SK hynix ha anunciado su asociación con TSMC para el desarrollo de tecnologías de empaquetado y memoria HBM4 de próxima generación, como CoWoS 2.

SK hynix entra en la carrera de la memoria HBM4: se asocia con TSMC para innovaciones en embalaje y memoria de próxima generación

El anuncio de SK hynix se produce apenas un día después de que Samsung anunciara que había iniciado su propio desarrollo de memoria HBM4 y que se lanzaría en 2025. En ese sentido, la compañía estará lista con HBM4 para 2026 para el lanzamiento oficial en volumen y podemos esperar También presentan algunas velocidades extravagantes con mayores capacidades de memoria logradas mediante el uso de pilas de 16 Hi. SK Hynix también está trabajando con TSMC para acelerar las innovaciones de empaquetado de próxima generación, como CoWoS 2, que desempeñará un papel principal en el desarrollo de aceleradores de GPU e IA de próxima generación de NVIDIA, AMD e Intel.

Presione soltar: SK hynix Inc. (o “la empresa”, www.skhynix.com) anunció hoy que recientemente firmó un memorando de entendimiento con TSMC para colaborar para producir HBM de próxima generación y mejorar la lógica y la integración de HBM a través de tecnología de embalaje avanzada. La compañía planea continuar con el desarrollo de HBM4, o la sexta generación de la familia HBM, cuya producción en masa está prevista para 2026, a través de esta iniciativa.

SK hynix dijo que la colaboración entre el líder mundial en el espacio de memoria de IA y TSMC, una de las principales fundiciones de lógica a nivel mundial, conducirá a más innovaciones en la tecnología de HBM. También se espera que la colaboración permita avances en el rendimiento de la memoria a través de la colaboración trilateral entre el diseño de productos, la fundición y los proveedores de memoria.

• SK hynix y TSMC firman un memorando de entendimiento para colaborar en el desarrollo de HBM4 y la tecnología de envasado de próxima generación
• SK hynix adoptará el proceso de fundición de vanguardia de TSMC para mejorar el rendimiento del HBM4
• Colaboración trilateral Diseño de producto-Fundición-Memoria para romper los límites de rendimiento de la memoria para aplicaciones de IA

Las dos empresas se centrarán primero en mejorar el rendimiento del troquel base que está montado en la parte inferior del paquete HBM. HBM se fabrica apilando un núcleo DRAM encima de un núcleo base que cuenta con tecnología TSV y conectando verticalmente un número fijo de capas en la pila DRAM al núcleo con TSV en un paquete HBM. El troquel base situado en la parte inferior está conectado a la GPU, que controla el HBM.

«Esperamos que una asociación sólida con TSMC ayude a acelerar nuestros esfuerzos para lograr una colaboración abierta con nuestros clientes y desarrollar el HBM4 con mejor rendimiento de la industria», dijo Justin Kim, presidente y director de AI Infra de SK hynix. «Con esta cooperación en marcha, fortaleceremos aún más nuestro liderazgo en el mercado como proveedor total de memoria de IA al reforzar la competitividad en el espacio de la plataforma de memoria personalizada».

“TSMC y SK hynix ya han establecido una sólida asociación a lo largo de los años. Hemos trabajado juntos para integrar la lógica más avanzada y la última tecnología de HBM para proporcionar las soluciones de inteligencia artificial líderes en el mundo”, afirmó el Dr. Kevin Zhang, vicepresidente senior de la Oficina de Desarrollo Comercial y Operaciones en el Extranjero de TSMC y vicepresidente adjunto. Director de Operaciones. «De cara al HBM4 de próxima generación, confiamos en que continuaremos trabajando estrechamente para ofrecer las soluciones mejor integradas para desbloquear nuevas innovaciones en IA para nuestros clientes comunes».

SK hynix

SK hynix ha utilizado una tecnología patentada para fabricar matrices base hasta HBM3E, pero planea adoptar el proceso lógico avanzado de TSMC para la matriz base HBM4 para poder incluir funciones adicionales en un espacio limitado. Esto también ayuda a SK hynix a producir HBM personalizado que satisfaga una amplia gama de demandas de rendimiento y eficiencia energética de los clientes.

SK hynix y TSMC también acordaron colaborar para optimizar la integración de HBM y CoWoS de TSMC² tecnología, al mismo tiempo que cooperamos para responder a las solicitudes comunes de los clientes relacionadas con HBM.

Según se informa, JEDEC ha brindado relajación a los participantes de la memoria HBM4, lo que podría permitir un desarrollo más eficiente para diseños de 16 Hi.

JEDEC facilita los umbrales de espesor de HBM4 para fabricantes como Samsung, SK Hynix y Micron, eliminando la necesidad de tecnología de unión híbrida para pilas de 16 Hi

HBM4 es el próximo gran avance en el segmento de memorias, y todas las empresas participan en el desarrollo del tipo de memoria de manera más efectiva, ya que en última instancia marcaría el rumbo hacia el éxito en los mercados de próxima generación.

Para ayudar a los fabricantes, ZDNet Korea informa que JEDEC ha decidido reducir el espesor del paquete de HBM4 a 775 micrómetros para pilas HBM4 de 12 y 16 capas, en medio de las complejidades que implica un mayor nivel de espesor, junto con la demanda altamente anticipada asociada. con el proceso.

Además, anteriormente se decía que los fabricantes empleaban unión híbrida con el proceso, una tecnología de envasado más nueva, para reducir el grosor del paquete, ya que utiliza unión directa con el chip y la oblea integrados.

Sin embargo, dado que la memoria HBM4 será una nueva tecnología, se espera que el empleo de enlaces híbridos dé como resultado un aumento general en los precios, lo que significa que los productos de próxima generación serán mucho más caros, pero el uso de enlaces híbridos no es seguro. sin embargo, los fabricantes de HBM probablemente aprovecharían la «relajación» proporcionada por JEDEC.

En cuanto a cuándo podríamos ver el debut de los productos basados ​​en HBM4, SK hynix tiene planes de producirlo en masa para 2026, y se espera que las muestras iniciales presenten capacidades de hasta 36 GB por pila. Se sabe que HBM4 revolucionará los mercados de la IA en lo que respecta al rendimiento informático, ya que el tipo de memoria empleará configuraciones de matrices integradas «revolucionarias» combinando lógica y semiconductores en un solo paquete. Debido a que TSMC y SK hynix han creado recientemente una alianza, se espera que los mercados de HBM y semiconductores avancen en un entorno de colaboración.

Fuente de noticias: ZDNet Corea

Se informa que TSMC y SK hynix están formando una alianza de inteligencia artificial para avanzar juntos hacia el futuro, lo que se acelerará con el desarrollo de HBM4 para las GPU de próxima generación de NVIDIA y AMD.

TSMC y SK hynix supuestamente ven a Samsung Electronics como una amenaza para su presencia en el mercado y acelerarán el HBM4, que se utilizará por primera vez en las GPU NVIDIA de próxima generación

En este momento, la industria de la IA está evolucionando dinámicamente y, en lo que respecta al aspecto financiero, las cifras de ingresos que estamos viendo en este momento han atraído a todas las principales empresas de tecnología que se puedan imaginar. TSMC y SK hynix son dos actores importantes en el suministro de los fundamentos que requiere la industria: uno lidera las listas de semiconductores y el otro lidera el suministro de HBM. Se informa que ambas empresas han formado una alianza «progresista» con el objetivo de desarrollar conjuntamente productos de próxima generación, lo que en última instancia las llevará a ser el centro de atención en los mercados.

El informe de Pulse News revela que la nueva alianza, denominada «One Team», entró en vigor para frustrar la competencia de la industria mediante el desarrollo de nuevos productos antes que otros. Esta vez el enfoque principal sería trabajar en la próxima generación de memorias HBM, la vanguardista HBM4, que tiene un enorme potencial cuando se trata de revolucionar las capacidades informáticas del segmento de IA y se espera que impulse la IA de NVIDIA de próxima generación. GPU. La inclusión de TSMC aquí podría catalizar la influencia del gigante surcoreano en los mercados ya que la firma es experta en captar la atención de los clientes.

También se dice que la alianza es para combatir la creciente influencia de Samsung Electronics en los mercados, ya que Samsung está en una posición en la que tiene instalaciones tanto de semiconductores como de memoria, razón por la cual la empresa ha sido favorecida por las empresas involucradas en la carrera de la IA desde reduce las complejidades de la cadena de suministro. Ahora que TSMC y SK hynix operan como una sola unidad, las cosas serían mucho más competitivas e interesantes.

El desarrollo de HBM4 se acelerará para impulsar las GPU de próxima generación de NVIDIA y AMD. Se espera que NVIDIA utilice HBM3E en sus próximas GPU H200 y B100, pero podemos ver una variante futura de Blackwell y los chips Vera Rubin de próxima generación para aprovechar todo el potencial de los nuevos estándares de HBM.

La competitividad en los mercados es lo que impulsa la innovación, y la alianza «One Team» sin duda acelerará las cosas. Será interesante ver cómo responde el lado «fuente» de las cosas a la unión de dos grandes empresas, pero podríamos ver alianzas similares formándose y avanzando.

Fuente de noticias: Diario Económico de Taiwán

SK hynix ha anunciado la producción en masa de la memoria HBM4 de próxima generación, que se espera que comience en 2026.

SK hynix se une a empresas como Samsung y Micron en la carrera HBM4, apuntando a un cronograma de producción en masa similar

Hasta ahora, hemos visto a Micron y Samsung enumerar sus productos de memoria HBM4 de próxima generación y confirmar el desarrollo. Estas dos empresas han destacado un plazo de lanzamiento de alrededor de 2025-2026, y parece que SK hynix también se ha unido al juego. Con el rápido aumento en la adopción de la IA en los mercados, existe una demanda de mayor potencia informática a medida que avanzamos hacia el futuro, y es importante señalar que HBM ha desempeñado un papel vital en cómo la informática de IA se ha posicionado en el mercado. Hoy en día, ya que es un componente crucial en la fabricación de aceleradores de IA.

Durante un discurso de apertura en SEMICON Korea 2024, el vicepresidente de SK hynix, Kim Chun-hwan, reveló la intención de la empresa de iniciar la producción en masa de HBM4 para 2026, afirmando que impulsaría un inmenso crecimiento en los mercados de IA. Cree que, aparte de la transición a la próxima generación, es importante darse cuenta de que la industria de HBM se enfrenta a una inmensa demanda; por lo tanto, es mucho más importante crear una solución que tenga un suministro fluido y sea innovadora. Kim cree que se espera que el mercado de HBM crezca hasta un 40% para 2025 y se ha posicionado desde el principio para aprovecharlo al máximo.

En términos de qué esperar con HBM4, una hoja de ruta compartida por Trendforce espera que las primeras muestras de HBM4 presenten hasta 36 GB de capacidad por pila, y se espera que JEDEC publique la especificación completa alrededor del segundo semestre de 2024-2025. . Se espera que el primer muestreo y disponibilidad del cliente esté disponible para 2026, por lo que todavía queda mucho tiempo antes de que podamos ver en acción las nuevas soluciones de inteligencia artificial con memoria de gran ancho de banda. No está claro qué tipo de productos de IA emplearán el nuevo proceso; por lo tanto, no podemos hacer ninguna predicción por ahora.

Con SK hynix subiendo al ring, parece que los mercados de HBM se volverán mucho más competitivos en el futuro, y será interesante ver qué empresa emerge para tomar el trono.

SK hynix ha confirmado en una publicación de blog que el desarrollo de su memoria de gran ancho de banda HBM4 de próxima generación comenzará en 2024.

SK hynix comenzará el desarrollo de la memoria de alto ancho de banda HBM4 de próxima generación en 2024, para impulsar la próxima era de los centros de datos y la inteligencia artificial

Hasta ahora, hemos visto a Micron y Samsung enumerar sus productos de memoria HBM4 de próxima generación y al mismo tiempo confirmar el desarrollo. Estas dos empresas han destacado un plazo de lanzamiento de alrededor de 2025-2026. Según la última confirmación de SK hynix, la compañía también reveló que planea comenzar la producción de la próxima generación de memoria de gran ancho de banda en 2024.

Hablando de sus productos HBM, el director senior Kim Wang-soo destacó que la empresa producirá en masa su propia solución HBM3E, una variante mejorada de la memoria HBM3 existente, en 2024. La nueva memoria ofrecerá mayores velocidades y capacidades. Pero ese mismo año, SK hynix también planea iniciar el desarrollo de su memoria HBM4, lo que marcará un paso importante en la evolución continua de la gama de productos HBM.

La ventaja competitiva continuará el próximo año. El líder del equipo GSM, Kim Wang-soo, dijo: «Con la producción y venta en masa de HBM3E previstas para el próximo año, nuestro dominio del mercado se maximizará una vez más». Y añadió: “Dado que también está previsto que comience en serio el desarrollo de HBM4, el producto siguiente, HBM de SK Hynix entrará en una nueva fase el próximo año. “Será un año en el que celebraremos”, dijo.

a través de SK Hynix

Ahora que el desarrollo está planificado para 2024, podemos esperar que los productos reales que utilizan dichas matrices de memoria estén disponibles a fines de 2025 o 2026. Una hoja de ruta reciente compartida por Trendforce espera que las primeras muestras de HBM4 presenten capacidades de hasta 36 GB por pila y se espera que JEDEC publique las especificaciones completas alrededor del segundo semestre de 2024-2025. Se espera que el primer muestreo y disponibilidad del cliente esté disponible para 2026, por lo que todavía queda mucho tiempo antes de que podamos ver las nuevas soluciones de memoria de gran ancho de banda en acción.

Con pilas de 36 GB, puede obtener hasta 288 GB de capacidad y hay planeada una capacidad aún mayor. La memoria HBM3E ya alcanza un máximo de 9,8 Gbps, por lo que podemos esperar que HBM4 sea el primero en romper la barrera de dos dígitos de más de 10 Gbps. En cuanto a los productos, se espera que Blackwell de NVIDIA utilice módulos de memoria HBM3E, por lo que será el sucesor de Blackwell (posiblemente con el nombre en código de Vera Rubin) o una versión mejorada de ese como Hopper H200 (HBM3E) para ser el primero en utilizar el HBM4.

Hoja de ruta del centro de datos NVIDIA/GPU AI

Parece que la industria de HBM se ha centrado en NVIDIA, ya que TrendForce estima un mercado donde los pedidos de IA de NVIDIA dominan el suministro de HBM actual y de próxima generación.

NVIDIA planea dominar los mercados de IA mediante el uso de memoria HBM de próxima generación, los proveedores comienzan a girar en torno al equipo verde

Según una investigación de mercado, NVIDIA está lista para ceder una buena parte de sus pedidos de HBM al gigante coreano Samsung, ya que ambas compañías comienzan a construir vínculos comerciales que podrían resultar vitales para la industria de la inteligencia artificial.

En septiembre se informó que Samsung había logrado ganarse la confianza del Equipo Verde al pasar múltiples controles de calificación para sus productos HBM y TrendForce ahora revela que Samsung podría completar el proceso en diciembre, con pedidos que comenzarán a llegar a principios del próximo. año. Samsung podría ser potencialmente responsable de cuidar las GPU de IA de la generación actual, como las altamente exigentes H100 y A100.

Además de HBM3, la adopción del estándar HBM3e de próxima generación también está en camino, ya que fuentes de la industria citan que proveedores como Micron, SK Hynix y Samsung ya han iniciado el proceso de muestreo de HBM3e, y se dice que un factor decisivo El resultado podría llegar en 2024. Para resumir un poco, se espera el debut de HBM3e en las GPU Blackwell AI de NVIDIA, que se rumorea que se lanzarán en el segundo trimestre de 2024 y, en términos de rendimiento, traerá mejoras decisivas. por vatio, mediante la adopción de un diseño de chiplet.

Pasando a lo interesante, NVIDIA tiene mucho planeado para sus clientes en 2024, ya que la compañía ya anunció la GPU H200 Hopper, que se espera que tenga una adopción masiva el próximo año, seguida de la introducción de la B100 «Blackwell». GPU AI, las cuales se basarán en la tecnología de memoria HBM3e.

Además de la ruta convencional, también se rumorea que NVIDIA presentará CPU basadas en ARM para el segmento de IA, lo que creará diversificación en los mercados, además de aumentar la competencia. También se espera que Intel y AMD presenten sus respectivas soluciones de IA, entre las que destacan las GPU AMD Instinct de próxima generación y los aceleradores de IA Gaudi de Intel, con memoria HBM3e.

Finalmente, TrendForce ofrece un resumen de lo que podemos esperar con HBM4, especialmente por el hecho de que el próximo estándar de memoria vendrá con una renovación completa en términos de configuraciones de matrices integradas, ya que se rumorea que la matriz lógica base contará con una tecnología de 12 nm. procesará obleas por primera vez y actuará como impulsor detrás de la DRAM/GPU empaquetada en 3D, estableciendo un entorno de colaboración entre fundiciones y proveedores de memoria. Se espera que HBM4 marque la transición a la próxima generación en términos de potencia informática y podría ser la clave para futuros avances en la industria de la IA.

Fuente de noticias: TrendForce

Hemos oído hablar de la memoria HBM4 varias veces en los últimos meses, y esta semana Samsung reveló que espera que HBM4 se introduzca en 2025. La nueva memoria contará con una interfaz de 2048 bits por pila, el doble de ancha que la de 1024 bits de la HBM3. poco.

«De cara al futuro, se espera que HBM4 se introduzca en 2025 con tecnologías optimizadas para altas propiedades térmicas en desarrollo, como el ensamblaje de película no conductora (NCF) y la unión híbrida de cobre (HCB)», SangJoon Hwang, vicepresidente ejecutivo y director de productos DRAM. y equipo de tecnología de Samsung Electronics, escribió en una publicación del blog de la empresa.

Aunque Samsung espera que HBM4 se introduzca en 2025, su producción probablemente comenzará en 2025-2026, ya que la industria deberá prepararse bastante para esta tecnología. Mientras tanto, Samsung ofrecerá a sus clientes sus pilas de memoria HBM3E con una velocidad de transferencia de datos de 9,8 GT/s que ofrecerá un ancho de banda de 1,25 TB/s por pila.

A principios de este año, Micron reveló que la memoria ‘HBMNext’ surgiría alrededor de 2026, proporcionando capacidades por pila de entre 32 GB y 64 GB y un ancho de banda máximo de 2 TB/s por pila o más, un marcado aumento con respecto a los 1,2 TB/s por pila de HBM3E. . Para construir una pila de 64 GB, se necesitará una pila de 16 Hola con dispositivos de memoria de 32 GB. Aunque los stacks 16-Hi son compatibles incluso con la especificación HBM3, nadie ha anunciado este tipo de productos hasta ahora y parece que estos stacks tan densos sólo llegarán al mercado con HBM4.

Para producir pilas de memoria HBM4, incluidas pilas de 16 Hi, Samsung necesitará pulir un par de nuevas tecnologías mencionadas por SangJoon Hwang. Una de estas tecnologías se llama NCF (película no conductora) y es una capa de polímero que protege los TSV en sus puntos de soldadura del aislamiento y los golpes mecánicos. Otra es HCB (unión de cobre híbrida), que es una tecnología de unión que utiliza un conductor de cobre y una película aislante de óxido en lugar de soldadura convencional para minimizar la distancia entre dispositivos DRAM y permitir los golpes más pequeños necesarios para una interfaz de 2048 bits.