{"id":114325,"date":"2022-08-23T06:16:22","date_gmt":"2022-08-23T06:16:22","guid":{"rendered":"https:\/\/magazineoffice.com\/la-diapositiva-filtrada-de-tsmc-muestra-que-los-rendimientos-de-n3e-avanzan-por-delante-de-lo-previsto\/"},"modified":"2022-08-23T06:16:23","modified_gmt":"2022-08-23T06:16:23","slug":"la-diapositiva-filtrada-de-tsmc-muestra-que-los-rendimientos-de-n3e-avanzan-por-delante-de-lo-previsto","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/magazineoffice.com\/la-diapositiva-filtrada-de-tsmc-muestra-que-los-rendimientos-de-n3e-avanzan-por-delante-de-lo-previsto\/","title":{"rendered":"La diapositiva filtrada de TSMC muestra que los rendimientos de N3E avanzan por delante de lo previsto"},"content":{"rendered":"


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Un entusiasta de la tecnolog\u00eda comparti\u00f3 lo que parece ser una diapositiva interna de TSMC que muestra el progreso del desarrollo del proceso N3E. HS Kuo<\/a> (se abre en una pesta\u00f1a nueva)<\/span> en Twitter. Recientemente, escuchamos de los medios de comunicaci\u00f3n de negocios de Taiw\u00e1n que N3 iba a llegar a la producci\u00f3n en masa en septiembre, pero no hemos tenido mucha informaci\u00f3n sobre el progreso de N3E desde marzo.<\/p>\n

Para recapitular r\u00e1pidamente, TSMC N3E es una versi\u00f3n ‘Mejorada’ del proceso N3, que inicialmente estaba programado (se abre en una pesta\u00f1a nueva)<\/span> (PDF) para producci\u00f3n en masa un a\u00f1o despu\u00e9s de N3. Sin embargo, la diapositiva nueva pero sin fecha (por favor agregue una pizca de sal) del Sr. Kuo indica que el desarrollo de N3E est\u00e1 progresando bien e incluso est\u00e1 \u00abpor delante de lo planeado\u00bb.<\/p>\n

El gr\u00e1fico sugiere que los rendimientos de N3E SRAM est\u00e1n muy por encima de N3, comenzando unos seis meses antes de la producci\u00f3n de riesgo. Actualmente, se afirma que el rendimiento promedio de SRAM de 256 Mb es de aproximadamente el 80%. Tambi\u00e9n es impresionante que los chips de prueba m\u00f3viles y HPC rindan alrededor del 80 %. Por \u00faltimo, el rendimiento probado del oscilador en anillo es superior al 92 %.<\/p>\n

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(Cr\u00e9dito de la imagen: TSMC \/ HS Kuo)<\/span><\/figcaption><\/figure>\n

No nos sorprenden los informes anteriores sobre N3E de que est\u00e1 progresando tan bien. TSMC dise\u00f1\u00f3 N3E con una ventana de proceso mejorada, con una densidad de transistores ligeramente m\u00e1s baja, lo que naturalmente trae el beneficio de mejores rendimientos. Otros beneficios promocionados de N3E son mejores velocidades de reloj y menor consumo de energ\u00eda.<\/p>\n