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Samsung ha anunciado la producci\u00f3n en masa de su memoria flash V-NAND de novena generaci\u00f3n, que ofrece un aumento del 33% con respecto a la V-NAND de octava generaci\u00f3n.<\/p>\n
El anuncio era m\u00e1s o menos esperado, ya que informamos sobre el comienzo de la producci\u00f3n en masa del flash V-NAND de novena generaci\u00f3n hace unas semanas. En primer lugar, TCL NAND entrar\u00e1 en producci\u00f3n (este mes) y se espera la producci\u00f3n en masa de QLC en la segunda mitad del a\u00f1o. Tambi\u00e9n se informa que la V-NAND de novena generaci\u00f3n contar\u00e1 con m\u00e1s de 290 capas, pero Samsung no lo confirma oficialmente.<\/p>\n
Presione soltar:<\/strong> Samsung Electronics, l\u00edder mundial en tecnolog\u00eda de memoria avanzada, anunci\u00f3 hoy que ha comenzado la producci\u00f3n en masa de su NAND vertical (V-NAND) de novena generaci\u00f3n de celda de triple nivel (TLC) de un terabit (Tb), consolidando su liderazgo en el mercado. Mercado flash NAND.<\/p>\n Con el tama\u00f1o de celda m\u00e1s peque\u00f1o y el molde m\u00e1s delgado de la industria, Samsung mejor\u00f3 la densidad de bits de la V-NAND de novena generaci\u00f3n en aproximadamente un 50 % en comparaci\u00f3n con la V-NAND de octava generaci\u00f3n. Se han aplicado innovaciones como la prevenci\u00f3n de interferencias de celdas y la extensi\u00f3n de la vida \u00fatil de las celdas para mejorar la calidad y confiabilidad del producto, mientras que la eliminaci\u00f3n de orificios de canales ficticios ha reducido significativamente el \u00e1rea plana de las celdas de memoria.<\/p>\n Adem\u00e1s, la avanzada tecnolog\u00eda de \u201cgrabado de orificios de canal\u201d de Samsung muestra el liderazgo de la empresa en capacidades de proceso. Esta tecnolog\u00eda crea v\u00edas de electrones al apilar capas de moldes y maximiza la productividad de fabricaci\u00f3n, ya que permite la perforaci\u00f3n simult\u00e1nea del mayor n\u00famero de capas de c\u00e9lulas de la industria en una estructura de doble pila. A medida que aumenta el n\u00famero de capas de c\u00e9lulas, la capacidad de atravesar un mayor n\u00famero de c\u00e9lulas se vuelve esencial, lo que exige t\u00e9cnicas de grabado m\u00e1s sofisticadas.<\/p>\n La V-NAND de novena generaci\u00f3n est\u00e1 equipada con la interfaz flash NAND de pr\u00f3xima generaci\u00f3n, \u201cToggle 5.1\u201d, que admite velocidades de entrada\/salida de datos aumentadas en un 33 % hasta hasta 3,2 gigabits por segundo (Gbps). Junto con esta nueva interfaz, Samsung planea solidificar su posici\u00f3n dentro del mercado de SSD de alto rendimiento ampliando el soporte para PCIe 5.0.<\/p>\n El consumo de energ\u00eda tambi\u00e9n se ha mejorado en un 10% con avances en el dise\u00f1o de bajo consumo, en comparaci\u00f3n con la generaci\u00f3n anterior. A medida que reducir el uso de energ\u00eda y las emisiones de carbono se vuelve vital para los clientes, se espera que la V-NAND de novena generaci\u00f3n de Samsung sea una soluci\u00f3n \u00f3ptima para aplicaciones futuras. Samsung comenz\u00f3 este mes la producci\u00f3n en masa del V-NAND de novena generaci\u00f3n TLC de 1 TB, seguido del modelo de celda de cuatro niveles (QLC) en la segunda mitad de este a\u00f1o.<\/p>\n