{"id":103298,"date":"2022-08-18T05:51:52","date_gmt":"2022-08-18T05:51:52","guid":{"rendered":"https:\/\/magazineoffice.com\/samsung-prepara-la-memoria-v-nand-de-proxima-generacion-mayor-capacidad-y-rendimiento\/"},"modified":"2022-08-18T05:51:55","modified_gmt":"2022-08-18T05:51:55","slug":"samsung-prepara-la-memoria-v-nand-de-proxima-generacion-mayor-capacidad-y-rendimiento","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/magazineoffice.com\/samsung-prepara-la-memoria-v-nand-de-proxima-generacion-mayor-capacidad-y-rendimiento\/","title":{"rendered":"Samsung prepara la memoria V-NAND de pr\u00f3xima generaci\u00f3n: mayor capacidad y rendimiento"},"content":{"rendered":"<p> <br \/>\n<\/p>\n<div id=\"article-body\">\n<p>Samsung se est\u00e1 preparando para comenzar la producci\u00f3n en masa de su memoria V-NAND de octava generaci\u00f3n, que contar\u00e1 con m\u00e1s de 200 capas y brindar\u00e1 un mayor rendimiento y densidades de bits para dispositivos de almacenamiento de estado s\u00f3lido.<\/p>\n<p>Samsung estaba a\u00f1os por delante de sus competidores con su memoria flash V-NAND de 24 capas en 2013, y otras empresas tardaron bastante en ponerse al d\u00eda.  Pero desde entonces, el gigante surcoreano se ha vuelto un poco m\u00e1s cauteloso, ya que se ha vuelto m\u00e1s dif\u00edcil construir NAND con cientos de capas.  Este a\u00f1o, Micron y SK Hynix vencieron a Samsung con sus dispositivos 3D TLC NAND de 232 y 238 capas.  Pero el desarrollador de V-NAND no se ha quedado quieto y se est\u00e1 preparando para comenzar la producci\u00f3n en volumen de la memoria 3D NAND (que, por supuesto, tendr\u00e1 la marca V-NAND) con 236 capas, informa Business Korea.<span class=\"sr-only\"> (se abre en una pesta\u00f1a nueva)<\/span>.<\/p>\n<aside class=\"hawk-nest\" data-render-type=\"fte\" data-skip=\"dealsy\" data-widget-type=\"seasonal\"\/>\n<p>Samsung produjo las primeras muestras de su memoria V-NAND con m\u00e1s de 200 capas a mediados de 2021, por lo que ahora deber\u00eda tener suficiente experiencia tecnol\u00f3gica para iniciar la producci\u00f3n en volumen de tales dispositivos.  Desafortunadamente, en este punto, es dif\u00edcil saber la capacidad de los pr\u00f3ximos chips V-NAND de octava generaci\u00f3n de Samsung.  A\u00fan as\u00ed, estamos seguros de que uno de los objetivos de la empresa con su memoria NAND de pr\u00f3xima generaci\u00f3n ser\u00e1 velocidades de interfaz m\u00e1s r\u00e1pidas y otras caracter\u00edsticas de rendimiento para habilitar las mejores SSD de pr\u00f3xima generaci\u00f3n.<\/p>\n<p>Para crear soluciones de almacenamiento de estado s\u00f3lido competitivas para las pr\u00f3ximas computadoras de escritorio y port\u00e1tiles con una interfaz PCIe Gen5 y tel\u00e9fonos inteligentes compatibles con las interfaces UFS 3.1 y 4.0, Samsung necesita dispositivos NAND con una interfaz de alta velocidad.  El V7-NAND de Samsung de hoy ya cuenta con velocidades de interfaz de hasta 2,0 GT\/s, pero esperamos que la empresa aumente a\u00fan m\u00e1s la velocidad de interfaz con su V8-NAND.<\/p>\n<p>Otra cosa que se puede esperar de la V-NAND de octava generaci\u00f3n de Samsung es un mayor tama\u00f1o de bloque de programa y una menor latencia de lectura, lo que optimiza el rendimiento de los dispositivos 3D NAND de alta capacidad.  Pero desafortunadamente, las caracter\u00edsticas exactas son desconocidas.<\/p>\n<p>Si bien un mayor n\u00famero de capas NAND a veces se considera una forma f\u00e1cil de escalar la memoria flash, no lo es.  Hacer que las capas NAND sean m\u00e1s delgadas (y, por lo tanto, las c\u00e9lulas NAND sean m\u00e1s peque\u00f1as) implica el uso de nuevos materiales para almacenar cargas de manera confiable.  Adem\u00e1s, dado que es un desaf\u00edo (y tal vez no sea factible econ\u00f3micamente) grabar cientos de capas, los fabricantes de 3D NAND deben adoptar t\u00e9cnicas como el apilamiento de cadenas para construir 3D NAND con cientos de capas.  Samsung a\u00fan no ha adoptado el apilamiento de cadenas con su V7-NAND de 176 capas, pero queda por ver si la tecnolog\u00eda se utilizar\u00e1 para V8-NAND de 236 capas.<\/p>\n<\/div>\n<p><br \/>\n<br \/><a href=\"https:\/\/magazineoffice.com\/\">Source link-41<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Samsung se est\u00e1 preparando para comenzar la producci\u00f3n en masa de su memoria V-NAND de octava generaci\u00f3n, que contar\u00e1 con m\u00e1s de 200 capas y brindar\u00e1 un mayor rendimiento y&hellip;<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":103299,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[21980],"tags":[4034,876,453,14959,313,1754,3074,3988,36191],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/103298"}],"collection":[{"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=103298"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/103298\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":103300,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/103298\/revisions\/103300"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/media\/103299"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=103298"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=103298"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=103298"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}