Micron ha anunciado su solución de memoria GDDR7, que ofrece velocidades de matriz de 32 Gbps y señalización PAM3 para GPU de próxima generación de NVIDIA y AMD.

La solución de memoria GDDR7 de próxima generación de Micron para GPU ofrece una mejora del 30 % en el rendimiento de los juegos en todas las resoluciones

Micron Technology anunció hoy el muestreo de su memoria gráfica GDDR7 de próxima generación con la densidad de bits más alta de la industria.

Aprovechando la tecnología DRAM 1β (1-beta) y una arquitectura innovadora, Micron GDDR7 ofrece una memoria de alto rendimiento de 32 Gb/s en un diseño de energía optimizada. Con más de 1,5 TB/s de ancho de banda del sistema, que es hasta un 60 % más ancho de banda que GDDR6, y cuatro canales independientes para optimizar las cargas de trabajo, la memoria GDDR7 permite tiempos de respuesta más rápidos, un juego más fluido y tiempos de procesamiento reducidos.

GDDR7 también proporciona una mejora de eficiencia energética de más del 50 % en comparación con GDDR6 para mejorar las temperaturas térmicas y prolongar la vida útil de la batería, mientras que el nuevo modo de suspensión reduce la energía en espera hasta en un 70 %. Las funciones avanzadas de confiabilidad, disponibilidad y capacidad de servicio (RAS) de Micron GDDR7 mejoran la confiabilidad del dispositivo y la integridad de los datos sin comprometer el rendimiento, ampliando el espectro de aplicaciones para IA, juegos y cargas de trabajo informáticas de alto rendimiento.

La memoria Micron GDDR7 ofrece un alto rendimiento que aumenta el rendimiento hasta en un 33 % y reduce el tiempo de respuesta hasta en un 20 % para cargas de trabajo de IA generativa, como la creación de texto a imagen.

Además, Micron espera que las tarjetas gráficas construidas con GDDR7 proporcionen una mejora superior al 30% en cuadros por segundo (FPS) para trazado de rayos y rasterización con respecto a las tendencias actuales de GDDR6 y GDDR6X en resoluciones de 1080p, 1440 y 4K. La incorporación de GDDR7 completa la cartera de productos líder en la industria de Micron para aplicaciones de inferencia de IA de vanguardia en componentes de CPU, NPU y GPU con opciones de memoria DDR, LPDDR y GDDR. Para aplicaciones de juegos, la memoria de próxima generación permite un juego mejorado por IA con paisajes, jugadores e historias adaptables a través del rendimiento y la escala del búfer de fotogramas.

Con más de cinco años de exitosa fabricación en gran volumen de GDDR6X, Micron ha brindado consistentemente rendimiento y calidad de clase mundial. Estos mismos atributos, junto con tecnología madura, diseño y experiencia en pruebas, ayudarán a acelerar la adopción de GDDR7 y brindarán soporte de espectro completo para la rampa de fabricación del producto.

Micron introdujo la señalización PAM4 en GDDR6X, ofreciendo un rendimiento de liderazgo de más del 20 % de mejora con respecto a GDDR6. El éxito con PAM4 forma la base para el liderazgo continuo de la cartera GDDR7 de Micron con PAM3. Los avances de ingeniería, como la medición del primer rendimiento PAM3 de 40 Gb/s de la industria, allanan el camino hacia un mayor rendimiento en futuros productos GDDR7.

Evolución de la memoria gráfica GDDR:

MEMORIA DE GRÁFICOS	GDDR7	GDDR6X	GDDR6	GDDR5X
Carga de trabajo	Juegos / IA	Juegos / IA	Juegos / IA	Juego de azar
Plataforma (Ejemplo)	¿GeForce RTX 5090?	GeForce RTX 4090	GeForce RTX 2080 Ti	GeForce GTX 1080Ti
Capacidad de matriz (Gb)	16-64	8-32	8-32	8-16
Número de ubicaciones	12?	12	12	12
Gb/s/pin	32-37	19-24	14-16	11.4
GB/s/ubicación	128-144	76-96	56-64	45
GB/s/sistema	1536-1728	912-1152	672-768	547
Configuración (Ejemplo)	¿384 IO (paquete de 12 piezas x 32 IO)?	384 IO (paquete de 12 piezas x 32 IO)	384 IO (paquete de 12 piezas x 32 IO)	384 IO (paquete de 12 piezas x 32 IO)
Búfer de trama del sistema típico	¿24 GB?	24GB	12GB	12GB
Paquete de módulos	266 (BGA)	180 (BGA)	180 (BGA)	190 (BGA)
Potencia promedio del dispositivo (pJ/bit)	Por determinar	7.25	7.5	8.0
Canal IO típico	Placa de circuito impreso (P2P SM)	Placa de circuito impreso (P2P SM)	Placa de circuito impreso (P2P SM)	Placa de circuito impreso (P2P SM)

Socios del ecosistema en la solución de memoria GDDR7

“En AMD estamos comprometidos a crear las experiencias de juego más inmersivas. Nuestro trabajo con Micron en GDDR7 promueve nuestro objetivo compartido”, dijo Joe Macri, vicepresidente senior y miembro corporativo de AMD. «Estamos entusiasmados con el lanzamiento de GDDR7 por parte de Micron y esperamos aprovechar esta tecnología para hacer que los juegos sean aún más receptivos y realistas».

«Cadence tiene una sólida trayectoria de colaboración con Micron para desarrollar soluciones de subsistemas IP de memoria líderes en la industria para GDDR, HBM, DDR y LPDDR», dijo Boyd Phelps, vicepresidente senior y gerente general de Silicon Solutions Group en Cadence. «Estamos utilizando muestras de memoria líder basada en tecnología 1β DRAM para probar y validar GDDR7 PHY IP funcionando a velocidades de hasta 36 Gb/s».

La memoria GDDR7 estará disponible directamente a través de Micron y a través de distribuidores y revendedores de canales globales selectos en la segunda mitad del año calendario 2024.

Las memorias DDR6 y LPDDR6 contarán con velocidades súper rápidas de hasta 17,6 Gbps mientras que el estándar CAMM2 DRAM se dirige a las computadoras de escritorio.

Las memorias DDR6 y LPDDR6 ofrecerán velocidades de transferencia increíblemente rápidas de hasta 17,6 Gbps, JEDEC presenta CAMM2 para PC de escritorio

JEDEC está listo para finalizar pronto los estándares de próxima generación, pero parece que ya hay información preliminar disponible sobre qué esperar del estándar de próxima generación.

La memoria LPDDR6 reemplazará la memoria LPDDR5 existente y sus diversas iteraciones que se anunciaron ya en 2019. Pasarán casi cinco años desde que el estándar LPDDR5 salió al mercado. Hemos visto modelos como LPDDR5x de Samsung y Micron, mientras que SK hynix también ha creado una variante LPDDR5T que ofrece velocidades de transferencia de hasta 9,6 Gbps.

Hemos visto la adopción de las variantes LPDDR5(X/T) en una variedad de otros productos, siendo los más recientes los módulos LPCAMM2 que están destinados a revolucionar el segmento de PC debido a su pequeño factor de forma modular y ofrecen mayor capacidad y opciones de actualización. .

En términos de qué esperar de la memoria LPDDR6, Synopsys ha establecido hasta 14,4 Gbps como la velocidad de datos más alta definida para el estándar con una velocidad introductoria de 10,667 Gbps. LPDDR6 también utilizará un canal de 24 bits de ancho compuesto por dos subcanales de 12 bits y ofrecerá un ancho de banda inicial de hasta 28 GB por segundo y hasta 38,4 GB/s utilizando los troqueles más rápidos de 14,4 Gbps.

En cuanto a DDR6, parece que se dice que el borrador inicial de la memoria se presentará este año y se espera que la especificación v1.0 se lance en el segundo trimestre de 2025. En cuanto a las velocidades de memoria, el estándar de memoria DDR6 contará con velocidades introductorias de 8,8 Gbps. y llegar hasta 17,6 Gbps.

Se espera que DDR6 se amplíe aún más a 21 Gbps, lo que es un ancho de banda increíblemente alto y NRZ también se menciona en el estándar de señalización PAM. Actualmente, los DIMM de memoria DDR5 más rápidos pueden alcanzar velocidades de RAM de hasta 9000 MT/s y hemos visto overclocks por encima de los 11 000 MT/s, pero la memoria DDR6 superaría fácilmente la barrera de los 10 000 MT/s sin siquiera necesidad de overclock y posiblemente supere los 20 000. MT/s con OC.

Otro tema interesante a tratar es el estándar de memoria CAMM2, que ha sido adoptado por empresas como Micron, Samsung, SK hynix e incluso Longsys, un fabricante chino. CAMM2 es el estándar de próxima generación que resuelve varios problemas con las memorias SO-DIMM y DIMM tradicionales, como la capacidad de actualización, la reparabilidad, la complejidad de la placa base y el consumo de energía. Ofrece un amplio soporte de proveedores de memoria. Actualmente, CAMM2 se basa en los estándares DDR5, LPDDR5 y LPDDR5X con capacidades de hasta 256 GB.

JEDEC también ha hablado sobre el LPDDR6 CAMM2 de próxima generación que perfeccionará aún más los módulos CAMM2 al ofrecer las mismas velocidades rápidas que acabamos de mencionar y también eliminará la necesidad de tornillos que se requieren en los diseños existentes.

La diapositiva más importante nos ofrece una visión preliminar de las futuras soluciones de memoria CAMM2 de doble canal para PC de escritorio y de servidor. En lugar de colocarse verticalmente, los DIMM CAMM2 se alojarán horizontalmente y actualmente se exhiben hasta dos DIMM.

CAMM2 elimina la necesidad de un conector soldado y traslada la topología completamente al módulo. Este nuevo diseño está configurado para permitir el máximo rendimiento y capacidades máximas en la plataforma de PC de escritorio.

Seguramente requerirá un enfoque completamente nuevo para las placas base y no esperamos que los diseños se lancen pronto, pero podemos esperar que ciertos proveedores de placas base, especialmente aquellos que superan los límites de la memoria a través del overclocking (diseños 2DIMM), utilicen DIMM CAMM2 en el futuro. Definitivamente se avecinan tiempos interesantes en el segmento de la memoria, así que estad atentos para obtener más información.

Progresión de estándares de memoria DDR y LPDDR

Nombre de la memoria	Velocidades (MT/s)	Año
DDR6	8800-17600	2026?
DDR5	4000-8400	2020
DDR4	1600-3200	2014
LPDDR6	14400	2026?
LPDDR5T	9600	2023
LPDDR5X	8533	2021
LPDDR5	6400	2019
LPDD4X	4267	2017
LPDDR4	3200	2014

Fuente de noticias: ¡Muchas gracias a @DarkmontTech por el consejo!

La gente de TecLab y Paulo Gomes han aumentado la memoria de la GPU NVIDIA GeForce RTX 4070 SUPER a 26 Gbps, lo que termina ofreciendo un rendimiento más rápido que el RTX 4080 SUPER.

La GPU NVIDIA GeForce RTX 4070 Ti SUPER con memoria de 26 Gbps aplasta a la RTX 4080 SUPER en varias pruebas

La GPU NVIDIA GeForce RTX 4070 Ti experimentó una actualización de memoria cuando se lanzó, reemplazando la interfaz de memoria de 12 GB (192 bits) por una interfaz de 16 GB (256 bits) utilizando los mismos módulos de memoria GDDR6X de 21 Gbps. Se sabe que estos módulos de memoria cuentan con potentes capacidades de OC y hemos visto en nuestras pruebas que overclockearlos a 24-25 Gbps es bastante fácil cuando se utilizan las condiciones de OC adecuadas.

Los equipos de TecLab y Paulo Gomes pusieron a prueba esta memoria en la GPU NVIDIA GeForce RTX 4070 Ti SUPER. Nuestro amigo Ronaldo de GALAX, que también es el jefe del canal TecLab, junto con su equipo, fueron los autores intelectuales del overclock de 26 Gbps.

Para la competencia, el equipo de TecLab utilizó una tarjeta gráfica GALAX GeForce RTX 4070 Ti SUPER mientras que el equipo de Paulo Gomes utilizó la tarjeta gráfica Manli GeForce RTX 4070 Ti SUPER. Ambas tarjetas fueron intercambiadas en cuanto a sus módulos de memoria. Como mencionamos anteriormente, la tarjeta cuenta con matrices de 21 Gbps Micron de forma predeterminada, pero se decidió que para alcanzar el máximo potencial de OC, las matrices de 21 Gbps (161-0479-900) debían intercambiarse con matrices de 24 Gbps (161-0480- 900).

Cabe señalar que intercambiar módulos de memoria de esta manera no es algo que cualquiera pueda hacer en casa. Requiere experiencia en soldadura y es necesario tener las herramientas y la información adecuadas con respecto a la PCB y la BIOS para que todo funcione. Ambos canales de overclocking tenían esta información, por lo que era un proceso que conocían muy bien, pero para un entusiasta de las PC, todo este proceso es muy difícil y puede anular fácilmente la garantía.

No se utilizó refrigeración LN2 sofisticada y las tarjetas se overclockearon con sus soluciones de refrigeración personalizadas que incluyen ventiladores triples y un diseño de ranura 2,5-3,0. El hecho de que estas GPU funcionaran dentro de sus límites térmicos con overclocks tan extremos muestra cuán excesivamente diseñados están algunos de estos refrigeradores.

Durante la sesión de OC, tanto la GPU como la memoria fueron overclockeadas y los resultados hablarán por sí solos. El equipo de Paulo Gomes elevó el reloj de la GPU a +200 MHz y el reloj de la memoria a +2000 MHz, lo que resultó en una puntuación de 8870 puntos, mientras que el equipo de TecLab (GALAX) impulsó aún más la GPU GALAX GeForce RTX 4070 Ti SUPER con un +271. GPU MHz y un reloj de memoria de +2850 MHz que resultó en una puntuación de 9133 puntos. Eso es una ventaja del 2% sobre el puntaje de GPU de Paulo Gomes en el punto de referencia The Unigine Superposition.

Videocardz logró compilar los resultados de las pruebas comparativas que se enumeran a continuación:

• GALAX GeForce RTX 4070 Ti SUPER (OC 26 Gbps) – 9133 puntos
• Manli GeForce RTX 4070 Ti SUPER (OC 24 Gbps) – 8870 puntos
• NVIDIA GeForce RTX 4080 SUPER (Stock) – 8736 puntos
• NVIDIA GeForce RTX 4080 (de serie) – 8525 puntos
• Manli GeForce RTX 4070 Ti SUPER (Stock) – 7212 puntos
• GALAX GeForce RTX 4070 Ti SUPER (Stock) – 7028 puntos

Esto supone un aumento del rendimiento de entre un 20 y un 30 % simplemente añadiendo memoria más rápida a las GPU y aumentando las velocidades del reloj. El estándar de memoria GDDR7 de próxima generación comenzará con velocidades de matriz de 28 Gbps, lo que representa un aumento del 33% con respecto a los módulos GDDR6X de 21 Gbps, por lo que, junto con mejoras arquitectónicas de GPU adicionales y aumentos de velocidad de reloj, con un nodo de proceso refinado se pueden agregar algunas mejoras impresionantes. ganancias en la línea de GPU GeForce RTX 50 «Blackwell» que se espera que debute a finales de este año en forma de RTX 5090 y RTX 5080.

En general

Fuente de noticias: VideoCardz

Samsung ha anunciado la producción en masa de su memoria flash V-NAND de novena generación, que ofrece un aumento del 33% con respecto a la V-NAND de octava generación.

Comienza la producción en masa de 1Tb TCL 9.a generación V-NAND de Samsung, QLC en el segundo semestre de 2024 ofrece un aumento del 33% en las velocidades

El anuncio era más o menos esperado, ya que informamos sobre el comienzo de la producción en masa del flash V-NAND de novena generación hace unas semanas. En primer lugar, TCL NAND entrará en producción (este mes) y se espera la producción en masa de QLC en la segunda mitad del año. También se informa que la V-NAND de novena generación contará con más de 290 capas, pero Samsung no lo confirma oficialmente.

Presione soltar: Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha comenzado la producción en masa de su NAND vertical (V-NAND) de novena generación de celda de triple nivel (TLC) de un terabit (Tb), consolidando su liderazgo en el mercado. Mercado flash NAND.

Con el tamaño de celda más pequeño y el molde más delgado de la industria, Samsung mejoró la densidad de bits de la V-NAND de novena generación en aproximadamente un 50 % en comparación con la V-NAND de octava generación. Se han aplicado innovaciones como la prevención de interferencias de celdas y la extensión de la vida útil de las celdas para mejorar la calidad y confiabilidad del producto, mientras que la eliminación de orificios de canales ficticios ha reducido significativamente el área plana de las celdas de memoria.

Además, la avanzada tecnología de “grabado de orificios de canal” de Samsung muestra el liderazgo de la empresa en capacidades de proceso. Esta tecnología crea vías de electrones al apilar capas de moldes y maximiza la productividad de fabricación, ya que permite la perforación simultánea del mayor número de capas de células de la industria en una estructura de doble pila. A medida que aumenta el número de capas de células, la capacidad de atravesar un mayor número de células se vuelve esencial, lo que exige técnicas de grabado más sofisticadas.

La V-NAND de novena generación está equipada con la interfaz flash NAND de próxima generación, “Toggle 5.1”, que admite velocidades de entrada/salida de datos aumentadas en un 33 % hasta hasta 3,2 gigabits por segundo (Gbps). Junto con esta nueva interfaz, Samsung planea solidificar su posición dentro del mercado de SSD de alto rendimiento ampliando el soporte para PCIe 5.0.

El consumo de energía también se ha mejorado en un 10% con avances en el diseño de bajo consumo, en comparación con la generación anterior. A medida que reducir el uso de energía y las emisiones de carbono se vuelve vital para los clientes, se espera que la V-NAND de novena generación de Samsung sea una solución óptima para aplicaciones futuras. Samsung comenzó este mes la producción en masa del V-NAND de novena generación TLC de 1 TB, seguido del modelo de celda de cuatro niveles (QLC) en la segunda mitad de este año.

AMD podría apegarse a la antigua solución de memoria GDDR6 de 18 Gbps para sus GPU RDNA 4 «Radeon RX 8000» de próxima generación, alega @Kepler_L2.

AMD no está realizando una actualización de las especificaciones de memoria en sus GPU RDNA 4 «Radeon RX 8000», ya que se rumorea que GDDR6 de 18 Gbps para todas las tarjetas

Mientras los fabricantes de memoria hablan sobre sus soluciones más nuevas para tarjetas gráficas de consumo, como la GDDR6W de Samsung o el estándar GDDR7 verdaderamente de próxima generación, que se entregará con velocidades de matriz de 28 Gbps al principio, parece que AMD planea seguir con la memoria GDDR6 existente. solución para impulsar sus próximas tarjetas gráficas Radeon RX 8000 basadas en la arquitectura GPU RDNA 4. El movimiento puede parecer un poco extraño al principio, pero podría tener sentido, algo a lo que llegaremos en un momento.

Sólo 18Gbps

-Kepler (@Kepler_L2) 23 de abril de 2024

La familia de GPU AMD RDNA 4, que se espera que impulse la línea de tarjetas discretas Radeon RX 8000, ha experimentado varios desarrollos. Inicialmente se esperaba que la línea presentara SKU de GPU de alta gama hasta que fueron canceladas y reemplazadas por dos SKU en los segmentos de nivel medio y bajo. Conocemos los dos SKU como Navi 48 y Navi 44. Según se informa, la GPU Navi 48 es el SKU de gama alta de los dos, mientras que el chip Navi 44 es un SKU de nivel básico. Estas GPU son parte de la familia GFX12 y ya han sido incluidas en parches dentro de ROCm como GFX1200 y GFX1201.

Ahora, según el último rumor de @Kepler_L2, parece que las GPU AMD Radeon RX 8000 «RDNA 4» utilizarán memoria GDDR6 y ninguna variante especial o más rápida. Se quedarán con las velocidades de sólo 18,00 Gbps, que son ligeramente inferiores a las de los modelos más rápidos actuales, como el 7900 XTX o el 7800 XT. Las Radeon RX 7900 GRE, RX 7700 XT, RX 7600 XT y RX 7600 cuentan con matrices de 18 Gbps. La alineación actual presenta lo siguiente:

• Radeon RX 7900 XTX: 384 bits / 20 Gbps / 960 GB/s
• Radeon RX 7900 XT: 320 bits / 20 Gbps / 800 GB/s
• Radeon RX 7900 GRE: 256 bits / 18 Gbps / 576 GB/s
• Radeon RX 7800 XT: 256 bits / 19,5 Gbps / 624 GB/s
• Radeon RX 7700 XT: 192 bits / 18 Gbps / 432 GB/s
• Radeon RX 7600 XT: 128 bits / 18 Gbps / 288 GB/s
• RadeonRX 7600: 128 bits / 18 Gbps / 288 GB/s

Teniendo esto en cuenta, podemos esperar interfaces de bus similares que deberían brindarnos las siguientes configuraciones de memoria en las SKU de GPU RDNA 4:

• Radeón RX 8000: 256 bits / 18 Gbps / 576 GB/s
• Radeón RX 8000: 192 bits / 18 Gbps / 432 GB/s
• Radeón RX 8000: 128 bits / 18 Gbps / 288 GB/s

Ahora bien, si bien esto puede sonar un poco decepcionante, parece que la razón fundamental de AMD detrás del uso de memoria GDDR6 de 18 Gbps para su línea RDNA 4 podría hacer que estas tarjetas tengan un mejor valor dentro de su segmento respectivo. La memoria GDDR6 ya se produce en masa desde hace años y está ampliamente disponible, a diferencia de las soluciones más nuevas que pueden tener un suministro limitado al principio.

Como tal, los proveedores de memorias pueden aumentar los precios, encareciendo los productos discretos resultantes. Otro factor podría ser el consumo de energía: estas soluciones de próxima generación consumirán más energía a pesar de ser un poco más eficientes. Dado que AMD se dirige al segmento convencional y de gama baja con su familia de GPU RDNA 4, tiene sentido incorporar una solución de 18 Gbps.

Sí

-Kepler (@Kepler_L2) 23 de abril de 2024

También se informa que todas las GPU RDNA 4 utilizarán módulos de memoria GDDR6 de 18 Gbps, por lo que eso incluye ofertas tanto de escritorio como de portátiles. El ancho de banda todavía es suficiente para las soluciones convencionales y también podría haber Infinity Cache que puede eliminar algunos de los cuellos de botella de memoria que pueden encontrar las GPU. Los primeros rumores han indicado que la GPU Navi 48 ofrecerá un rendimiento cercano a los chips Navi 31, mientras que Navi 44 se ubicará entre las GPU Navi 32 y Navi 33 «RDNA 3).

En general, parece que NVIDIA podría volver a ser la primera en adoptar la nueva solución GDDR (GDDR7) a finales de este año cuando lance Blackwell para juegos en forma de GeForce RTX 5090 y RTX 5080, pero estas tarjetas. Mientras tanto, AMD intentará reorientar su participación de mercado en el segmento de juegos convencional antes de pasar nuevamente al segmento de gama alta como lo hizo anteriormente con las GPU Polaris (RX 400/500) y Navi 1 (Radeon RX 5000).

Línea de GPU generacional AMD RDNA

Línea Radeon	Radeon RX5000	Radeon RX6000	Radeon RX7000	Radeon RX 8000
Arquitectura de GPU	RDNA 1	RDNA 2	RDNA 3 / RDNA 2	RDNA 4
Nodo de proceso	7nm	7nm	5 nm/6 nm	¿5nm/3nm?
Familia de GPU	Navegador 1X	Navegador 2X	Navegador 3X	Navegador 4X
GPU insignia	N / A	Navi 21 (5120 SP)	Navi 31 (6144 SP)	Navi 41 (¿Cancelado?)
GPU de gama alta	Navi 10 (2560 SP)	Navi 22 (2560 SP)	Navi 32 (4096 SP)	Navi 48
GPU de nivel medio	Navi 12 (2560 SP)	Navi 23 (2048 SP)	Navi 33 (2048 SP)	¿N / A?
GPU de nivel básico	Navi 14 (1536 SP)	Navi 24 (1024 SP)	¿Navi 34 (1024 SP)?	Navi 44

Rambus ha presentado su controlador de memoria IP GDDR7 de próxima generación, con señalización PAM3 y velocidades de transferencia de hasta 48 Gbps.

Rambus se prepara para GPU de inteligencia artificial y juegos de próxima generación con IP de controlador de memoria GDDR7: ofrece mejoras sustanciales con respecto a GDDR6

Presione soltar: Como la última incorporación al portafolio Rambus de interfaz IP digital de seguridad y de interfaz líder en la industria para AI 2.0, el controlador de memoria GDDR7 proporcionará el rendimiento de memoria innovador que requieren los servidores y clientes en la próxima ola de inferencia de AI.

Supercargando la inferencia de IA con GDDR7

El resultado del proceso de capacitación de AI 2.0 es un modelo de inferencia que se puede emplear para crear nuevo contenido multimodal a partir de las indicaciones de un usuario. Dado que la precisión y la fidelidad aumentan con el tamaño del modelo, existe una presión constante por modelos de inferencia cada vez más grandes. A medida que la inferencia de IA se vuelve cada vez más generalizada y se traslada del centro de datos al borde y a los puntos finales, impulsa la necesidad de motores de procesamiento más potentes con soluciones de memoria de alto rendimiento personalizadas en todo el panorama informático.

Las GPU han sido los motores de inferencia elegidos y, en el caso de aplicaciones perimetrales y de punto final, como servidores y computadoras de escritorio, han sido GPU que utilizan memoria GDDR6. GDDR6, sin embargo, ha alcanzado el límite práctico de la señalización NRZ estándar a velocidades de datos de 24 Gigabits por segundo (Gbps). Para satisfacer las necesidades de ancho de banda de las futuras GPU, se requiere una nueva generación de GDDR que utilice un nuevo esquema de señalización. Ingrese a la memoria GDDR7 que, utilizando la señalización PAM3, puede aumentar las velocidades de datos a 40 Gbps y más.

GDDR, ahora en el nivel de especificación GDDR7, es hoy una solución de memoria gráfica de última generación con una hoja de ruta de rendimiento de hasta 48 Gigabits por segundo (Gbps) y un rendimiento de memoria de 192 GB/s por dispositivo de memoria GDDR7.

En el parámetro crítico del ancho de banda, la memoria GDDR7 realmente brilla. Con una velocidad de datos de 32 Gbps y una interfaz de 32 bits de ancho, un dispositivo GDDR7 puede ofrecer 128 GB/s de ancho de banda de memoria, más del doble que cualquiera de las soluciones alternativas. La memoria GDDR7 ofrece la mejor velocidad, ancho de banda y rendimiento de latencia para la inferencia de IA.

Rambú

Rambus Silicon IP para IA 2.0

Como proveedor de IP de silicio preferido para AI 2.0, Rambus ofrece IP de controlador HBM, PCIe y CXL líder en la industria y ahora es el primer IP de controlador de memoria GDDR7 de la industria. El controlador Rambus GDDR7 proporciona una solución completa y eficiente en ancho de banda para implementaciones GDDR7. Admite operación de 40 Gbps y proporciona un rendimiento de 160 Gigabytes por segundo (GB/s) para un dispositivo de memoria GDDR7, un aumento del 67 % con respecto al controlador GDDR6 de mayor rendimiento de la industria (también de Rambus).

El controlador Rambus GDDR7 permite una nueva generación de implementaciones de memoria GDDR para aceleradores de IA, gráficos y aplicaciones de computación de alto rendimiento (HPC) de vanguardia.

«La memoria GDDR7 ofrece importantes mejoras de rendimiento con respecto a la GDDR6», dijo Soo-Kyoum Kim, vicepresidente de semiconductores de memoria de IDC. «La solución IP del controlador Rambus GDDR7 será una herramienta vital para cualquiera que quiera aprovechar las funciones mejoradas de velocidad y latencia que ofrece GDDR7».

Características clave del controlador Rambus GDDR7:

• Admite todas las funciones de enlace GDDR7, incluida la señalización PAM3 y NRZ
• Admite una amplia gama de tamaños y velocidades de dispositivos GDDR7
• Optimizado para alta eficiencia y baja latencia en una amplia variedad de escenarios de tráfico
• Soporte de interfaz AXI flexible
• Soporte de bajo consumo (autoactualización, hibernación, autoactualización, escalado dinámico de frecuencia, etc.)
• Funciones de confiabilidad, disponibilidad y capacidad de servicio (RAS), como paridad de ruta de datos de un extremo a otro, protección de paridad para registros almacenados, etc.
• Soporte completo para pruebas de memoria
• Soporte de integración para PHY de terceros disponible
• Validado utilizando los últimos modelos de memoria GDDR7 VIP y de proveedores de memoria.

Samsung ha presentado la solución de memoria LPDDR5X más rápida de la industria con velocidades de hasta 10,7 Gbps con capacidades aumentadas de hasta 32 GB.

Samsung actualiza su memoria LPDDR5X con velocidades más rápidas, mayores capacidades y mejor eficiencia, ahora con una potencia nominal de hasta 10,7 Gbps y 32 GB por paquete

El anuncio se produce apenas unos días después de que Micron anunciara su memoria LPDDR5X ligeramente optimizada que ahora ofrece un ahorro de energía del 4%. Samsung parece haber superado la industria en casi todos los aspectos con sus nuevas soluciones LPDDR5X que ofrecen velocidades más rápidas, mayores capacidades y mayores ahorros de energía. Samsung anunció por primera vez su memoria LPDDR5X con velocidades de 7,5 Gbps y obtuvo ganancias incrementales con soluciones de 8,5 Gbps y 9,6 Gbps. Ahora, Samsung es el primero en superar la barrera de los 10 Gbps en lo que respecta al estándar LPDDR.

Presione soltar: Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha desarrollado la primera DRAM LPDDR5X de la industria que admite el rendimiento más alto de la industria de hasta 10,7 gigabits por segundo (Gbps).

Aprovechando la tecnología de proceso de clase de 12 nanómetros (nm), Samsung ha logrado el tamaño de chip más pequeño entre los LPDDR existentes, consolidando su liderazgo tecnológico en el mercado de DRAM de bajo consumo.

Con el aumento de las aplicaciones de IA, la IA en el dispositivo, que permite el procesamiento directo en los dispositivos, se está volviendo cada vez más crucial, lo que subraya la necesidad de memoria LPDDR de bajo consumo y alto rendimiento.

El LPDDR5X de 10,7 Gbps de Samsung no solo mejora el rendimiento en más de un 25 % y la capacidad en más de un 30 %, en comparación con la generación anterior, sino que también amplía la capacidad del paquete único de DRAM móvil hasta 32 gigabytes (GB), lo que lo convierte en una solución óptima. para la era de la IA en el dispositivo que requiere memoria de alto rendimiento, alta capacidad y bajo consumo.

En particular, el LPDDR5X incorpora tecnologías especializadas de ahorro de energía, como variación de energía optimizada que ajusta la energía según la carga de trabajo e intervalos ampliados de modo de bajo consumo que extienden los períodos de ahorro de energía. Estas mejoras mejoran la eficiencia energética en un 25% con respecto a la generación anterior, lo que permite que los dispositivos móviles proporcionen una mayor duración de la batería y permiten a los servidores minimizar el costo total de propiedad (TCO) al reducir el uso de energía al procesar datos.

La producción en masa del LPDDR5X de 10,7 Gbps está programada para comenzar en la segunda mitad del año, luego de la verificación con los procesadores de aplicaciones móviles (AP) y los proveedores de dispositivos móviles.

Nuestro primer nodo de proceso 1ß (1-beta) en el mercado tiene capacidades avanzadas de ahorro de energía que utilizan técnicas mejoradas de núcleo de escalamiento dinámico de voltaje y frecuencia (eDVFSC) y tecnología de puerta metálica de alta k (HKMG) de segunda generación para desbloquear una energía sin precedentes. ahorros.

Esta tecnología avanzada ofrece importantes mejoras de energía y la flexibilidad para brindar potencia y rendimiento personalizados para la carga de trabajo. Además del ahorro de energía, el nodo de proceso 1β proporciona un ancho de banda máximo un 12 % mayor. Estas mejoras de potencia y ancho de banda aceleran experiencias de IA eficientes y efectivas en el borde. Las características del nodo de proceso incluyen:

• Litografía avanzada de multiplicación de patrones
• Amplía el liderazgo LPDDR5
• Ofrece potencia y rendimiento mejorados
• Ahora se envían muestras de 9,6 Gbps con ahorros de energía aún mejores

Según investigaciones de consumidores, la duración de la batería de los teléfonos inteligentes es el principal problema para los usuarios finales y es un área crítica de mejora entre los fabricantes de teléfonos inteligentes. El 71% de los usuarios de teléfonos inteligentes afirmó que la duración de la batería es la característica más importante que consideran al comprar un teléfono nuevo. La duración de la batería supera fácilmente otras características clave como la durabilidad del dispositivo (61%), la calidad de la cámara (48%) y la conexión 5G (24%).

Samsung ha comenzado oficialmente a enumerar los primeros módulos de memoria GDDR7 que alimentarán las GPU de próxima generación que llegarán a finales de este año.

Samsung enumera oficialmente la memoria GDDR7: DRAM de 28 Gbps y 32 Gbps ahora muestra para GPU de próxima generación

Samsung forma parte del trío de fabricantes de memoria que ofrecerán sus soluciones de memoria GDDR7 de próxima generación a proveedores de gráficos como NVIDIA, AMD y más. Los otros dos incluyen SK hynix y Micron, quienes también anunciaron sus productos de generación actual y adelantaron lo que el nuevo estándar es capaz de hacer, ofreciendo velocidades de pin de hasta 40 Gbps y densidades de hasta 64 Gb.

Cuando se trata de Samsung, la compañía se apegará a una densidad más razonable de 16 Gb que permite 2 GB de VRAM por módulo. Por lo tanto, las capacidades serán prácticamente las mismas que las que tenemos en la generación actual de tarjetas gráficas. Cada módulo contará con una interfaz de bus de 32 bits de ancho y una frecuencia de actualización de 16K/32ms. Los módulos de memoria GDDR7 vendrán en el paquete 266 FBGA y actualmente hay dos velocidades enumeradas.

Tenemos el chip estándar de 32 Gbps y el chip optimizado de bajo voltaje de 28 Gbps. Es muy probable que la primera versión de las GPU GDDR7 utilice matrices de 28 Gbps con solo unas pocas variantes de gama alta o sus actualizaciones obtengan velocidades de pin de 32 Gbps. Ambas supondrán una mejora importante con respecto a GDDR6, que alcanza un máximo de 24 Gbps y solo hemos visto velocidades de hasta 22,5 Gbps en determinadas GPU, como la NVIDIA GeForce RTX 4080 SUPER. Eso es una mejora del 24,5% para los 28 Gbps y una mejora del 42% para los 32 Gbps solo en velocidad.

Samsung también mostró recientemente sus módulos de memoria GDDR7 en GTC y su estado ahora pasó a muestreo. A continuación se muestran algunas de las configuraciones que puede esperar con módulos de 28 Gbps y 32 Gbps:

• 512 bits / 28 Gbps / 32 GB (memoria máxima) / 1792 GB/s (ancho de banda máximo)
• 384 bits / 28 Gbps / 24 GB (memoria máxima) / 1344 GB/s (ancho de banda máximo)
• 256 bits / 28 Gbps / 16 GB (memoria máxima) / 896,0 GB/s (ancho de banda máximo)
• 192 bits / 28 Gbps / 12 GB (memoria máxima) / 672,0 GB/s (ancho de banda máximo)
• 128 bits / 28 Gbps / 8 GB (memoria máxima) / 448,0 GB/s (ancho de banda máximo)

• 128 bits a 32 Gbps: 512 GB/s (8 GB)
• 192 bits a 32 Gbps: 768 GB/s (12 GB)
• 256 bits a 32 Gbps: 1024 GB/s (16 GB)
• 320 bits a 32 Gbps: 1280 GB/s (20 GB)
• 384 bits a 32 Gbps: 1536 GB/s (24 GB)
• 512 bits a 32 Gbps: 2048 GB/s (32 GB)

Las primeras tarjetas gráficas GDDR7 probablemente lleguen a finales de este año a medida que aumente la producción de la nueva memoria. Será un nuevo comienzo para todo el mercado de memorias gráficas para clientes y esperamos ver cómo progresa.

SKU de memoria Samsung GDDR7

Nombre	K4VAF325ZC-SC32	K4VAF325ZC-SC28
Densidad	16 GB	16 GB
organización	512Mx32	512Mx32
Velocidad	32,0 Gbps	28,0 Gbps
Actualizar	16K/32ms	16K/32ms
Paquete	266 FBGA	266 FBGA
Estado	Muestreo	Muestreo

Fuente de noticias: harukaze5719

La primera generación de módulos de memoria GDDR7 aún no está disponible en productos de consumo y parece que los fabricantes ya están mostrando de qué es realmente capaz el nuevo estándar.

SK hynix responde a Samsung con la presentación de sus módulos de memoria GDDR7 de próxima generación para GPU de próxima generación, hasta 160 GB/s de ancho de banda por módulo y capacidades de 3 GB

Si bien hay informes de que la primera generación de productos de memoria GDDR7 utilizará matrices de 28 Gbps en capacidades de 16 Gb (2 GB de VRAM), los fabricantes de DRAM no se detienen a mostrar lo que sus productos de próxima generación tienen para ofrecer.

En GTC 2024, SK hynix mostró sus módulos de memoria GDDR7 que ofrecerán velocidades de pin de hasta 40 Gbps para un ancho de banda de hasta 160 GB/s por módulo. El estándar GDDR7 tendrá una velocidad base de 32 Gbps, entregando 128 GB/s de ancho de banda por módulo, por lo que esperamos un aumento del 25 % en términos de ancho de banda con futuras variaciones de GDDR7. Samsung también está corriendo hacia la producción de DRAM GDDR7 y la compañía también mostró sus módulos de memoria en GTC, aunque en versiones de 16 Gb y 32 Gbps. La compañía también ha revelado módulos con velocidades de pin de hasta 37 Gbps.

Además, la memoria estará disponible en una variedad de capacidades, ahora se enumeran hasta 24 Gb y la línea base se establece en 16 Gb. Con módulos de 16 Gb, obtienes 2 GB de capacidad de VRAM y con 24 Gb, obtienes 3 GB de capacidad de VRAM. Pero ya hemos informado las especificaciones publicadas por JEDEC y confirman que GDDR7 llegará a velocidades de 48 Gbps y densidades de 64 Gb (8 GB de capacidad de VRAM). Esto marcará un enorme aumento en las capacidades de memoria de video con una interfaz estándar de 256 bits que ofrece 64 GB de capacidad.

A modo de comparación, el máximo actual que puede alcanzar con una interfaz de bus de 256 bits es 16 GB utilizando módulos DRAM de 16 Gb. Los módulos DRAM de 24 Gb lo aumentan hasta 24 GB. Pero una vez más, estas son velocidades y capacidades que no deberíamos esperar desde el principio. Es posible que dichas especificaciones solo estén disponibles después de 2026-2027, que es dentro de años. Lo siguiente es lo que podemos esperar de la primera generación de productos de memoria con tecnología GDDR7:

• 512 bits / 28 Gbps / 32 GB (memoria máxima) / 1792 GB/s (ancho de banda máximo)
• 384 bits / 28 Gbps / 24 GB (memoria máxima) / 1344 GB/s (ancho de banda máximo)
• 256 bits / 28 Gbps / 16 GB (memoria máxima) / 896,0 GB/s (ancho de banda máximo)
• 192 bits / 28 Gbps / 12 GB (memoria máxima) / 672,0 GB/s (ancho de banda máximo)
• 128 bits / 28 Gbps / 8 GB (memoria máxima) / 448,0 GB/s (ancho de banda máximo)

Y lo siguiente es lo que podemos esperar de los productos DRAM GDDR7 de 40 Gbps y 24 Gb de SK hynix cuando estén disponibles:

• 512 bits / 40 Gbps / 48 GB (memoria máxima) / 2560 GB/s (ancho de banda máximo)
• 384 bits / 40 Gbps / 36 GB (memoria máxima) / 1920 GB/s (ancho de banda máximo)
• 256 bits / 40 Gbps / 24 GB (memoria máxima) / 1280 GB/s (ancho de banda máximo)
• 192 bits / 40 Gbps / 18 GB (memoria máxima) / 960,0 GB/s (ancho de banda máximo)
• 128 bits / 40 Gbps / 12 GB (memoria máxima) / 640,0 GB/s (ancho de banda máximo)

Además de los módulos de memoria GDDR7, SK hynix también muestra sus DIMM DDR5 MCR que ofrecen hasta 64 GB de capacidad por módulo a velocidades de hasta 8800 MT/s y con un voltaje de 1,1 V. En los próximos años aparecerán muchos productos innovadores en el segmento de memoria y DRAM, por lo que será mejor que estés atento a medida que llegue más información.

Evolución de la memoria gráfica GDDR:

MEMORIA DE GRÁFICOS	GDDR7	GDDR6X	GDDR6	GDDR5X
Carga de trabajo	Juegos / IA	Juegos / IA	Juegos / IA	Juego de azar
Plataforma (Ejemplo)	¿GeForce RTX 5090?	GeForce RTX 4090	GeForce RTX 2080Ti	GeForce GTX 1080Ti
Capacidad de matriz (Gb)	16-64	8-32	8-32	8-16
Número de ubicaciones	12?	12	12	12
Gb/s/pin	32-37	19-24	14-16	11.4
GB/s/ubicación	128-144	76-96	56-64	45
GB/s/sistema	1536-1728	912-1152	672-768	547
Configuración (Ejemplo)	¿384 IO (paquete de 12 piezas x 32 IO)?	384 IO (paquete de 12 piezas x 32 IO)	384 IO (paquete de 12 piezas x 32 IO)	384 IO (paquete de 12 piezas x 32 IO)
Búfer de trama del sistema típico	¿24 GB?	24GB	12GB	12GB
Paquete de módulos	266 (BGA)	180 (BGA)	180 (BGA)	190 (BGA)
Potencia promedio del dispositivo (pJ/bit)	Por determinar	7.25	7.5	8.0
Canal IO típico	Placa de circuito impreso (P2P SM)	Placa de circuito impreso (P2P SM)	Placa de circuito impreso (P2P SM)	Placa de circuito impreso (P2P SM)

Fuente de noticias: HardwareLuxx