{"id":1110496,"date":"2024-04-30T09:35:37","date_gmt":"2024-04-30T09:35:37","guid":{"rendered":"https:\/\/magazineoffice.com\/la-produccion-en-masa-del-samsung-hbm3e-12-hi-comienza-en-el-segundo-trimestre-junto-con-128-gb-ddr5-64-tb-ssd-y-v-nand-de-novena-generacion\/"},"modified":"2024-04-30T09:35:41","modified_gmt":"2024-04-30T09:35:41","slug":"la-produccion-en-masa-del-samsung-hbm3e-12-hi-comienza-en-el-segundo-trimestre-junto-con-128-gb-ddr5-64-tb-ssd-y-v-nand-de-novena-generacion","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/magazineoffice.com\/la-produccion-en-masa-del-samsung-hbm3e-12-hi-comienza-en-el-segundo-trimestre-junto-con-128-gb-ddr5-64-tb-ssd-y-v-nand-de-novena-generacion\/","title":{"rendered":"La producci\u00f3n en masa del Samsung HBM3E 12-Hi comienza en el segundo trimestre junto con 128 GB DDR5, 64 TB SSD y V-NAND de novena generaci\u00f3n"},"content":{"rendered":"


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Samsung proporcion\u00f3 una actualizaci\u00f3n sobre su cartera de centros de datos en sus \u00faltimos resultados, confirmando que las pr\u00f3ximas generaciones HBM3E, DDR5 y V-NAND llegar\u00e1n en el segundo trimestre.<\/p>\n

Samsung tiene varios productos de centro de datos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n disponibles este a\u00f1o: 12-Hi HBM3E, 128 GB DDR5, 9.\u00aa generaci\u00f3n V-NAND y m\u00e1s<\/h2>\n

El gigante surcoreano inform\u00f3 que estaba presenciando un crecimiento r\u00e9cord en el dominio de la IA y que seguir\u00e1 adelante con m\u00faltiples l\u00edneas de productos nuevas en este segmento. En primer lugar, Samsung ha comenzado la producci\u00f3n en masa de su memoria HBM3E \u00abShinebolt\u00bb, que se enviar\u00e1 por primera vez en pilas de 8 Hi este mes y ser\u00e1 seguida por la variante de 12 Hi en el segundo trimestre. La soluci\u00f3n de memoria de pr\u00f3xima generaci\u00f3n ofrecer\u00e1 hasta 36 GB de capacidad por pila para productos de hasta 288 GB en un chip de 8 m\u00f3dulos como el MI300X de AMD.<\/p>\n

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Samsung Electronics comenz\u00f3 la producci\u00f3n en masa del HBM3E de 8 capas en abril para responder a la demanda de IA generativa y planea producir en masa productos de 12 capas en el segundo trimestre.<\/p>\n

Adem\u00e1s, planeamos fortalecer nuestro liderazgo en el mercado de servidores mediante la producci\u00f3n en masa y el env\u00edo a clientes de productos de 128 GB (gigabytes) basados \u200b\u200ben DDR5 de 1b nano 32 Gb (gigabit) en el segundo trimestre.<\/p>\n

NAND planea responder de manera oportuna a la demanda de IA mediante el desarrollo de un SSD de 64 TB de capacidad ultraalta y proporcionando muestras en el segundo trimestre, y tambi\u00e9n mejorar su liderazgo tecnol\u00f3gico al iniciar la producci\u00f3n en masa de V9 por primera vez en la industria.<\/p>\n

Samsung (traducido autom\u00e1ticamente)<\/p>\n<\/blockquote>\n

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Seg\u00fan se informa, AMD ha firmado un acuerdo con Samsung Foundry, que suministrar\u00e1 la DRAM HBM3E para su uso en productos existentes y de pr\u00f3xima generaci\u00f3n, como las GPU MI350\/MI370 actualizadas, que se dice que cuentan con mayores capacidades de memoria.<\/p>\n

En el lado de la DRAM DDR5, Samsung lanzar\u00e1 sus m\u00f3dulos de memoria de 1b (nm) de 32 Gb para producci\u00f3n en masa en el segundo trimestre de 2024. Estos circuitos integrados de memoria se utilizar\u00e1n para desarrollar m\u00f3dulos de hasta 128 GB. Samsung ya envi\u00f3 las primeras muestras de sus soluciones DDR5 de pr\u00f3xima generaci\u00f3n a los clientes.<\/p>\n

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Por \u00faltimo, Samsung est\u00e1 actualizando el frente SSD V-NAND, que ver\u00e1 la introducci\u00f3n de SSD para centros de datos de 64 TB. Estos SSD se mostrar\u00e1n a los clientes en el segundo trimestre de 2024 y la empresa tambi\u00e9n espera que la producci\u00f3n en masa de su novena generaci\u00f3n V-NAND comience en el tercer trimestre. Los SSD V-NAND de novena generaci\u00f3n se basar\u00e1n en un dise\u00f1o QLC (Quad Level Cell). Los informes sugieren que TLC V-NAND (9.\u00aa generaci\u00f3n) comenzar\u00e1 a producirse este mes y contar\u00e1 con velocidades de transferencia un 33% m\u00e1s r\u00e1pidas de 3200 MT\/s. Estos SSD aprovechar\u00e1n el \u00faltimo est\u00e1ndar PCIe Gen5.<\/p>\n

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