Según se informa, la tecnología integral se aplicará a los chips de 2 nm de Samsung, ya que la división de fundición coreana pretende comenzar la producción en masa de este nodo en algún momento de 2025. Fuentes de la industria han declarado que la compañía presentará un documento sobre el GAA de tercera generación. características aplicadas en el proceso de 2 nm (SF2) en el ‘VLSI Symposium 2024’, que es una conferencia global de semiconductores que se celebrará en Hawaii del 16 al 20 de junio.

Samsung aún no ha encontrado oro con su nodo GAA de 3 nm, en gran parte gracias a los bajos rendimientos que hacen inviable la asociación con otras empresas.

El gigante coreano anunció su proceso GAA de 3 nm en 2022, y según el último informe, el fabricante de semiconductores pretende introducir tres iteraciones de esta tecnología, similar a lo que ha hecho TSMC con su propio nodo de 3 nm, empezando por el ‘N3B’ que era exclusivo utilizado por Apple. Samsung comercializó tecnología de puerta integral, que aporta varias ventajas. Por ejemplo, regula, amplifica y controla el flujo de corriente dentro de un semiconductor.

A medida que estos chips se hacen más pequeños, controlar el flujo de corriente se vuelve difícil, pero GAA resuelve este problema rediseñando la arquitectura del transistor para mejorar la eficiencia energética. A pesar de estos beneficios, Samsung no ha logrado en gran medida conseguir varios clientes a quienes suministrarles sus obleas, ya que continúa teniendo problemas de rendimiento. Si a esto le sumamos los altos costes de producción, los clientes potenciales de la empresa no ven la asociación como financieramente alentadora.

Anteriormente, informamos que el rendimiento GAA de 3 nm de Samsung era de un horrible 20 por ciento, pero el gigante de la fundición logró cambiar las cosas, elevando esa cifra a tres veces el valor original. Sin embargo, todavía está por detrás de TSMC en rendimientos generales, por lo que, como era de esperar, incluso Qualcomm y MediaTek han mostrado confianza en la tecnología de la empresa taiwanesa de semiconductores. Samsung ha desarrollado una tecnología patentada en su proceso GAA llamada ‘MBCFET’ y con cada iteración de 3 nm, hay informes de mejoras de rendimiento y eficiencia.

Aparentemente, Samsung tiene planes de introducir una tercera versión de su tecnología GAA de 3 nm, que se dice que ofrece una reducción de más del 50 por ciento en la pérdida de energía y una mayor integración debido a la reducción del área. Quizás con investigaciones futuras, Samsung pueda mejorar sus rendimientos y llevarlos a un número lo suficientemente alto como para que los clientes comiencen a mostrar interés en las versiones GAA de 3 nm y GAA de 2 nm.

Fuente de noticias: Business Korea

Según se informa, Samsung y TSMC comenzarán la producción en masa de su tecnología de 2 nm en algún momento de 2025. Esto significa que la fundición del gigante coreano igualará el ritmo de su competidor taiwanés, pero para obtener esa ventaja adicional, un informe afirma que Samsung está contemplando ofrecer a los clientes potenciales un descuento en quitarle cuota de mercado a su rival. Si bien las ambiciones de la compañía deben ser elogiadas, el informe también destaca que los bajos rendimientos siguen siendo el talón de Aquiles de Samsung, particularmente con el proceso GAA de 3 nm.

Los bajos rendimientos son lo que probablemente provocó que Samsung perdiera pedidos de Qualcomm, pero un descuento por la tecnología de 2 nm podría hacerle cambiar de opinión.

Samsung ha tomado la delantera frente a TSMC en la adopción de la arquitectura gate-all-around (GAA) en su proceso de 3 nm, y TrendForce informa que el gigante coreano pretende superar a TSMC en la carrera de 2 nm después de uno o dos años de ajustes. Aunque el precio de cada oblea de 2 nm no se menciona en el informe, Samsung está considerando ofrecer descuentos para quitarle el control inigualable a TSMC, pero otros problemas se interponen en el camino de la fundición para llegar a la cima.

Por ejemplo, para 2024, se dice que Qualcomm ha realizado pedidos de chips de 3 nm exclusivamente a TSMC para su Snapdragon 8 Gen 4, un conjunto de chips que, según dijo, es el primero de la compañía en presentar núcleos Oryon diseñados a medida. Este es un duro golpe para Samsung, ya que la compañía, una vez más, ha perdido la oportunidad de conseguir un cliente lucrativo. Un informe anterior indicó que el proceso GAA de 3 nm de la compañía continúa enfrentando problemas de rendimiento y que para comenzar a hacer que clientes como Qualcomm se interesen en esta tecnología, Samsung tendría que aumentar esos rendimientos al 70 por ciento.

Por lo que parece, Samsung aún no ha llegado a ese punto, por lo que centrarse en el proceso de 2 nm podría no ser la prioridad correcta. Incluso si estas obleas se ofrecen con descuento, de poco servirá si los rendimientos de Samsung no mejoran. También se rumorea que Qualcomm retrasó su estrategia de abastecimiento dual hasta 2025, donde se espera que realice pedidos tanto a Samsung como a TSMC para obtener una ventaja de precios. San Diego no tendrá más remedio que adoptar este enfoque, ya que los costos de fabricación de las obleas de última generación están aumentando lentamente.

Por supuesto, Samsung no ha decidido completamente su estrategia de oblea de 2 nm, por lo que si puede mejorar los rendimientos de 3 nm GAA y su nodo de próxima generación, también podrá igualar el precio de TSMC. Es poco probable que Apple se cambie a Samsung, pero como otras empresas no pueden asumir el compromiso financiero que Apple puede, pueden cambiar su rumbo y buscar formas de ahorrar en costos de fabricación, algo que Samsung podría considerar en el futuro.

Fuente de noticias: TrendForce

Samsung parece estar progresando con su nodo de 4 nm en lo que respecta al rendimiento, y la última actualización de octubre afirma que la producción de la fundición coreana ha alcanzado el 70 por ciento. Aunque la compañía está ligeramente por detrás de TSMC en este sentido, su objetivo es igualar esa cifra ya que desea conseguir más clientes y arrebatar parte del mercado a su rival de semiconductores taiwanés.

Samsung tiene la oportunidad de asociarse con AMD para futuros procesadores, estableciendo bases sólidas para futuros pedidos en el nodo GAA de 3 nm

Además de producir en masa su Exynos 2400 en el proceso de 4 nm, Samsung también pretende recibir pedidos de nuevos clientes, como AMD. Según Chosun, se dice que los chips Zen 5c de AMD se producen en masa en el nodo de 4 nm y, suponiendo que Samsung pueda cumplir lo prometido, existe la posibilidad de formar una nueva asociación con la tecnología de vanguardia GAA de 3 nm del gigante coreano. Kim Yang-paeng, investigador experto del Instituto Coreano de Economía Industrial y Comercio, dijo que Samsung tiene una oportunidad de oro para aumentar su participación de mercado aquí.

“Si Samsung consigue esta vez un pedido de chips de 4 nano de AMD, se abrirá la puerta a transacciones en el campo de los ‘chips grandes’ para servidores, donde Samsung era débil. En el futuro utilizaremos procesos de vanguardia como el 3-nano. Esta será una oportunidad para aumentar la influencia de Samsung Foundry”.

Un informe anterior decía que los rendimientos actuales de GAA de 3 nm de Samsung son del 50 por ciento, y para que la compañía comience a recibir pedidos sobre este proceso de fabricación, esa cifra debe aumentarse al 70 por ciento. Personas cercanas a la industria creen que el proceso GAA de 3 nm de Samsung está cerca de alcanzar esa marca del 70 por ciento y que empresas como Qualcomm pueden recibir un saludable impulso de confianza al probar muestras. Según un rumor, el próximo Snapdragon 8 Gen 4 de la firma de San Diego se producirá en masa en el proceso N3E de TSMC, pero una decisión futura puede cambiar.

Por ahora, TSMC solo tiene un cliente de 3 nm, que es Apple, y este último supuestamente invirtió mil millones de dólares solo para grabar los nuevos M3, M3 Pro y M3 Max que se encuentran en los distintos modelos de Mac de la compañía. Al observar estos costos, varios clientes dudan en cambiar al proceso de 3 nm solo debido al aumento de gastos, por lo que Samsung tiene la oportunidad de revelar las capacidades de su nodo GAA de 3 nm e impresionar a los clientes hasta el punto de que puede retirar algunos pedidos. TSMC.

Fuente de noticias: Chosun

Samsung y TSMC aún no han visto mejoras de rendimiento en sus respectivas tecnologías de 3 nm. Aunque la fundición taiwanesa ya ha asegurado a Apple como cliente a largo plazo, y se dice que los futuros SoC se producirán en masa en el proceso N3E actualizado, el nodo GAA de 3 nm de Samsung aún no ha cobrado impulso, con un informe que indica que Qualcomm no realizará pedidos. si esos rendimientos no suben al 70 por ciento.

Los rendimientos actuales de GAA de 3 nm son del 50 por ciento; La propia división LSI de Samsung puede negarse a realizar pedidos si no ve avances

Hubo informes de que Samsung entregó el primer lote GAA de 3 nm a clientes chinos para su empresa Bitcoin, pero el medio coreano Chosun informa que los chips estaban incompletos en su forma más auténtica, careciendo de la SRAM que va en el chip lógico. Se dice que es difícil producir una oblea GAA completa de 3 nm, de ahí que se dice que el fabricante coreano está experimentando rendimientos de sólo el 50 por ciento, al igual que TSMC. Se dice que GAA de 3 nm es superior a FinFET, pero también tiene su parte de problemas de producción.

Con su rendimiento actual del 50 por ciento, un funcionario familiarizado con los planes de Samsung ha dicho que a este ritmo, será difícil conseguir clientes como Qualcomm a menos que se logre un rendimiento del 70 por ciento. Incluso la propia división LSI de Samsung, que diseña conjuntos de chips y módems para una variedad de aplicaciones, puede no aceptar pedidos si los rendimientos siguen siendo bajos. Para aquellos que no lo saben, empresas como Qualcomm tienen que pagar el precio completo por el lote de obleas, incluidas las defectuosas.

Con un rendimiento del 50 por ciento, sólo cinco de cada 10 obleas se consideran utilizables, y como Qualcomm se ve obligada a pagar por las 10, la compañía de San Diego no tendrá más remedio que aumentar los precios de sus productos Snapdragon, iniciando un círculo vicioso que afectará financieramente a sus socios y consumidores de teléfonos inteligentes. Si Qualcomm sigue viendo que Samsung no puede cumplir con esas condiciones requeridas, su Snapdragon 8 Gen 4 probablemente se producirá en masa en el proceso N3E de TSMC, lo que resultará en otra pérdida para el fabricante coreano.

Fuente de noticias: Chosun

Samsung y su proceso GAA de 3nm han estado en el horizonte recientemente, con informes de mejoras sustanciales en las tasas de rendimiento. Sin embargo, el chip GAA de 3 nm ya se puede ver en acción en una máquina ASIC de criptominería. Anteriormente se informó que Samsung había enviado el primer lote de chips de 3nm a un minero de criptomonedas chino, lo que podría ser el caso aquí.

El proceso de 3nm de Samsung ha logrado tasas de rendimiento récord, atrayendo el interés de varias empresas, ¿incluidos los criptomineros?

Perspectivas tecnológicas ha descubierto que el proceso SF3E de Samsung se utiliza en el ASIC de criptominería Whatsminer M56S++. Para un breve resumen, un ASIC (Circuito Integrado de Aplicación Específica) de minería de criptomonedas es un chip de computadora especializado diseñado explícitamente con el propósito de extraer criptomonedas. Se utilizan para resolver cálculos matemáticos complejos y están altamente optimizados para tareas de minería.

https://t.co/9Ws1tzINud
¡Alerta de descubrimiento! @TechInsightsInc descubierto @Samsungprimicia en la industria #3nm Proceso GAA en el ASIC de criptominería Whatsminer M56S++. ¡El proceso GAA permite escalar a 2nm y más, velocidades más altas, menor consumo de energía y más! #Samsung #Semiconductor #3nm #GAA pic.twitter.com/tLQjfCKfVS

— TechInsights (@techinsightsinc) 17 de julio de 2023

Aunque la razón detrás del uso del proceso SF3E de Samsung aún no es específica, una causa destacada podría ser una forma de probar el nuevo proceso y examinar su rendimiento. Dado que los ASIC no involucran métodos de producción y diseño complejos, usarlos como prueba inicial es una excelente opción.

Samsung ya inició la producción en masa de su proceso de 3nm de primera generación, y se espera que la segunda generación esté lista para 2024. La tecnología GAAFET empleada por Samsung le da una ventaja sobre TSMC, ya que es la primera empresa en adoptar la tecnología de transistores. El proceso proporciona una reducción de potencia del 50 %, con una reducción del área del 35 % con respecto a los procesos anteriores, lo que atrae el interés de varios compradores corporativos.

Una forma en que Samsung todavía está detrás de TSMC es cuando se trata de convertir el interés en pedidos reales. El proceso GAA de 3 nm no se ha utilizado en ningún producto principal hasta ahora y, aunque ha habido rumores de que empresas como Qualcomm y AMD planean adoptar una estrategia de doble fuente, aún no se ha confirmado.

Sin embargo, esperamos que las tornas cambien para Samsung Foundry, particularmente a la luz de informes recientes de que Samsung había logrado tasas de rendimiento GAA de 3 nm de hasta el 60 %, mucho más altas que TSMC. Por ahora, la cuota de mercado está a favor de TSMC, pero el panorama podría cambiar en los próximos años.

Fuente de noticias: Hardware de Tom

Samsung comenzó oficialmente la producción de alto volumen de chips en su tecnología de proceso SF3E (clase 3nm, gate-all-around temprano) hace aproximadamente un año, pero ningún diseñador de chips fabless ha confirmado que usa este nodo para sus productos. Pero TechInsights recientemente descubierto que el criptominero Whatsminer M56S++ de MicroBT tiene un circuito integrado de aplicación específica (ASIC) que de hecho está hecho con el proceso SF3E de Samsung.

Los ASIC utilizados para extraer criptomonedas tienden a ser dispositivos pequeños con un recuento de transistores relativamente bajo que presenta estructuras lógicas repetitivas similares y una cantidad mínima de celdas de bits SRAM. Por lo general, esto hace que estos chips, y el Whatsminer M56S++ en particular, sean muy adecuados para servir como limpiadores de tuberías para las tecnologías de fabricación más avanzadas debido a su simplicidad de producción. Para Samsung Foundry, tiene mucho sentido usar su SF3E para chips como los ASIC de minería de criptomonedas.

Desafortunadamente, no sabemos mucho sobre el Whatsminer M56S++ ASIC excepto que la máquina de minería de MictoBT basada en este chip tiene un hashrate de 240-256 Th/s y una eficiencia energética de 22J/T. Para aquellos interesados ​​en descubrir más sobre el chip, recomendamos comprar un informe apropiado de TechInsights.

Desafortunadamente, actualmente se desconoce si el SF3E de Samsung se usa actualmente para aplicaciones más allá de los chips de minería de criptomonedas. Pero oficialmente, Samsung dice que fabrica productos utilizando su último nodo de proceso.

Samsung proporcionó una actualización sobre el progreso de su chip GAA de 3 nm durante sus ganancias trimestrales del año, lo que indica una perspectiva positiva que podría permitirle al gigante coreano recuperar a sus clientes perdidos. Según un nuevo informe, los rendimientos de sus chips de próxima generación están entre el 60 y el 70 por ciento, lo cual es bastante impresionante, dado que en un momento dado, la empresa tuvo problemas con su proceso de 4 nm. Esta fue una de las razones por las que Qualcomm saltó a TSMC para Snapdragon 8 Plus Gen 1 y Snapdragon 8 Gen 2.

No hay confirmación sobre qué aplicaciones o productos utilizarán el proceso GAA de 3nm de Samsung, pero la empresa ha enviado un prototipo a varios clientes no identificados.

Un alto rendimiento de hasta el 70 por ciento es crucial para que Samsung genere confianza entre los clientes potenciales y, como afirma FNN, la empresa parece estar progresando con esta tecnología. De hecho, el fabricante supuestamente envió un prototipo GAA de 3 nm a varios clientes para validar su calidad, pero no se proporcionaron los nombres de estas empresas.

Independientemente, se ha afirmado que la mayoría de los clientes de Samsung provienen de las industrias de dispositivos móviles y HPC (computación de alto rendimiento) que requieren chips enfocados en un bajo consumo de energía y un mayor rendimiento. En un momento en que TSMC no puede satisfacer la demanda de los chips A17 Bionic y M3 de Apple en su proceso de 3 nm, esto debería considerarse una pequeña victoria para Samsung, pero es muy dudoso que Apple abandone a su actual socio de fundición.

Sin embargo, otras empresas como Qualcomm y MediaTek podrían adoptar una estrategia comercial de doble fuente en la que adquieran chips GAA de 3nm de Samsung y la propia tecnología de TSMC para obtener mejores precios para sus obleas. En este momento, se rumorea que las obleas de 3 nm de TSMC cuestan $ 20,000, lo que lo convierte en una decisión costosa para los fabricantes de SoC de Android, aunque se ha informado que Qualcomm tiene la intención de saltar al proceso N3E más avanzado para su Snapdragon 8 Gen 4.

Al mismo tiempo, los chips GAA de 3nm de Samsung parecen cada vez más atractivos, suponiendo que los precios de sus propias obleas no sean escandalosos. Para 2023, es poco probable que escuchemos que los clientes de teléfonos inteligentes cambien de Samsung a TSMC, probablemente porque realizaron pedidos con anticipación, por lo que monitorearemos lo que suceda el próximo año.

Fuente de noticias: FNN

El Snapdragon 8 Gen 2 de Qualcomm se basó en el proceso de 4nm de TSMC, pero es posible que la empresa adopte un propósito de doble fuente al asociarse con Samsung para futuros conjuntos de chips de gama alta. Un rumor afirma que los procesos N3E y GAA de 3 nm de última generación de TSMC y Samsung, respectivamente, pueden usarse para lograr este objetivo.

La marca ‘Snapdragon 8 para Galaxy’ podría conservarse para los SoC producidos en masa únicamente con la tecnología de fabricación de Samsung

Con Samsung anunciando el progreso de su tecnología GAA de 3nm durante sus últimas ganancias trimestrales, Revegnus informa que la producción de obleas de la compañía parece estar funcionando bien. El informante cree que esta es la razón por la cual Qualcomm y el gigante coreano están trabajando juntos para crear una variación de los conjuntos de chips Snapdragon 8 de gama alta. Por ejemplo, suponiendo que el plan se materialice a principios de 2024, el Snapdragon 8 Gen 4 regular se entregará en el proceso N3E de TSMC, que es una iteración mejorada de la arquitectura de 3 nm de la compañía.

La segunda versión se fabricará con el proceso GAA de 3nm de Samsung y probablemente se llamará ‘Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy’ y se reservará para la serie Galaxy S25. Se ha rumoreado anteriormente que Qualcomm cambiará a una opción de doble fuente ya que, desde una perspectiva comercial, es la opción más inteligente para ahorrar costos. Este año, según se informa, solo Apple está produciendo conjuntos de chips en masa en el proceso de 3nm de TSMC, lo que indica que el alto precio de la oblea desalentó a Qualcomm y MediaTek a realizar pedidos.

Sin embargo, esto no significa que el proceso N3E de TSMC será más económico, por lo que cambiar al nodo GAA de 3nm de Samsung será el camino correcto a seguir. Desafortunadamente, para este año, no parece que Qualcomm tenga planes para aprovechar la tecnología GAA de 3nm de próxima generación de Samsung. En cambio, se dice que el próximo Snapdragon 8 Gen 3 se producirá en masa en el proceso N4P de TSMC, lo que brindará una eficiencia energética ligeramente mejor a los futuros modelos Galaxy S24.

Los lanzamientos anteriores de Snapdragon 8 son una prueba de que la fundición de TSMC es superior en comparación con la de Samsung, por lo que no debería sorprender que este último esté acelerando el ritmo para asegurar negocios con sus antiguos clientes nuevamente.

Fuente de noticias: Revegnus

Un funcionario de Samsung ha dicho que el proceso GAA de 3nm del fabricante coreano ha alcanzado un «nivel perfecto» de rendimiento de producción. Anteriormente, donde se decía que la tasa de rendimiento de TSMC era del 80 por ciento, Samsung estaba sentado en un 10 por ciento francamente decepcionante. Con esta mejora, Qualcomm y MediaTek podrían mostrar interés en desarrollar SoC para teléfonos inteligentes en este proceso de próxima generación.

Con el proceso GAA de 3nm mostrando rendimientos mejorados, Samsung afirma que está desarrollando su proceso de segunda generación.

Anteriormente, se informó que Qualcomm no estaba seguro de si quería producir en masa el próximo Snapdragon 8 Gen 3 en el proceso de 3 nm debido al alto costo de las obleas. Esta decisión le daría a Apple una gran ventaja cuando anuncie su A17 Bionic para el iPhone 15 Pro y el iPhone 15 Ultra. Según The Korea Economic Daily, Samsung está experimentando mejores rendimientos con su proceso GAA de 3 nm, lo que solo puede significar que tanto Qualcomm como MediaTek podrían recuperar la confianza en su decisión de producir en masa silicio de última generación.

Sin embargo, Samsung aún necesita cerrar la brecha en la tasa de rendimiento con TSMC para comenzar a recibir pedidos, ya que Qualcomm quiere adoptar un enfoque de doble fuente para reducir los costos de obleas para Snapdragon 8 Gen 3. Esto solo se puede lograr si TSMC y Samsung tienen una tasa de rendimiento similar, de lo contrario, Qualcomm no tendrá más remedio que quedarse con su socio de fundición taiwanés para la mayoría de los pedidos, y eso solo significará costos de obleas más altos para la firma de San Diego.

Con la mejora del rendimiento, un funcionario de Samsung dijo que la compañía está desarrollando el proceso GAA de 3nm de segunda generación sin demora. Aunque no se confirmó cuándo se proporcionarán estos chips a los clientes relevantes, es probable que Samsung comience la producción en masa en algún momento de 2024. Actualmente, Samsung tiene una participación de mercado del 16,4 por ciento en el mercado mundial de fundición, según las estadísticas de septiembre de 2022, mientras que TSMC domina este segmento con una participación de mercado del 53,4 por ciento.

Es seguro asumir que Samsung no será una amenaza para el dominio de TSMC por el momento, por lo que al menos por ahora, puede mejorar aún más sus rendimientos GAA de 3nm para facilitar a empresas como Qualcomm y MediaTek.

Fuente de noticias: The Korea Economic Daily

Qualcomm ha reflexionado sobre la idea de volver a incorporar a Samsung y utilizar su fundición para producir en masa conjuntos de chips Snapdragon de próxima generación, al tiempo que también obtiene un suministro dual de TSMC. Un rumor afirma que el fabricante taiwanés continúa experimentando un retraso en su proceso de 3nm, lo que solo significa que las posibilidades de que Samsung produzca en masa el Snapdragon 8 Gen 3 el próximo año en su arquitectura GAA de 3nm serán más fuertes.

Samsung tiene una tasa de rendimiento terrible en su proceso GAA de 3nm, pero con un poco de ayuda, puede restaurar la fe de Qualcomm

TSMC es el proveedor exclusivo de Qualcomm para Snapdragon 8 Gen 2, que se produce en masa en el nodo de 4 nm. El próximo año tiene muchas incertidumbres, especialmente cuando se trata de qué socio realizará los pedidos del Snapdragon 8 Gen 3. @OreXda en Twitter cree que es «probable» que Samsung cumpla con esos pedidos, en gran parte debido a los problemas que ha tenido TSMC. experimentando con su propio proceso de 3nm.

Además de eso, un informe reciente dijo que los precios de las obleas de 3nm de TSMC han superado la marca de $ 20,000, por lo que no sería prudente que Qualcomm dependiera de un solo fabricante para el Snapdragon 8 Gen 3, ya que sería una empresa costosa. También se dice que Samsung está teniendo problemas con su producción de GAA de 3 nm, con una tasa de rendimiento que se dice que es un horrendo 20 por ciento. Afortunadamente, el gigante coreano ha buscado la ayuda de una empresa estadounidense llamada Silicon Frontline Technology, que está ayudando a Samsung a mejorar los rendimientos.

[Rumor]

– Recientemente, el vicepresidente de Samsung visitó ASML para negociar la investigación de un nodo de 1,4 mm en 2025. (producto 2026)

– Actualmente, es probable que Qualcomm fabrique su Snapdragon 8 de próxima generación para Samsung Foundry. Parece ser un retraso continuo en la producción de 3nm de TSMC

— Connor / 코너 / コナー (@OreXda) 22 de noviembre de 2022

En este momento, no se informa que Samsung haya asegurado socios de teléfonos inteligentes que pretendan usar sus chips GAA de 3nm, pero se rumoreaba que Qualcomm había revisado muestras de esta tecnología de punta, probablemente con la esperanza de un acuerdo futuro. Suponiendo que Samsung pueda superar los problemas de rendimiento, se espera que su proceso GAA aporte muchos beneficios, como reducir el consumo de energía hasta en un 45 por ciento y mejorar el rendimiento en un 23 por ciento.

Un proceso GAA de 3nm de segunda generación puede comenzar la producción en masa en 2024 y brindará aún más ventajas de rendimiento y eficiencia energética, por lo que Samsung obviamente tiene una hoja de ruta en la que apunta a quitarle participación de mercado a TSMC. Naturalmente, es demasiado pronto para hacer suposiciones sobre Snapdragon 8 Gen 3, pero tendremos más información en los próximos meses.

Fuente de noticias: @OreXda