La tecnología Compute Express Link permite construir varios dispositivos para abordar una amplia gama de cargas de trabajo, desde expandir la capacidad y el rendimiento del subsistema de memoria hasta ofrecer almacenamiento persistente ultrarrápido. Al ser uno de los principales fabricantes de memoria NAND del mundo, Kioxia puede abordar esta última. Recientemente, demostró sus soluciones CXL basadas en 3D NAND y XL-Flash en Flash Memory Summit 2023, según informó ServeTheHome.

Kioxia reveló planes para ofrecer dos líneas de sus productos CXL: dispositivos basados ​​en CXL + XL-Flash para aplicaciones centradas en el rendimiento y la confiabilidad, como bases de datos en memoria y cargas de trabajo de inferencia de IA, así como dispositivos CXL + BiCS 3D NAND para aplicaciones hambrientas de capacidad como Big Data y entrenamiento de IA. En ambos casos, los dispositivos de almacenamiento utilizan un controlador especial y el protocolo CXL.mem para lectura y el protocolo CXL.io para escritura para minimizar las latencias respectivas.

Durante la China Flash Summit 2023, KIOXIA subió al escenario para anunciar sus SSD empresariales de próxima generación que utilizarán PCIe Gen 5 y 2nd Gen XL-Flash MLC.

Los SSD empresariales de última generación de KIOXIA obtienen XL-FLASH MLC, PCIe Gen 5.0 y velocidades de transferencia de hasta 13,5 GB/s

KIOXIA reveló que los productos de próxima generación de las series CM y FL basados ​​en el último estándar Gen 5 NVMe SSD saldrán este año y ofrecerán una mejora de 26 veces en el rendimiento en comparación con las unidades HK6 basadas en SATA III de 2016. Las SSD utilizarán la segunda generación de tecnología de memoria Flash FLC conocida como XL-FLASH.

El presidente de Kioxia Electronics, el Sr. Okamoto Chengyuki, y el director de tecnología, el Sr. Liu Maozhi, trajeron el SSD PCIe 5.0 de Kioxia: CM7, cuya velocidad de lectura secuencial puede alcanzar los 14,1 GB/s, y los productos de nivel SCM, basados ​​en la tecnología de memoria flash MLC. Los productos FLASH XL de segunda generación de la compañía no solo adoptan la tecnología PCIe 5.0, sino que también tienen una gran mejora en el rendimiento de lectura y escritura aleatoria.

Traducción automática a través de Weibo

Si bien la línea de SSD PCIe Gen 5 CM7 ya se lanzó (demostración aquí), KIOXIA ahora se está enfocando en sus SSD de la serie FL de próxima generación que utilizan una memoria de clase de almacenamiento (SCM) KIOXIA XL-FLASH de baja latencia y alta resistencia. KIOXIA ha compartido algunos números que muestran velocidades de lectura secuencial de hasta 13,5 GB/s, velocidades de escritura secuencial de hasta 9,7 GB/s, IOPS de lectura aleatoria con una calificación de alrededor de 3 000 000 e IOPS de escritura aleatoria con una calificación de alrededor de 1 060 000 IOPS. La compañía también afirma que el nuevo FLASH ofrecerá una latencia de lectura más baja con una reducción del 7 % (27 ms frente a 29 ms).

Una diapositiva interesante compartida por KIOXIA revela que el estándar PCIe Gen 5 se ejecutará desde 2023 hasta finales de 2025. Para 2026, se deben esperar SSD y unidades basadas en el estándar PCIe Gen 6 más nuevo, aproximadamente al mismo tiempo que CXL 3.0 estándar se convertiría en un lugar común en el segmento empresarial y de centros de datos.

KIOXIA afirma que definitivamente apuntarán a su PCIe Gen 6.0 de manera agresiva y serán los primeros en lanzar productos basados ​​en el nuevo protocolo. Como faltan años para 2026, veremos si ese es el caso. KIOXIA compite en el segmento flash con Samsung. Intel Optane era un gran oponente, pero ya no es así, ya que Chipzilla ha abandonado ese segmento por completo.

Fuente de noticias: HXL (@9550pro)

Kioxia ha presentado su memoria de clase de almacenamiento (SCM) XL-Flash de segunda generación, que combina baja latencia, alto rendimiento y capacidad de flash 3D NAND. Los nuevos dispositivos de memoria están diseñados para unidades de estado sólido de gama ultra alta, así como para varios dispositivos extensores de memoria CXL que deben ofrecer un rendimiento decente y no volatilidad.

El XL-Flash de segunda generación de Kioxia difiere sustancialmente de los dispositivos XL-Flash existentes. En primer lugar, el nuevo XL-Flash adopta una arquitectura de celda de varios niveles (MLC) que almacena dos bits por celda (2bpc) en comparación con el XL-Flash existente que usa una arquitectura de celda de un solo nivel (SLC). El uso de MLC permitió a Kioxia aumentar la capacidad de un solo dispositivo XL-Flash de segunda generación a 256 GB (32 GB), lo que le permite construir paquetes de chips XL-Flash de hasta 2048 Gb (256 GB) utilizando hasta ocho circuitos integrados.

En segundo lugar, debido a que MLC tiene una latencia más alta que SLC, Kioxia tuvo que aumentar la cantidad de planos por dispositivo para garantizar un mayor paralelismo de acceso para aumentar el rendimiento máximo y compensar en parte la mayor latencia. El XL-Flash original usaba líneas de bits y líneas de palabras más cortas para construir 16 planos por dispositivo (es decir, significativamente más de dos o cuatro planos utilizados por los dispositivos 3D NAND contemporáneos para PC cliente) en un intento por mejorar el rendimiento. De todos modos, la cantidad de planos por IC XL-Flash de 2.ª generación es mayor que la cantidad de planos por IC XL-Flash de 1.ª generación (es decir, más de 16 planos), por lo que es razonable esperar un mayor ancho de banda por dispositivo.