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Samsung planea llevar la industria flash NAND a un nuevo nivel, ya que la empresa presenta sus soluciones V-NAND de novena y d\u00e9cima generaci\u00f3n con hasta 430 capas.<\/p>\n
Los mercados flash NAND se han estado recuperando r\u00e1pidamente de su terrible estado econ\u00f3mico durante los \u00faltimos trimestres consecutivos, gracias a la debilitada demanda de los consumidores y los altos niveles de inventario. Sin embargo, ahora que lo hemos analizado, parece que la capa de innovaci\u00f3n ha entrado en acci\u00f3n, y no es otro que Samsung quien ha presentado un tipo NAND de gama relativamente alta llamado flash V-NAND de novena generaci\u00f3n. Este tipo presenta la friolera de 290 capas apiladas unas sobre otras, estableciendo un nuevo punto de referencia para los mercados.<\/p>\n
Los medios de comunicaci\u00f3n coreanos informan que Samsung planea lanzar su est\u00e1ndar NAND de novena generaci\u00f3n el pr\u00f3ximo mes, que probablemente suceder\u00e1 a la generaci\u00f3n anterior, que presentaba 236 capas de apilamiento. Parece ser que la industria probablemente se vea arrastrada a la carrera del \u00abapilamiento de capas\u00bb y, con diferencia, Samsung parece muy por delante de competidores como SK Hynix y Kioxia. Curiosamente, el gigante coreano tambi\u00e9n anunci\u00f3 un producto NAND con un impactante apilamiento de 430 capas (10.\u00aa generaci\u00f3n V-NAND) que se espera que se lance el pr\u00f3ximo a\u00f1o.<\/p>\n Otro aspecto interesante del \u00faltimo proceso NAND de novena generaci\u00f3n de Samsung es la t\u00e9cnica de \u00abdoble apilamiento\u00bb, que se centra en comprimir m\u00e1s capas a trav\u00e9s de m\u00faltiples orificios de canal. Esta t\u00e9cnica utiliza electricidad para conectar c\u00e9lulas individuales. La t\u00e9cnica de perforaci\u00f3n no s\u00f3lo garantiza una mayor eficiencia de interconexi\u00f3n, sino que este proceso es mucho m\u00e1s econ\u00f3mico en comparaci\u00f3n con los m\u00e9todos de apilamiento tradicionales.<\/p>\n La utilizaci\u00f3n de productos NAND ha aumentado radicalmente en los \u00faltimos meses, principalmente debido al uso de productos involucrados en la inferencia de IA, ya que requieren toneladas de almacenamiento de alta velocidad. En \u00faltima instancia, esto ha provocado que una enorme demanda avance hacia el futuro, lo que catalizar\u00e1 los desarrollos en este segmento para los productores de memorias flash NAND como Samsung.<\/p>\n Fuente de noticias: Hankyung<\/p>\n