El Kirin 9000S permitió a Huawei recuperar su mercado perdido en China, protagonizando un regreso que está poniendo nerviosos a rivales como Apple y probablemente frustrando a la administración Biden, ya que sus continuos esfuerzos por sofocar la competencia en el extranjero han sido infructuosos. Sin embargo, a medida que Huawei avanza hacia la producción en masa de conjuntos de chips avanzados para teléfonos inteligentes y PC, tendrá que quitar recursos de producción de todas las variantes de Kirin 9000, como mencionó un informante.

Huawei también se está centrando en su plataforma interna HarmonyOS Next, que debería optimizarse para sus conjuntos de chips Kirin de próxima generación.

Huawei no se centra solo en los teléfonos inteligentes y las tabletas, ya que rumores anteriores afirman que el antiguo gigante chino está apuntando a la participación de mercado de Apple en la categoría de PC ARM y amenazando al Snapdragon X Elite de Qualcomm incluso antes de que aparezca en la primera generación de máquinas. . Con la ayuda del socio fundador de Huawei, SMIC, su objetivo será lanzar conjuntos de chips de próxima generación, que serán tecnológicamente inferiores en comparación con los que producen TSMC y Samsung, pero mejores que las iteraciones anteriores.

Según el informante Digital Chat Station, al reducir el suministro de todas las versiones de Kirin 9000, sus precios también se han reducido. Suponiendo que Huawei quiera apuntar al segmento básico o de gama media en China, puede reintroducir el Kirin 9000S o el Kirin 9000W en productos más asequibles. Dado que las variantes Kirin 9000 poco a poco van perdiendo prioridad, Huawei puede centrarse en dos áreas: su primer chipset de 5 nm y el próximo ‘Chip Kirin PC’.

Un informe anterior indicó que SMIC ha desarrollado con éxito el proceso de 5 nm en la maquinaria DUV más antigua, y que la producción en masa de obleas posiblemente comience a finales de este año. Se rumorea que Huawei llamará a su primer chipset de 5 nm Kirin 9100, y se espera que impulse la serie Mate 70 de la compañía en octubre. Además, el ‘Chip Kirin PC’ podría anunciarse a finales de mayo o junio, y se rumorea que su rendimiento multinúcleo está casi a la par con el M3 de Apple. Si bien el desarrollo de chips y el hardware son dos aspectos de las aspiraciones de Huawei, el software es otro.

La compañía tiene la intención de cortar por completo su dependencia del sistema operativo Android de Google mediante la introducción de HarmonyOS Next, una nueva plataforma que se ha desarrollado internamente y que se dice que se ejecutará en la familia Mate 70 y en futuras PC. Para lograr este objetivo, su socio fundidor SMIC tendrá que liberar recursos, lo que significa que se producirán menos unidades Kirin 9000. Sin embargo, ni Huawei ni nadie más puede olvidar el impacto que tuvieron estos conjuntos de chips, y probablemente se hayan labrado un lugar permanente en la historia de los semiconductores.

Fuente de noticias: Estación de chat digital

Se espera que Google presente el Tensor G4 a finales de este año para la línea Pixel 9 y, al igual que sus lanzamientos anteriores, es probable que la compañía siga con Samsung como su socio fundador. Sin embargo, el año que viene, se dice que el gigante de la publicidad tomará una dirección diferente, y su gama Pixel 10 aparentemente contará con un SoC de 3 nm de TSMC. Para ayudar con la transición, se rumorea que Google ha ampliado su centro de I+D en Taiwán, donde se espera que colabore estrechamente con el gigante de los semiconductores para producir su mejor silicio hasta la fecha.

Lo más probable es que Tensor G5 sea el chipset que alimente las entrañas del Pixel 10; Los primeros rumores afirmaban que se utilizaría el proceso de 3 nm de segunda generación de TSMC.

El Tensor G3 demuestra que Google está muy por detrás de su competencia, y un cambio de Samsung a TSMC puede ayudar, permitiendo a la familia Pixel 10 mostrar sus capacidades en igualdad de condiciones. Para acelerar el proceso de introducción de su primer chipset de 3 nm, que podría llamarse Tensor G5, @Revegnus1 publicó una publicación que dice que Google ha ampliado sus instalaciones de I+D con sede en Taiwán. Se dice que la empresa de Mountain View está contratando talentos locales en semiconductores, lo que probablemente impulse sus esfuerzos internos en materia de silicio.

Si bien no se menciona el nombre exacto del chipset, el rumor afirma que los modelos Pixel 10 contarán con un SoC de 3 nm, lo que sugiere que se trata del Tensor G5. Anteriormente, informamos sobre un rumor separado, discutiendo que Google aprovecharía el proceso ‘N3E’ de 3 nm de TSMC para su conjunto de chips de última generación. Para aquellos que no lo saben, el nodo ‘N3E’ también se conoce como la tecnología de 3 nm de segunda generación de TSMC y es el mismo que se usa para el M4 de Apple que impulsa la última familia de modelos de iPad Pro.

Desde la serie Pixel 10 que se lanzará en 2025, Google producirá AP en el proceso de 3 nm de TSMC en Taiwán.

Google amplió recientemente su centro de I+D en Taiwán y está contratando activamente ingenieros de semiconductores locales, teniendo en mente la cooperación con TSMC.

– J. Reve (@Revegnus1) 14 de mayo de 2024

Ampliar su presencia en Taiwán probablemente le daría a Google una oportunidad de colaboración directa con TSMC, y el talento de ingeniería de este último posiblemente se dedicaría a optimizar el rendimiento y la eficiencia energética del Tensor G5. Sin embargo, Qualcomm y MediaTek también están preparando sus lanzamientos Snapdragon 8 Gen 4 y Dimensity 9400 para finales de este año, y se dice que ambos SoC se producirán en masa en el nodo ‘N3E’ de 3 nm de TSMC. Esto dejaría a la serie Pixel 10 de Google toda una generación por detrás de sus rivales, por lo que los nuevos teléfonos tendrían que atraer a las masas en otras áreas.

Estas áreas pueden incluir una funcionalidad mejorada de IA en el dispositivo o una destreza superior en captura de imágenes y videos. Lamentablemente, actualmente desconocemos estos detalles, pero pronto informaremos a nuestros lectores sobre el progreso de Google.

Fuente de noticias: @Revegnus1

Se espera que el Snapdragon 8 Gen 4 se anuncie en octubre de este año, pero con algunas modificaciones, ya que un rumor anterior afirmaba que Qualcomm ajustará su frecuencia para llegar a 4,26 GHz, posiblemente para obtener una ventaja frente a Apple y sus próximos chipsets A18. Sin embargo, según una discusión reciente, parece que estos cambios solo se están realizando para que Qualcomm pueda tener una ventaja sobre su rival en Geekbench, con un beneficio potencial de poco o ningún beneficio en aplicaciones del mundo real.

Geekbench emite una pausa significativa entre cada carga de trabajo para minimizar la aceleración; Las velocidades de reloj aumentadas del Snapdragon 8 Gen 4 podrían aprovechar la naturaleza del punto de referencia

Si observamos el M4 de Apple, su velocidad de reloj máxima de 4,40 GHz en los núcleos de rendimiento le permitió alcanzar un nuevo récord mundial en los resultados de un solo núcleo de Geekbench 6. Esto significa la propensión de la suite de evaluación comparativa a publicar una puntuación más alta si se aumenta la frecuencia del procesador o chipset. Si se supone que el Snapdragon 8 Gen 4 no puede mantener sus velocidades de reloj de 4,26 GHz durante mucho tiempo, probablemente sea correcto, pero Geekbench nunca fue diseñado para probar cargas de trabajo sostenidas.

De hecho, según un interesante hallazgo publicado por INIYSA en X, Geekbench tiene un largo descanso de 5 segundos antes de pasar a la siguiente carga de trabajo, ya que esto ayuda a minimizar la aceleración en el procesador o el chipset. La naturaleza misma de Geekbench 6 debería permitir que el Snapdragon 8 Gen 4 funcione a su máxima capacidad, lo que probablemente se traduzca en una mejor puntuación de un solo núcleo y de varios núcleos. Desafortunadamente, es posible que no se repitan los mismos resultados cuando el Snapdragon 8 Gen 4 se estresa durante períodos más prolongados.

Parece que el objetivo principal de Qualcomm es tener derecho a presumir sobre Apple en Geekbench. El mercado de chipsets de San Diego intentó esto anteriormente cuando afirmó que su Snapdragon X Elite es hasta un 21 por ciento más rápido que el M3 de Apple en resultados multinúcleo. La compañía convenientemente omitió el rendimiento de un solo núcleo, ya que Apple aún no ha sido destronada en esta categoría. Si es o no la decisión correcta es algo que descubriremos en los próximos meses. Además, solo podemos comentar sobre los beneficios en el mundo real de aumentar la frecuencia del Snapdragon 8 Gen 4 a 4,26 GHz cuando se obtengan los resultados de las pruebas adecuados, así que estad atentos.

Anteriormente se dijo que el diseño del Snapdragon 8 Gen 4 estaría finalizado en abril de este año, con una frecuencia objetivo de 4,00 GHz y superior. Sin embargo, si observamos el M4 de Apple y sus altas velocidades de reloj que ayudan al conjunto de chips a alcanzar una puntuación récord en un solo núcleo, se rumorea que Qualcomm introducirá un rediseño del conjunto de chips con una nueva frecuencia objetivo de 4,26 GHz. Se dice que este cambio se realizó para enfrentar los próximos A18 y A18 Pro de Apple, que también pueden operar a frecuencias más altas para obtener una ventaja frente a la competencia.

La frecuencia objetivo para el Snapdragon 8 Gen 4 podría alcanzarse gracias al proceso ‘N3E’ de 3 nm de TSMC, pero la rumoreada falta de soporte de la arquitectura ARMv9 podría dejar el rendimiento sobre la mesa

Dado que se espera que el Snapdragon 8 Gen 4 se anuncie en octubre, Qualcomm tiene varios meses antes de que su rediseño se envíe a sus socios telefónicos. La presentación del M4 por parte de Apple probablemente tomó por sorpresa a la compañía de San Diego, con @ jasonwill101 publicando el rumor en X, afirmando que el próximo SoC será modificado. Con su frecuencia objetivo de 4,26 GHz, el Snapdragon 8 Gen 4 podría recibir un fuerte impulso en el rendimiento de un solo núcleo, y con su rumoreado grupo de CPU ‘2 + 6’ ejecutándose al unísono, también deberíamos presenciar algunos resultados impresionantes de múltiples núcleos.

Dado que el M4 se produce en masa con el proceso de 3 nm de segunda generación de TSMC, lo más probable es que Apple aproveche esta tecnología para el A18 y el A18 Pro, dándoles los mismos atributos de rendimiento que los modelos iPad Pro de 11 y 13 pulgadas recientemente anunciados. También se dice que Qualcomm producirá en masa su Snapdragon 8 Gen 4 en el mismo nodo, por lo que debería ser un giro de acontecimientos emocionante en lo que respecta a las comparaciones de referencia. Sin embargo, se dice que el próximo conjunto de chips para teléfonos inteligentes se basa en el Snapdragon X Elite, que no es compatible con el conjunto de instrucciones ARMv9.

Nuvia de Qualcomm está regresando y es posible que se finalice un rediseño en junio, con una frecuencia objetivo de 4,26 GHz, apuntando al chip Apple A18.#qualcomm

-jasonwill (@jasonwill101) 11 de mayo de 2024

En resumen, el Snapdragon 8 Gen 4 no tendrá Scalable Matrix Extension (SME), que permite a chips como el M4 ejecutar cargas de trabajo complejas de manera más eficiente y es también una de las razones por las que logró una puntuación alta de un solo núcleo y de varios núcleos. en Geekbench 6. A pesar de sus capacidades, el último y mejor silicio de Qualcomm para teléfonos inteligentes puede dejar el rendimiento sobre la mesa debido a la falta de SME, por lo que se podría pretender una nueva frecuencia objetivo de 4,26 GHz para cerrar la brecha de rendimiento.

Sin embargo, dependerá de los fabricantes de teléfonos incorporar cámaras de vapor más grandes para permitir que el Snapdragon 8 Gen 4 funcione a su máximo rendimiento durante períodos prolongados, o de lo contrario, todo ese esfuerzo se esfumará. Con suerte, descubriremos más en los próximos meses, así que estad atentos.

Fuente de noticias: @jasonwill101

Según se informa, Huawei presentará su primer chipset de 5 nm para la serie insignia Mate 70 en octubre de este año, pero rumores anteriores no divulgaron el nombre oficial del silicio. Afortunadamente, pasó poco tiempo y llegó nueva información, afirmando que el SoC se llamaría Kirin 9100 y obtuvo una puntuación de 1,1 millones en AnTuTu como parte de su rendimiento inicial.

Anteriormente se dijo que Kirin 9100 igualaba el rendimiento del Snapdragon 8 Gen 1, pero no se especificó ningún punto de referencia en ese momento.

El rumor se originó en Weibo, con un individuo llamado @DirectorShiGuan afirmando en la red social de microblogging en el extranjero que el Kirin 9100 obtuvo una puntuación de 1,1 millones. La publicación fue detectada por Huawei Central, pero si se da cuenta, no se menciona el punto de referencia AnTuTu. Afortunadamente, esto es innecesario porque el único conjunto de pruebas que proporciona resultados en millones es AnTuTu.

Cuando revisamos las tablas de clasificación del sitio web de evaluación comparativa, descubrimos que la puntuación coincide con la que obtendría el Snapdragon 8 Gen 1 de Qualcomm cuando se ejecuta en varios teléfonos inteligentes basados ​​en Android. En comparación, el Kirin 9010 que impulsa la última serie Pura 70 de Huawei puede alcanzar una puntuación de 960.000 y 980.000, lo que hace que el Kirin 9100 sea entre un 12 y un 14 por ciento más rápido.

Dado que se dice que el próximo silicio se producirá en masa con el proceso de 5 nm de SMIC, deberíamos esperar una mejor eficiencia energética junto con ese ligero aumento en el rendimiento. Informamos que el Kirin 9100 sería tan rápido como el Snapdragon 8 Plus Gen 1, pero en lo que respecta a los resultados actuales, el próximo chipset de Huawei está un paso por debajo de eso.

Siempre fue difícil para Huawei alcanzar a sus competidores con la prohibición comercial vigente en EE. UU., e incluso con el lanzamiento del SoC de 5 nm, la compañía está un par de generaciones por detrás. Se espera que Qualcomm, MediaTek y Apple presenten sus productos de 3 nm a finales de este año, lo que significa que la brecha de rendimiento y eficiencia energética de Huawei podría ampliarse aún más.

El Exynos 2400 se presentó hace unos meses e impulsó varias versiones del Galaxy S24 y Galaxy S24 Plus. En contra de la tendencia en la que los lanzamientos anteriores de conjuntos de chips Exynos tenían un rendimiento inferior y perdían rendimiento debido a la limitación térmica, esta versión nos sorprendió porque siguió el ritmo del Snapdragon 8 Gen 3, Dimensity 9300 y el A17 Pro, aunque se quedó corto en algunas áreas. Ahora, se rumorea que Samsung seguirá un camino similar al de Qualcomm, donde presentará el Exynos 2400+ para el Galaxy S24 FE más adelante este año. Un informante afirma que el próximo SoC ofrecerá una mayor eficiencia energética y otras ventajas, como pronto descubrirá.

Exynos 2400+ también podría haber mejorado los rendimientos, reduciendo los costos de fabricación para Samsung al lanzar el Galaxy S24 FE

Kro no menciona mucho sobre X, pero afirma que el Exynos 2400+ será entre un 5 y un 10 por ciento más eficiente energéticamente, y Samsung mejorará el rendimiento de este conjunto de chips. También dice en su publicación que el silicio se comercializará con el nombre ‘Exynos 2400+’ con fines promocionales, pero Samsung también podría realizar esta campaña para ayudar a los consumidores a evitar la confusión entre el Exynos 2400 normal y el próximo. Con este pequeño pero crucial cambio de nombre, los compradores potenciales probablemente crean que están adquiriendo un mejor silicio que alimenta un teléfono inteligente más asequible, lo que lo convierte en una compra instantánea.

La publicación también afirma que los rendimientos del Exynos 2400+ de Samsung también mejorarán. Un mayor rendimiento significa que la fundición coreana puede producir más conjuntos de chips a partir de una sola oblea, lo que reduce el número total de obleas fabricadas y el costo general. Este proceso será absolutamente crítico para el Galaxy S24 FE, ya que este último se posicionará como un teléfono inteligente de «precio-rendimiento» que no lleva el sello de un precio de clase insignia. Al igual que el Exynos 2400 normal, Samsung podría utilizar su ‘Fan-out Wafer Level Packaging’ (FOWLP) para el Exynos 2400+, mejorando la resistencia al calor y aumentando el rendimiento de múltiples núcleos manteniendo las temperaturas bajas.

El Exynos 2400+ es un nuevo AP programado para su uso en el S24 FE, que presenta mejoras en la eficiencia energética y el rendimiento de alrededor del 5% al ​​10%. Se comercializará con el nombre de Exynos 2400+ con fines promocionales.

— kro (@kro_roe) 4 de mayo de 2024

Sin embargo, el Exynos 2400 tuvo un buen desempeño en la serie Galaxy S24 porque Samsung equipó cada uno de sus modelos con una cámara de vapor, por lo que suponiendo que la compañía incorpore el Galaxy S24 FE con la misma solución de enfriamiento, podríamos ver los mismos resultados en el Exynos 2400+. . Desafortunadamente, esta es toda la información que proporcionó el informante, y cuando sepamos más sobre los planes de Samsung, brindaremos actualizaciones oportunas en consecuencia.

Fuente de noticias: kro

Anteriormente se rumoreaba que Huawei estaba trabajando en un nuevo silicio al que solo se hacía referencia como ‘Chip Kirin PC’ y, si bien su nombre actual era muy poco atractivo, su rendimiento rumoreado era todo lo contrario, y se decía que su rendimiento multinúcleo se acercaba. al M3 de Apple. Predijimos que la empresa tardaría mucho en desarrollar este SoC, pero nos equivocamos en nuestra evaluación, al menos según un informante, que afirma que el chipset se lanzará en mayo o junio y se espera que se encuentre. en la nueva familia de portátiles Qingyun.

Los portátiles anteriores Qingyun L540 y Qingyun L420 presentaban el Kirin 9006C de baja potencia, pero Huawei podría regresar al espacio de los portátiles ARM con fuerza.

Suponiendo que las palabras del informante de Weibo, Fixed Focus Digital, se hagan realidad, el chip Kirin para PC podría materializarse tan pronto como este mes, aunque también podría producirse un lanzamiento en junio. Se dice que Huawei organizará un evento el 7 de mayo, que es la misma fecha que el evento ‘Let Loose’ de Apple, por lo que será interesante ver cómo el antiguo gigante chino intenta robar parte de esa atención con una serie de lanzamientos de productos. Una nueva gama de portátiles Qingyun podría ser parte de los anuncios, y con el nuevo Kirin PC Chip, Huawei podría revelar efectivamente al sucesor del Kirin 9006C.

Anteriormente se rumoreaba que el chip Kirin PC recibiría un aumento masivo de rendimiento porque Huawei confiaría en la arquitectura Taishan V130. También se hicieron otras afirmaciones, como que el rendimiento de la GPU del chipset es cercano al del Apple M2, y si alguno de estos rumores es legítimo, la diferencia entre el Kirin 9006C y el próximo será enorme. Según resultados anteriores de Geekbench 6, el Kirin 9006C obtuvo malos resultados de un solo núcleo y de múltiples núcleos, siendo el SoC menos capaz que el Snapdragon 8cx Gen 3 de Qualcomm en la misma prueba. En esta área, Huawei tiene mucho camino por recorrer.

El grupo de CPU del chip Kirin PC fue compartido por Huawei Central en el último informe, y se dice que el silicio presenta cuatro núcleos grandes Taishan, cuatro núcleos medios Taishan, dos núcleos NPU grandes y dos núcleos micro NPU, lo que lo convierte en un procesador capaz. configuración, al menos en papel. Sin embargo, su rendimiento y comparación con el Snapdragon X Elite y el M3 de Apple en pruebas públicas es otra historia que guardaremos para otro día.

Fuente de noticias: Focus Digital

Lo que necesitas saber

• Se han publicado varios resultados de Geekbench que confirman la existencia de un Surface Laptop con el SoC Snapdragon X Elite de Qualcomm.
• Los resultados de las pruebas comparativas sitúan al Surface Laptop 6 como competitivo con el MacBook Pro con M3.
• Se espera que Microsoft presente una Surface Laptop y una Surface Pro con tecnología Arm en un evento el 20 de mayo.

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Ha sido un secreto a voces durante algún tiempo, pero ahora está prácticamente confirmado que un Qualcomm Snapdragon X Elite SoC impulsará el próximo Surface Laptop 6 para consumidores. El nombre en clave de este dispositivo es OEMBR, que ahora apareció en Geekbench con 16 GB de RAM y lo que se sospecha que es el Snapdragon X Elite.

Como Windows más reciente Como bien señala, Microsoft está utilizando medidas antifugas para ocultar tantos detalles como sea posible sobre este dispositivo, como por ejemplo el nombre del SoC, que se ha disfrazado de Snapdragon 8cx Gen3. Pero sabemos que este dispositivo está sacudiendo el SoC Snapdragon X Elite de nivel medio a 4,01 GHz, y los resultados de las pruebas comparativas lo respaldan.

Se informa que Samsung seguirá con una estrategia de lanzamiento de doble chipset para su próxima serie Galaxy S25, donde algunas regiones ofrecerán el Snapdragon 8 Gen 4, otras venderán las variantes Exynos 2500. El Exynos 2400 brindó una serie de sorpresas ya que la compañía mejoró significativamente su SoC insignia de la generación actual. El próximo año, se espera que Samsung mejore las cosas y se rumorea que aprovechará su proceso de 3 nm de segunda generación para producir en masa el Exynos 2500. Este movimiento podría darle al SoC atributos de eficiencia energética que eclipsan al próximo Snapdragon 8 Gen 4 de Qualcomm.

Es posible diseñar y producir el Exynos 2500 en el proceso de 3 nm de Samsung, suponiendo que la empresa pueda solucionar su problema de rendimiento.

El rumor proviene de PandaFlash on X, quien anteriormente publicó que el Exynos 2500 supera al Snapdragon 8 Gen 3 tanto en la categoría de CPU como de GPU. Este rendimiento podría deberse a que Samsung probó el silicio en su proceso de 3 nm de segunda generación, lo que permite que el nuevo SoC funcione a velocidades de reloj más altas con el mismo nivel de consumo de energía. No nos sorprenderá saber que el Exynos 2500 utiliza el avanzado ‘Fan-out Wafer Level Packaging’ de Samsung, o FOWLP, ya que el Exynos 2400 ha adoptado la misma tecnología.

En pocas palabras, FOWLP aumenta la resistencia al calor y reduce el tamaño del paquete del chipset, lo que le permite funcionar a su máxima capacidad durante períodos más prolongados, lo que en última instancia contribuye a una puntuación multinúcleo más alta. Suponiendo que el rumor se confirme, vencer al Snapdragon 8 Gen 4 no es un paseo por el parque, pero hemos informado que el SoC insignia de Qualcomm está sufriendo problemas de consumo de energía, lo que obliga a los fabricantes de teléfonos a usar enormes baterías de 5500 mAh para compensar este problema.

En este sentido, Samsung puede haber encontrado una oportunidad para reforzar su reputación con la marca Exynos, pero sólo si puede abordar el problema de rendimiento de su proceso de 3 nm de segunda generación. Anteriormente, el brazo de fundición del gigante coreano enfrentaba un pobre rendimiento del 20 por ciento para el nodo de 3 nm, pero ha aumentado significativamente esa cifra a tres veces el número anterior, acercándose al progreso de TSMC pero aún rezagado por un margen considerable. Un rendimiento reducido significa que Samsung tendrá que gastar más para producir cada oblea de 3 nm, lo que aumentará el costo del Exynos 2500.

Afortunadamente, la empresa tiene varios meses para pasar a la fase de producción en masa y, para entonces, si puede aumentar esos rendimientos al 65 por ciento, estará en un rango aceptable. Sin embargo, debemos recordar a los lectores que esto es sólo otro rumor y que toda la información relacionada con el Exynos 2500 debe tratarse con una pizca de sal hasta que veamos algunos puntos de referencia reales.

Fuente de noticias: pandaflash

Huawei no reveló mucho sobre el Kirin 9010, pero la compañía poco pudo hacer a la hora de controlar la información después de anunciar oficialmente la serie Pura 70. En comparación con el Kirin 9000S que debutó en la familia Mate 60 el año pasado, el Kirin 9010 es una mejora notable, ya que ofrece una configuración de 12 núcleos, junto con otros cambios, como pronto descubrirá.

Kirin 9010 no se encuentra en todos los buques insignia Pura 70, pero obtiene soporte de RAM LPDDR5X y más

El clúster de 12 núcleos del Kirin 9010 está en la configuración ‘2 + 6 + 4’, lo que lo convierte en una mejora significativa con respecto al Kirin 9000S de 8 núcleos. En resumen, deberíamos ser testigos de un aumento en el rendimiento multinúcleo, aunque deberíamos reducir el entusiasmo cuando hablamos del rendimiento de la GPU. Decimos esto porque, al igual que el Kirin 9000S, el Kirin 9010 está equipado con una GPU Maleoon 910. Sin embargo, existe la posibilidad de que estemos equivocados en nuestra afirmación porque Huawei puede haber aumentado la cantidad de núcleos de GPU en el Kirin 9010 en comparación con el del Kirin 9000S.

Puedes verlo en la imagen a continuación proporcionada por @faridofanani96 que los núcleos de rendimiento están limitados a 2,30 GHz, mientras que los núcleos de rendimiento del Kirin 9000S podrían alcanzar los 2,62 GHz. Es probable que Huawei haya degradado esta especificación del Kirin 9010 para reducir el consumo de energía, pero compensó este movimiento con una configuración de 12 núcleos, lo que lo convierte en una mejora notable con respecto a su predecesor. También supimos que el nuevo SoC es compatible con el estándar LPDDR5X de generación actual. Sin embargo, no podemos encontrar información relacionada con la litografía del SoC, por lo que nuestra suposición inmediata es que Huawei está atrapado con el proceso de 7 nm de SMIC para producir en masa el último silicio.

También debe saber que el Kirin 9010 no alimenta toda la serie Pura 70, y solo los más caros Pura 70+ y Pura 70 Ultra reciben el último y mejor silicio de Huawei. Compararemos el nuevo SoC con el Kirin 9000S mientras analizamos las diferencias de rendimiento entre los dos. Dado que las sanciones han bombardeado a Huawei, dejando a la compañía tecnológicamente limitada, no será sorprendente saber que el Kirin 9010 está varias generaciones por detrás de la competencia.

Sin embargo, una actualización sigue siendo una actualización y en breve proporcionaremos una serie de comparaciones y gráficos de rendimiento, así que estad atentos. En cuanto a un lanzamiento significativo de chipset de Huawei, recomendamos esperar hasta finales de año, cuando la compañía presente la familia Mate 70, ya que probablemente estará impulsada por el primer SoC de 5 nm de la empresa china.