Samsung proporcionó una actualización sobre su cartera de centros de datos en sus últimos resultados, confirmando que las próximas generaciones HBM3E, DDR5 y V-NAND llegarán en el segundo trimestre.

Samsung tiene varios productos de centro de datos de próxima generación disponibles este año: 12-Hi HBM3E, 128 GB DDR5, 9.ª generación V-NAND y más

El gigante surcoreano informó que estaba presenciando un crecimiento récord en el dominio de la IA y que seguirá adelante con múltiples líneas de productos nuevas en este segmento. En primer lugar, Samsung ha comenzado la producción en masa de su memoria HBM3E «Shinebolt», que se enviará por primera vez en pilas de 8 Hi este mes y será seguida por la variante de 12 Hi en el segundo trimestre. La solución de memoria de próxima generación ofrecerá hasta 36 GB de capacidad por pila para productos de hasta 288 GB en un chip de 8 módulos como el MI300X de AMD.

Samsung Electronics comenzó la producción en masa del HBM3E de 8 capas en abril para responder a la demanda de IA generativa y planea producir en masa productos de 12 capas en el segundo trimestre.

Además, planeamos fortalecer nuestro liderazgo en el mercado de servidores mediante la producción en masa y el envío a clientes de productos de 128 GB (gigabytes) basados ​​en DDR5 de 1b nano 32 Gb (gigabit) en el segundo trimestre.

NAND planea responder de manera oportuna a la demanda de IA mediante el desarrollo de un SSD de 64 TB de capacidad ultraalta y proporcionando muestras en el segundo trimestre, y también mejorar su liderazgo tecnológico al iniciar la producción en masa de V9 por primera vez en la industria.

Samsung (traducido automáticamente)

Según se informa, AMD ha firmado un acuerdo con Samsung Foundry, que suministrará la DRAM HBM3E para su uso en productos existentes y de próxima generación, como las GPU MI350/MI370 actualizadas, que se dice que cuentan con mayores capacidades de memoria.

En el lado de la DRAM DDR5, Samsung lanzará sus módulos de memoria de 1b (nm) de 32 Gb para producción en masa en el segundo trimestre de 2024. Estos circuitos integrados de memoria se utilizarán para desarrollar módulos de hasta 128 GB. Samsung ya envió las primeras muestras de sus soluciones DDR5 de próxima generación a los clientes.

Por último, Samsung está actualizando el frente SSD V-NAND, que verá la introducción de SSD para centros de datos de 64 TB. Estos SSD se mostrarán a los clientes en el segundo trimestre de 2024 y la empresa también espera que la producción en masa de su novena generación V-NAND comience en el tercer trimestre. Los SSD V-NAND de novena generación se basarán en un diseño QLC (Quad Level Cell). Los informes sugieren que TLC V-NAND (9.ª generación) comenzará a producirse este mes y contará con velocidades de transferencia un 33% más rápidas de 3200 MT/s. Estos SSD aprovecharán el último estándar PCIe Gen5.

El Nintendo Switch 2 puede usar V-NAND de quinta generación de Samsung, lo que sería un gran paso adelante con respecto a su predecesor, a juzgar por algunos hallazgos recientes.

Como informó Doctre81 en un nuevo video compartido en YouTube, la página de LinkedIn de un exdirector senior de la División de Soluciones de Dispositivos de Samsung Electronics que ha estado en la compañía hasta 2019 enumera entre las calificaciones y responsabilidades clave haber liderado el desarrollo de un dispositivo controlador flash NAND para un Tarjeta de juego de Nintendo no especificada. Entre los logros clave, el ex empleado de Samsung también enumera el desarrollo de una tarjeta Secure eMMC impulsada por V-NAND Flash de quinta generación de Samsung Memory, que parece alinearse no solo con el dispositivo NAND Flash Controller para la tarjeta de juego de Nintendo no especificada, sino también con alguna otra información, como innovación en seguridad para hardware propietario no especificado y diseño de una nueva IP PUF (función física no clonable).

Que Nintendo Switch 2 requiera velocidades de lectura más rápidas que su predecesor no es exactamente sorprendente, pero que Nintendo use V-NAND de quinta generación de Samsung sigue siendo una gran noticia, a pesar de que, según los estándares actuales, es una tecnología algo anticuada, ya que Samsung está trabajando en la novena. y V-NAND de décima generación, y este último se lanzará en 2025. Aún así, las velocidades de hasta 1,4 GB/s presentadas por la quinta generación deberían ser más que suficientes para la nueva consola y un gran paso adelante con respecto a su predecesora. .

Se sabe muy poco sobre Nintendo Switch 2, aparte del hecho de que volverá a funcionar con tecnología NVIDIA. El chip T239 será un gran paso adelante con respecto al chip Tegra X1 que alimenta el sistema Nintendo actual, ya que se dice que admite funciones como la mejora de NVIDIA DLSS y Ray Reconstrucción que probablemente lo convertirá en el mejor sistema de juegos con capacidad de trazado de rayos del mercado. mercado.

Samsung planea llevar la industria flash NAND a un nuevo nivel, ya que la empresa presenta sus soluciones V-NAND de novena y décima generación con hasta 430 capas.

Samsung está fabricando memoria flash NAND con hasta 430 capas como parte de su tecnología V-NAND de décima generación, que debutará el próximo año

Los mercados flash NAND se han estado recuperando rápidamente de su terrible estado económico durante los últimos trimestres consecutivos, gracias a la debilitada demanda de los consumidores y los altos niveles de inventario. Sin embargo, ahora que lo hemos analizado, parece que la capa de innovación ha entrado en acción, y no es otro que Samsung quien ha presentado un tipo NAND de gama relativamente alta llamado flash V-NAND de novena generación. Este tipo presenta la friolera de 290 capas apiladas unas sobre otras, estableciendo un nuevo punto de referencia para los mercados.

Los medios de comunicación coreanos informan que Samsung planea lanzar su estándar NAND de novena generación el próximo mes, que probablemente sucederá a la generación anterior, que presentaba 236 capas de apilamiento. Parece ser que la industria probablemente se vea arrastrada a la carrera del «apilamiento de capas» y, con diferencia, Samsung parece muy por delante de competidores como SK Hynix y Kioxia. Curiosamente, el gigante coreano también anunció un producto NAND con un impactante apilamiento de 430 capas (10.ª generación V-NAND) que se espera que se lance el próximo año.

Otro aspecto interesante del último proceso NAND de novena generación de Samsung es la técnica de «doble apilamiento», que se centra en comprimir más capas a través de múltiples orificios de canal. Esta técnica utiliza electricidad para conectar células individuales. La técnica de perforación no sólo garantiza una mayor eficiencia de interconexión, sino que este proceso es mucho más económico en comparación con los métodos de apilamiento tradicionales.

La utilización de productos NAND ha aumentado radicalmente en los últimos meses, principalmente debido al uso de productos involucrados en la inferencia de IA, ya que requieren toneladas de almacenamiento de alta velocidad. En última instancia, esto ha provocado que una enorme demanda avance hacia el futuro, lo que catalizará los desarrollos en este segmento para los productores de memorias flash NAND como Samsung.

Fuente de noticias: Hankyung

Como proveedor de memoria NAND más grande del mundo, Samsung tiene grandes planes para el desarrollo de su V-NAND (que es como la compañía llama su 3D NAND), algunos de los cuales compartió esta semana. La compañía confirmó que está en camino de producir su memoria V-NAND de novena generación con más de 300 capas en 2024 y dijo que tendrá la mayor cantidad de capas activas de la industria.

«La V-NAND de novena generación está en camino para su producción en masa a principios del próximo año con el mayor número de capas de la industria basada en una estructura de doble pila», escribió en Jung-Bae Lee, presidente y director de negocios de memoria de Samsung Electronics. una publicación de blog.

Samsung Electronics está preparado para emplear una arquitectura de doble pila para su memoria 3D-NAND de novena generación cuando comience su producción el próximo año, según un informe de DigiTimes que cita Diario económico de Seúl. Esto diferencia a Samsung de SK Hynix, que utiliza tres pilas de NAND para construir sus dispositivos 3D NAND de 321 capas cuando entren en producción en masa en la primera mitad de 2025.

El V-NAND de 9.ª generación de Samsung con más de 300 capas se basa en la técnica de doble pila, que Samsung adoptó por primera vez en 2020 con sus chips 3D NAND de 176 capas de 7.ª generación. Este método implica la producción de una pila 3D NAND en una oblea de 300 mm y luego la construcción de otra pila encima de la primera. La NAND 3D de 300 capas de Samsung aumentará la densidad de almacenamiento producida en una oblea y permitirá a los fabricantes construir SSD de menor costo o hacer que las mejores SSD sean más baratas.

Samsung anunció hoy que había comenzado la producción en masa de su presunta memoria NAND tridimensional de 236 capas, que la compañía califica como su V-NAND de octava generación. Los nuevos circuitos integrados cuentan con una velocidad de transferencia de 2400 MTps y, cuando se combinan con un controlador avanzado, pueden habilitar SSD de nivel cliente con una velocidad de transferencia de más de 12 GBps.

El nuevo dispositivo V-NAND de octava generación cuenta con una capacidad de 1 TB (128 GB), que Samsung llama la densidad de bits más alta de la industria sin revelar el tamaño del IC o la densidad real. El IC también cuenta con una tasa de transferencia de datos de 2400 MTps, que es vital para los mejores SSD con una interfaz PCIe 5.0 x4 que ofrecerá 12,4 GBps (¡o más!) una vez que se combine con un controlador apropiado.

Samsung ha presentado sus planes para soluciones de memoria y DRAM de última generación, incluidas GDDR7, DDR5, LPDDR5X y V-NAND.

Samsung detalla las soluciones de memoria y DRAM V-NAND de última generación de 36 Gbps GDDR7, 32 Gb DDR5, 8.5 Gbps LPDDR5X y más de 1000 capas

Las tres principales soluciones de memoria y DRAM anunciadas por Samsung incluyen sus densidades de DRAM de 32 Gb que permitirán duplicar las capacidades en comparación con los 16 Gb existentes, un aumento del 33 % con respecto a los circuitos integrados DDR5 de 24 Gb que han estado en desarrollo durante algún tiempo.

La compañía también anunció su primera especificación de memoria GDDR7 que ofrecerá velocidades de transferencia de hasta 36 Gbps. Eso es un aumento del 50% en la velocidad en comparación con la solución de memoria GDDR6 de 24 Gbps más rápida actual de Samsung que se lanzó para producción el trimestre pasado. Se espera que las GPU RDNA 3 de próxima generación de AMD estén entre las primeras en presentar los nuevos módulos GDDR6, pero GDDR7 tiene que esperar una o dos generaciones antes de que podamos verlo en acción.

Una interfaz DRAM de 36 Gbps a través de un bus de 384 bits debería proporcionar hasta 1,7 TB/s de ancho de banda, mientras que una interfaz de bus de 256 bits con la misma velocidad proporcionará un ancho de banda de hasta 1,15 TB/s. Ambos son cifras de ancho de banda mucho más altas en comparación con lo que ofrecen las soluciones GDDR6X de generación actual de Micron.

Presione soltar: Samsung Electronics, líder mundial en tecnología avanzada de semiconductores, presentó hoy una serie de soluciones de semiconductores de vanguardia preparadas para impulsar la transformación digital a lo largo de la década, en el Samsung Tech Day 2022. Una conferencia anual desde 2017, el evento volvió a ser presencial. en el hotel Signia by Hilton San Jose después de tres años.

El evento de este año, al que asistieron más de 800 clientes y socios, contó con presentaciones de los líderes comerciales de LSI de sistemas y memorias de Samsung, incluidos Jung-bae Lee, presidente y jefe de negocios de memorias; Yong-In Park, presidente y responsable de System LSI Business; y Jaeheon Jeong, vicepresidente ejecutivo y jefe de la oficina de Americas de Device Solutions (DS), sobre los últimos avances de la compañía y su visión para el futuro.

Chips lógicos de próxima generación exhibidos

Samsung Electronics reveló una serie de tecnologías avanzadas de chips lógicos por primera vez en el stand de Tech Day, incluidos 5G Exynos Modem 5300, Exynos Auto V920 y QD OLED DDI, que son partes esenciales de varias industrias, como la móvil, la de electrodomésticos y la automotriz. .

También se exhibieron chips que se lanzaron o anunciaron recientemente este año, incluido el procesador móvil premium Exynos 2200, junto con el ISOCELL HP3 de 200 MP, el sensor de imagen con los píxeles de 0,56 micrómetros (μm) más pequeños de la industria.

Basado en el proceso EUV (litografía ultravioleta extrema) más avanzado de 4 nanómetros (nm) y combinado con tecnología móvil, GPU y NPU de vanguardia, el Exynos 2200 brinda la mejor experiencia para los usuarios de teléfonos inteligentes. El ISOCELL HP3, con un tamaño de píxel un 12 % más pequeño que los 0,64 μm de su predecesor, puede permitir una reducción de aproximadamente un 20 % en el área de superficie del módulo de la cámara, lo que permite a los fabricantes de teléfonos inteligentes mantener sus dispositivos premium delgados.

Samsung mostró su ISOCELL HP3 en acción al mostrar a los asistentes al Tech Day la calidad de imagen de las fotografías tomadas con una cámara con sensor de 200MP, así como el funcionamiento del circuito integrado de seguridad de huellas dactilares del sistema LSI para tarjetas de pago biométricas que combina un sensor de huellas dactilares, Secure Element. (SE) y Secure Processor, agregando una capa adicional de autenticación y seguridad en las tarjetas de pago.

Aspectos destacados del negocio de la memoria

En un año que marca 30 años y 20 años de liderazgo en DRAM y memoria flash NAND respectivamente, Samsung presentó su DRAM de clase 10nm (1b) de quinta generación, así como NAND vertical (V-NAND) de octava y novena generación, afirmando el compromiso de la compañía de continuar brindando la combinación más poderosa de tecnologías de memoria durante la próxima década.

Soluciones DRAM para avanzar en la inteligencia de datos

La DRAM 1b de Samsung se encuentra actualmente en desarrollo con planes de producción en masa en 2023. Para superar los desafíos en la escala de DRAM más allá del rango de 10 nm, la compañía ha estado desarrollando soluciones disruptivas en patrones, materiales y arquitectura, con tecnología como material High-K en marcha. .

Luego, la compañía destacó las próximas soluciones DRAM, como DRAM DDR5 de 32 Gb, DRAM LPDDR5X de 8,5 Gbps y DRAM GDDR7 de 36 Gbps, que traerán nuevas capacidades a los segmentos de mercado de centros de datos, HPC, dispositivos móviles, juegos y automóviles.

Al expandirse más allá de la DRAM convencional, Samsung también subrayó la importancia de las soluciones DRAM personalizadas, como HBM-PIM, AXDIMM y CXL, que pueden impulsar la innovación a nivel de sistema para manejar mejor el crecimiento explosivo de los datos en todo el mundo.

Más de 1000 capas V-NAND para 2030

Desde su creación hace una década, la tecnología V-NAND de Samsung ha progresado a lo largo de ocho generaciones, multiplicando por 10 el número de capas y por 15 el crecimiento de bits. El V-NAND de octava generación de 512 Gb más reciente de Samsung presenta una mejora en la densidad de bits del 42%, logrando la densidad de bits más alta de la industria entre los productos de memoria de celda de triple nivel (TLC) de 512 Gb hasta la fecha. La TLC V-NAND de 1 TB de mayor capacidad del mundo estará disponible para los clientes a finales de año.

La compañía también señaló que su V-NAND de novena generación está en desarrollo y está programado para la producción en masa en 2024. Para 2030, Samsung prevé apilar más de 1,000 capas para habilitar mejor las tecnologías de uso intensivo de datos del futuro.

A medida que las aplicaciones de IA y big data impulsan la necesidad de una memoria más rápida y de mayor capacidad, Samsung seguirá superando la densidad de bits al acelerar la transición a celdas de cuatro niveles (QLC), al tiempo que mejora aún más la eficiencia energética para respaldar operaciones de clientes más sostenibles en todo el mundo. .

Samsung busca capitalizar sus profundas y variadas fuentes de ingresos y tiene la intención de duplicar las inversiones en tecnología de memoria para el futuro. La compañía anunció recientemente (se abre en una pestaña nueva) que no reducirá su gasto de capital en nuevas tecnologías de memoria, incluido GDDR7 que finalmente terminará en las mejores tarjetas gráficas del futuro y V-NAND de capa ultra alta para los mejores SSD. Tampoco busca reducir la fabricación, a pesar de la desaceleración de las condiciones del mercado.

La empresa confía en que sus planes de gasto son necesarios para asegurar el dominio tecnológico sobre sus competidores, al mismo tiempo que consolida su posición como fabricante líder de chips de memoria. Para hacerlo, Samsung está apostando por procesos de fabricación de próxima generación que permitirán escalar la densidad de memoria en DRAM, VRAM y la NAND más reciente y densa que puede impulsar las cargas de trabajo intensivas en datos del futuro.

En el campo de DRAM, la compañía anunció que su última fabricación de clase de 10 nm de quinta generación (1b) comenzará a lanzar chips de volumen para 2023. Se están realizando investigaciones exploratorias en la fabricación de DRAM de menos de 10 nm empleando nuevos patrones, materiales y arquitectura. diseños que incluyen puertas High-K. Samsung está muy por delante de la mayoría de sus rivales, que generalmente fabrican chips DRAM en nodos de clase de 14nm.

La memoria GDDR7 de próxima generación de Samsung, que seguramente adornará los futuros aceleradores de gráficos, ya está en producción. Ofrece velocidades de hasta 36 Gbps, el doble de los 18 Gbps de GDDR6. A esas velocidades de datos, un bus de memoria de 384 bits podría ofrecer un ancho de banda de alrededor de 1,728 TB/s, un gran aumento con respecto al ancho de banda de 1 TB/s del próximo RTX 4090. Esto garantizará que los fabricantes de GPU tengan una reserva adecuada de ancho de banda sin tener que aumentar los anchos de bus, ya que eso conduciría a PCB más caras y un impacto potencial e incluso peor en los precios.

En cuanto a NAND, donde Samsung se erige como el rey indiscutible de la colina, la compañía ahora está diseñando y creando prototipos de su V-NAND de novena y décima generación, con aumentos apropiados en la densidad de capa en comparación con la tecnología actual. Samsung ahora está enviando su V-NAND de 176 capas de séptima generación, con planes de lanzar chips V-NAND basados ​​en su diseño de 230 capas de octava generación para fin de año. Este último ofrecerá un aumento de densidad del 42% con chips de 512 Gb.

Pero Samsung está considerando saltos aún más significativos en la densidad y espera lograr un diseño V-NAND de 1000 capas para 2030. Samsung también continúa trabajando en la tecnología QLC (Quad-Level Cell), con la esperanza de aumentar el rendimiento y aumentar el almacenamiento. densidad.

“Incluso si la situación actual no es buena, no cambiaremos el rumbo que ya hemos trazado”, dijo Han Jin-man, vicepresidente ejecutivo y jefe de la división de marketing y ventas de memoria global de Samsung. “Nadie en Samsung está hablando de reducir la producción de chips por ahora”.

Varios otros fabricantes de memorias han anunciado recortes en su producción de memorias en respuesta a la desaceleración de la demanda, una situación que se atribuye en parte a la situación macroeconómica general. La desaceleración de la demanda ya ha provocado un exceso de oferta en el mercado de la memoria, que el director ejecutivo de Micron ha descrito como «sin precedentes», lo que llevó a la empresa a reducir el gasto de capital en el año fiscal 2023 en más del 30 % (unos 8.000 millones de dólares), con un aumento adicional Recorte del 50% en el gasto en equipos de fabricación de obleas.

En Japón, Kioxia también anunció una reducción del 30% en la producción de obleas de memoria con la esperanza de que sea suficiente para absorber el inventario almacenado. Ambas compañías están tratando de revertir la presión a la baja sobre los precios de NAND, que ha recibido una paliza a lo largo de 2022 con más reducciones en el horizonte antes de fin de año.

Samsung, por el contrario, está optando por duplicar su liderazgo tecnológico incluso cuando sus competidores están jugando al juego seguro al reducir su producción. Para ser justos, las múltiples divisiones y fuentes de ingresos de Samsung lo protegen un poco del mercado cíclico y las condiciones de la demanda, por lo que se trata más de quién puede hacerlo en lugar de simplemente mantener el rumbo a ciegas. Samsung puede terminar ayudando a los entusiastas del bricolaje, gracias a su aparente negativa a reducir la producción de fabricación. La empresa también cree que puede ampliar la brecha tecnológica con sus competidores si mantiene el rumbo de su hoja de ruta de inversión.

Samsung se está preparando para producir su memoria V-NAND de octava generación a gran escala, con 200 capas o más y brindando un mayor rendimiento y densidades de bits para SSD.

Samsung prepara la futura memoria V-NAND con 200 capas, ofreciendo altas capacidades y mayor rendimiento

En 2013, Samsung creó una memoria flash V-NAND de 24 capas, un avance significativo y algo futurista para los rivales de la compañía. Sin embargo, la compañía ahora es más cuidadosa debido a la fragilidad de crear una memoria flash NAND con cientos de capas para que sea estable para su uso. Desafortunadamente, Micron y SK Hynix han comenzado el desarrollo de dispositivos 3D TLC NAND de 232 y 238 capas, lo cual es una ventaja más significativa en los intentos de ambas compañías por superar a Samsung hasta ahora. Hoy, Samsung ha informado que creará una memoria 3D NAND, llamada V-NAND, que ofrecerá 236 capas, dice Business Korea.

Samsung reunió inicialmente los diseños de muestra de su próxima memoria V-NAND hace dos años en 2021. Aún así, la empresa no pudo incorporar y producir completamente la memoria 3D NAND debido a limitaciones tecnológicas que no estaban disponibles en la industria.

Para construir soluciones de almacenamiento de estado sólido para áreas de trabajo en constante crecimiento, PC de próxima generación con una interfaz PCIe Gen5 y teléfonos móviles que admitan puntos de interacción UFS 3.1 y 4.0, Samsung necesita dispositivos NAND con una interfaz de alta velocidad. El V7-NAND de Samsung actual ahora incluye velocidades de interfaz de hasta 2,0 GT/s.

Actualmente, se desconocen las especificaciones completas ya que la compañía no ha divulgado completamente la información de su tecnología al público. Sin embargo, los usuarios deben esperar que la 3D NAND (V-NAND) de octava generación de Samsung haya ampliado el tamaño del bloque del programa y disminuido los niveles de latencia de lectura, lo que mejora la visualización de los periféricos 3D NAND y los componentes informáticos de primera calidad.

Hacer que las capas NAND sean más nominales y minúsculas implica usar nuevos materiales para almacenar cargas de manera confiable. Además, dado que es complicado (y tal vez no plausible desde el punto de vista financiero) tallar muchas capas, los productores de 3D NAND deben adoptar estrategias como el apilamiento de cadenas para ensamblar 3D NAND con muchas capas. Samsung aún no ha adoptado el apilamiento de cadenas con su V7-NAND de 176 capas. Sin embargo, no está claro si Samsung utilizará la innovación para V8-NAND de 236 capas o intentará algo superior.

Fuentes de noticias: Tom’

Samsung se está preparando para comenzar la producción en masa de su memoria V-NAND de octava generación, que contará con más de 200 capas y brindará un mayor rendimiento y densidades de bits para dispositivos de almacenamiento de estado sólido.

Samsung estaba años por delante de sus competidores con su memoria flash V-NAND de 24 capas en 2013, y otras empresas tardaron bastante en ponerse al día. Pero desde entonces, el gigante surcoreano se ha vuelto un poco más cauteloso, ya que se ha vuelto más difícil construir NAND con cientos de capas. Este año, Micron y SK Hynix vencieron a Samsung con sus dispositivos 3D TLC NAND de 232 y 238 capas. Pero el desarrollador de V-NAND no se ha quedado quieto y se está preparando para comenzar la producción en volumen de la memoria 3D NAND (que, por supuesto, tendrá la marca V-NAND) con 236 capas, informa Business Korea. (se abre en una pestaña nueva).