de clientes y centros de datos marcan un hito importante en la industria. Nuestra colaboración con nuestros socios y clientes del ecosistema impulsará una adopción más rápida de estas ofertas de memoria de mayor rendimiento.

-Brian Callaway, vicepresidente corporativo del grupo de ingeniería de diseño informático central de Micron

La DRAM 1β DDR5 permite que las capacidades computacionales se escalen con un mayor rendimiento, permitiendo aplicaciones como entrenamiento e inferencia de inteligencia artificial (IA), IA generativa, análisis de datos y bases de datos en memoria (IMDB) en centros de datos y plataformas de clientes. La nueva línea de productos 1β DDR5 DRAM ofrece densidades de módulos actuales en velocidades que van desde 4800 MT/s hasta 7200 MT/s para uso en centros de datos y aplicaciones de clientes.

La tecnología 1β de Micron permite a Micron ofrecer una amplia cartera de soluciones basadas en memoria, incluidas DDR5 RDIMM y MCRDIMM que utilizan una matriz DRAM de 16 Gb, 24 Gb y 32 Gb, LPDDR5X que utiliza una matriz DRAM de 16 Gb y 24 Gb, HBM3E y GDDR7. Las nuevas ofertas de memoria Micron DDR5 de 16 Gb estarán disponibles a través de ventas directas y socios de canal.

Fuente de noticias: TechPowerUP

ASRock ha presentado sus nuevas opciones Mini-ITX AMD AM5 que incluyen las placas base B650I y A620I Lightning WIFI.

ASRock lanza dos placas base Mini ITX AMD AM5, la B650I y la A620I Lightning

Comenzando con la placa base ASRock A620I Lightning WIFI, este producto pertenece a la línea Phantom Gaming y es la segunda placa base A620 que presenta un diseño Mini-ITX. La otra opción es de Gigabyte, el A620M DS3H. Luego tenemos el ASRock B650I Lightning WIFI, que también entra en la categoría Mini-ITX y es una versión atenuada del B650E PG-ITX de gama alta. Revisamos esta placa base aquí.

La estética general de la línea ASRock «Phantom Gaming» nunca nos ha decepcionado, y lo mismo ocurre con las nuevas placas base Lightning. Presentan un esquema de color negro único con la marca de la línea en el disipador de calor. Sin embargo, no tendrá ninguna opción RGB integrada, pero aún se ve impresionante en comparación con opciones similares disponibles en el mercado en este momento.

Características de la placa base ASRock A620I PG Lightning WIFI:

• Compatible con procesadores AMD Socket AM5 Ryzen serie 7000
• 8+2+1 Fase de potencia, Dr.MOS
• Soporta DDR5 7200+ (OC)
• 1 PCIe 4.0 x16
• Opciones de salida de gráficos: HDMI
• Códec de audio Realtek ALC897 7.1 canales HD, Nahimic Audio
• 2 SATA3, 1 Hyper M.2 (PCIe Gen4x4), 1 Ultra M.2 (PCIe Gen3 x4)
• 1 USB 3.2 Gen2 Tipo-C (trasero),
• 2 USB 3.2 Gen2 Tipo A (trasero),
• 1 USB 3.2 Gen1 Tipo-C (Frontal),
• 3 USB 3.2 Gen1 Tipo A (1 trasero, 2 frontales),
• 4 USB 2.0 (2 traseros, 2 delanteros)
• LAN fantasma para juegos 2.5G
• 802.11axWiFi 6E + Bluetooth
• Admite el instalador automático del controlador ASRock y BIOS Flashback

Pasando a las especificaciones, las placas base ASRock B650I y A620I Lightning emplean un diseño compacto que admite las CPU de la serie AMD Ryzen 7000. Las placas base Mini-ITX vienen con un diseño de fase de energía 8+2+1, utilizando la solución de etapa de energía Dr.MOS de 60A. También viene con un disipador de calor VRM dedicado, que garantiza estabilidad térmica y rendimiento en cargas de trabajo elevadas, lo que lo convierte en una opción confiable a largo plazo. La alimentación de la CPU se suministra a través de un único conector de 8 pines.

Ambas placas base ASRock Lightning también son compatibles con memoria DDR5-7200 en capacidades de hasta 96 GB. Para almacenamiento, obtienes una ranura Hyper M.2 (Gen4x4) para la A620I y una ranura Blazing M.2 (Gen5x4) para la placa base B620I. Las placas base también vienen con 1 ranura Ultra/Hyper M.2 según el chipset y dos conectores SATA3 de 6,0 Gb/s, lo que garantiza una gran capacidad de ampliación sin preocuparse por el factor de forma de la placa base.

Características de la placa base ASRock B650I PG Lightning WIFI:

• Compatible con procesadores AMD Socket AM5 Ryzen serie 7000
• 8+2+1 Fase de potencia, Dr.MOS
• Soporta DDR5 7200+ (OC)
• 1 PCIe 4.0 x16
• Opciones de salida de gráficos: HDMI
• Códec de audio Realtek ALC897 7.1 canales HD, Nahimic Audio
• 2 SATA3, 1 Blazing M.2 (PCIe Gen5x4), 1 Hyper M.2 (PCIe Gen4x4)
• 1 USB 3.2 Gen2 Tipo-C (trasero),
• 3 USB 3.2 Gen2 Tipo A (trasero),
• 1 USB 3.2 Gen1 Tipo-C (Frontal),
• 2 USB 3.2 Gen1 Tipo A (Frontal),
• 6 USB 2.0 (4 traseros, 2 delanteros)
• LAN fantasma para juegos 2.5G
• 802.11axWiFi 6E + Bluetooth
• Admite el instalador automático del controlador ASRock y BIOS Flashback

Los puertos integrados incluyen amplias opciones que van desde compatibilidad con USB 3.2 Gen2 Type-C hasta el tradicional USB 2.0. Además, también es compatible con WiFi 6E, lo que convierte a la placa base en una de las más versátiles. También obtienes un puerto LAN de 2,5 GbE. En general, las placas base ASRock A620I y B650I ofrecen un gran conjunto de funciones en un diseño muy compacto. Estamos tratando de obtener una actualización sobre los precios de estas placas base, pero podemos esperar que estén en el rango de $ 150 a $ 200 estadounidenses.

ASRock ha lanzado el último microcódigo BIOS AGESA 1.0.0.7 para su placa base insignia X670E Taichi con soporte mejorado para una memoria DDR5 más rápida.

El último BIOS de la placa base X670E Taichi «AGESA 1.0.0.7» de ASRock ofrece soporte de memoria DDR5 EXPO y XMP mejorado

El fabricante de la placa base anunció un nuevo microcódigo BIOS basado en el firmware AGESA 1.0.0.7 «1.28.AS01[Beta]» para su placa base insignia X670E Taichi. Este nuevo BIOS es una versión beta pero está ajustado para ofrecer la mejor compatibilidad de memoria y soporte para DIMM DDR5 de alta frecuencia en las placas Taichi.

En varias capturas de pantalla, ASRock demuestra la ejecución de un kit «EXPO» DDR5-7200 de doble canal en su placa base X670E Taichi con el BIOS más reciente y puede ver que la placa funciona bien con la memoria sin ningún problema. La CPU utilizada es AMD Ryzen 9 7950X3D y los DIMM de memoria específicos son de G.Skill «F5-7200J3445G16G». Estos son módulos Trident Z5 NEO con especificaciones de CL34-45-45-115 a 1.40V.

Puede ver en la prueba RunMemtestPro que el ASRock X670E Taichi estaba ejecutando los módulos de memoria DDR5-7200 con una cobertura promedio del 129,15 % y un tiempo de actividad de alrededor de 1 hora. Esta es una buena señal de estabilidad y el fabricante ha tomado medidas adicionales para garantizar que no solo se mejore la memoria, sino también la estabilidad general de la placa con el último BETA BIOS.

También se nos dice que el BIOS mantiene un voltaje SOC de 1,3 V, pero puede ejecutar el mismo DDR5-7200 con un voltaje SOC de tan solo 1,2 V, que está muy dentro de los límites de seguridad recomendados por AMD. Esto asegurará que las CPU no reciban un exceso de voltaje cuando se ejecutan kits de mayor frecuencia y se encuentren con problemas importantes en el futuro como los que vimos hace unos meses. Puede ver los voltajes inferiores a 1,3 V en la siguiente captura de pantalla de HWiNFO proporcionada por el propio ASRock:

Este es un excelente producto de ASRock, ya que se espera que los usuarios que ejecutan la placa base X670E Taichi obtengan los kits de memoria DDR5 más rápidos para sus PC. Es una placa base de primer nivel (nuestra revisión) que es aún mejor con su última actualización de BIOS. Puede obtener el BIOS más reciente de la página de soporte oficial aquí.

V-Color ha establecido un nuevo récord mundial con sus últimas velocidades DDR5-7200 logradas en un kit de memoria de 96 GB en la placa base MSI B760M Mortar MAX.

V-Color es el primero en superar la barrera DDR5-7000 con 96 GB de memoria, disponible a principios de julio de 2023

El logro de V-Color muestra que los kits de memoria de 96 GB tienen mucho margen de mejora dentro de ellos. G.Skill logró las velocidades más rápidas anteriores en sus nuevos kits Trident Z5 (48 GB x 2) y que pudieron alcanzar DDR5-6800 (CL34-46-46). Ahora, V-Color tiene una actualización, superando esas velocidades con su serie Manta X Prism que ha alcanzado velocidades DDR5-7200 (CL36).

Presione soltar: v-color Technology Inc., un proveedor líder de memorias para computadoras de alto rendimiento, se enorgullece en anunciar que ha alcanzado un logro sin precedentes en el rendimiento de la memoria en colaboración con MSI.

El gran avance se logró con un kit de módulo de memoria de 94 GB (2×48 GB), logrando un asombroso DDR5-7200, CL36 que representa el pináculo del rendimiento hasta la fecha.

Este logro trascendental fue posible gracias a la placa base MSI MAG B760M Mortar Max WiFi, lo que destaca la fructífera asociación entre los dos líderes tecnológicos. El equipo dedicado y altamente capacitado de v-color trabajó en estrecha colaboración con el equipo de placas base de MSI, ampliando los límites del rendimiento para lograr esta notable hazaña.

En comparación con otros productos de memoria en el mercado, que previamente han exhibido kits de memoria de alta frecuencia a capacidades más bajas, el DDR5-7200 96GB (2x48GB) CL36 de v-color establece un nuevo punto de referencia tanto para el rendimiento como para la capacidad. Este logro establece firmemente a v-color a la vanguardia del rendimiento de la memoria.

En el mercado de memorias altamente competitivo de hoy, v-color continúa esforzándose por la innovación y la excelencia. Nuestro enfoque en la investigación y el desarrollo, combinado con nuestra sólida asociación con MSI, nos permite superar constantemente los límites de lo que es posible en el rendimiento de la memoria.

Este logro no solo es un testimonio de las capacidades de nuestros productos de memoria, sino que también destaca el poder de la colaboración entre dos líderes de la industria. Creemos que nuestra visión compartida y nuestra búsqueda inquebrantable de la excelencia conducirán a nuevos avances innovadores en el futuro.

Para obtener más información sobre el kit de memoria Manta DDR5 de 96 GB (2×48 GB), disponible en configuraciones de 6400 MHz, 6800 MHz y 7200 MHz, puede visitar el sitio web de V-Color aquí.

Samsung dijo el miércoles (se abre en una pestaña nueva) había desarrollado sus nuevos chips de memoria DDR5 de 16 Gb con velocidades de transferencia de datos de hasta 7200 MT/s. Los nuevos circuitos integrados se producirán en masa el próximo año utilizando la última tecnología de proceso DRAM de 12 nm de la empresa. Actualmente, la empresa está validando sus últimos dispositivos de memoria con AMD.

Además de ser rápidos, se dice que los chips de memoria DDR5 de 16 Gb de Samsung fabricados con su nodo de 12 nm consumen hasta un 23 % menos de energía que sus predecesores (aunque se desconoce a qué velocidad bin) y permiten una productividad de obleas un 20 % mayor, lo que esencialmente significa que son aproximadamente un 20 % más pequeños en comparación con sus predecesores y, por lo tanto, pueden ser más baratos de producir.

El aumento de la densidad de bits y las tasas de transferencia de datos predeterminadas más altas implican que la tecnología de proceso DRAM de 12 nm de Samsung permitirá a la empresa fabricar circuitos integrados de memoria de mayor densidad, así como dispositivos con una velocidad superior a 7200 MT/s en el futuro.

Los chips de memoria clasificados para transferencias de datos de hasta 7200 MT/s a voltaje nominal prometen aumentar significativamente el rendimiento de las PC de próxima generación que podrán aprovecharlos. Además, estos circuitos integrados prometen ampliar aún más los límites del overclocking DDR5 para los entusiastas, por lo que deberíamos esperar módulos DDR5 aún más rápidos en 2023 y más allá. Mientras tanto, vale la pena señalar que en este momento la compañía está validando sus últimos chips DDR5-7200 con AMD, lo que puede implicar (aunque esto es una especulación) que el diseñador de la CPU planea admitir este contenedor de velocidad más temprano que tarde.

Gigabyte ha publicado una lista de módulos de memoria DDR5 no anunciados que cuentan con velocidades de transferencia de datos extremadamente altas, que incluyen 7000 MT/s, 7200 MT/s y 7400 MT/s. Los módulos deberían estar disponibles en varias marcas, incluida la propia división Aorus de Gigabyte, Adata y Kingston. Desafortunadamente, las tarjetas de memoria requerirán altos voltajes y se deslizarán en sistemas alimentados por placas base de alta gama.

Resulta que la plataforma Z790 Aorus Master de gama alta de Gigabyte admite (se abre en una pestaña nueva) (según lo observado por @momomo_us (se abre en una pestaña nueva)) Módulos DDR5-6800 CL34, DDR5-7000 CL32, DDR5-7200 CL34 y DDR5-7400 CL34 de Adata, Corsair, Gigabyte Aorus y Kingston. Estos módulos de 16 GB se basan en dispositivos de memoria SK hynix A y SK Hynix M y requieren voltajes de 1,4 V, 1,45 V o 1,5 V. Además, estos módulos cuentan con perfiles XMP 3.0 para overclocking con un solo clic y están diseñados para funcionar en pares, por lo que Gigabyte no garantiza que cuatro de estos módulos funcionen sin problemas.

TeamGroup ha presentado los primeros módulos de memoria DDR5 de la industria que cuentan con una velocidad de transferencia de datos de 7200 MT/s. Los módulos T-Force Delta RGB se encuentran entre los mejores módulos de memoria, y los nuevos módulos de memoria DDR5-7200 están diseñados principalmente para los procesadores Intel Core ‘Raptor Lake’ de 13.ª generación y actualmente son las tarjetas de memoria más rápidas del mundo.

La nueva familia T-Force Delta RGB de TeamGroup agrega tres contenedores de velocidad: DDR5-6800, DDR5-7000 y DDR5-7200 CL34 a 1,4 voltios. Al igual que otros módulos destinados a sistemas basados ​​en Intel de alta gama, las nuevas tarjetas de memoria T-Force Delta RGB cuentan con perfiles XMP 3.0 para ajustes de configuración con un solo clic; desafortunadamente, no se menciona el soporte EXPO para el nuevo AMD Ryzen 7950X. Además, los módulos vienen equipados con disipadores de calor de aluminio e iluminación RGB direccionable.

Los módulos DDR5-7200 utilizan chips de memoria cuidadosamente seleccionados (agrupados) que pueden funcionar a altas frecuencias. Desafortunadamente, parece que no hay tantos circuitos integrados DDR5 que puedan habilitar módulos DDR5-7200, razón por la cual TeamGroup solo ofrece kits de memoria de doble canal de 32 GB con contenedores de velocidad de 6800 MT/s, 7000 MT/s y 7200 MT/s. .

Estos kits están diseñados específicamente para los procesadores Intel Core ‘Raptor Lake’ de 13.ª generación y las placas base basadas en Intel Z790, por lo que no hay garantía de que funcionen a las velocidades diseñadas con las CPU Core ‘Alder Lake’ de 12.ª generación o las CPU AMD Zen 4. TeamGroup también recomienda usar placas base de gama alta que puedan proporcionar energía muy limpia a los módulos de memoria para garantizar que funcionen sin problemas.

TeamGroup parece haber introducido silenciosamente el kit de memoria DDR5 más rápido que uno podría comprar en este momento con velocidades de hasta 7200 Mbps.

TeamGroup presenta silenciosamente su kit de memoria DDR5-7200 más rápido en Newegg por $350 USD

El kit TeamGroup T-Force Delta RGB que tiene el código de producto «FF3D532G7200HC34ADC01» aún no ha sido anunciado oficialmente por el fabricante, pero actualmente es el kit de memoria DDR5 más rápido que se puede comprar en Newegg. Calificado con velocidades de hasta DDR5-7200, este es definitivamente un kit increíble y además ofrece una sincronización de reloj bastante decente de CL34. No se menciona el voltaje de la memoria del kit ni las velocidades de reloj detalladas, pero podemos ver que el kit tiene una capacidad total de 32 GB (16 GB x 2).

En cuanto al precio, el kit tiene un precio de $350 USD en Newegg y, aunque actualmente está agotado, debería reabastecerse relativamente pronto. Es un precio muy impresionante teniendo en cuenta que hace solo unos meses, obtuvimos kits DDR5-5600 y DDR5-6000 dentro del mismo rango. Ahora estamos cruzando las velocidades de transferencia de 7 Gbps. Esto demuestra que los kits de memoria DDR5 no solo están bajando de precio, sino que los módulos y kits con mejores especificaciones también se están volviendo más accesibles.

La serie T-Force DELTA RGB DDR5 de TeamGroup también viene con un difusor de calor agradable y resistente y la parte superior está impregnada con un elegante difusor RGB que se ve muy bien. Estos kits de memoria de alto rendimiento y también de alta velocidad son el socio perfecto para las CPU Intel Raptor Lake de 13.ª generación y las CPU AMD Ryzen 7000, que están diseñadas para aprovechar al máximo un rendimiento más rápido y también ofrecen excelentes resultados de overclocking. Podemos esperar que los fabricantes de memoria impulsen aún más las velocidades de DDR5 en los próximos meses a medida que el proceso madure y SK Hynix entregue al mercado DRAM con contenedores más altos.

Fuente de noticias: Videocardz

Como VideoCardz (se abre en una pestaña nueva) Visto recientemente, TeamGroup está preparando un nuevo kit de memoria DDR5 de gama alta para competir con la mejor memoria RAM del mercado. La memoria para juegos T-Force Delta RGB de la compañía ha alcanzado un increíble DDR5-7200 con tiempos razonablemente ajustados.

Muchos proveedores ya ofrecen kits de memoria DDR5-6600, pero ninguno ha superado la marca DDR5-7000. Por lo tanto, el T-Force Delta RGB DDR5-7200 es el kit de memoria minorista más rápido por ahora. Newegg ha incluido el kit de memoria por $ 349.99 (se abre en una pestaña nueva), pero aún no está disponible para su compra. Sin embargo, no es un mal precio ya que algunas marcas cobran hasta la misma cantidad por sus kits de memoria DDR5-6600.

Para respaldar el lanzamiento de las plataformas de servidor de próxima generación de AMD e Intel, Samsung planea presentar una línea de módulos de memoria de servidor DDR5 completamente nuevos coronados por los primeros RDIMM/LRDIMM de 512 GB de la industria y basados ​​en dispositivos DDR5 de 16 Gb y 24 Gb. El próximo paso en la innovación DDR5 de Samsung, un IC de 32 Gb, llegará a principios de 2023 y permitirá a la empresa construir un módulo de memoria de 1 TB a fines de 2023 o principios de 2024. Mientras tanto, en dos años, Samsung tiene la intención de lanzar IC con una capacidad de 7200 MT/ velocidad de transferencia de datos.

RDIMM DDR5 de 1 TB en 2024, módulos de 2 TB en Horizon

La especificación DDR5 de JEDEC presenta enormes beneficios para las plataformas de servidores. Además de la escalabilidad mejorada del rendimiento, introducen nuevas formas de aumentar las capacidades por chip y por módulo junto con una mayor confiabilidad y técnicas de mejora del rendimiento. Además, la especificación permite construir dispositivos de memoria monolítica DDR5 de hasta 64 Gb y apilar hasta 16 circuitos integrados DDR5 en un chip (hasta 16 circuitos integrados cuya capacidad es inferior a 64 Gb). Por lo tanto, la aparición de los circuitos integrados DDR5 de 32 Gb no debería ser una sorpresa.

DDR5 de 32 Gb [IC] ahora está en desarrollo en un nuevo [under-14nm] nodo de proceso y está programado para ser presentado a principios del próximo año «, dijo Aaron Choi, ingeniero de personal en el departamento de planificación de DRAM de Samsung, en el seminario web de AMD y Samsung (vea la presentación de Samsung en una galería a continuación). «Los UDIMM basados ​​en 32 Gb estarán disponibles en el finales del próximo año o principios de 2024».