Los cient\u00edficos de la Universidad de Cornell han estado utilizando un horno de microondas dom\u00e9stico modificado para ayudar a superar un obst\u00e1culo importante para la producci\u00f3n pr\u00e1ctica de semiconductores de 2 nm. El recocido de microondas resultante se inspira en las teor\u00edas de TSMC sobre las microondas y el dopaje de silicio con f\u00f3sforo. Como resultado, los fabricantes de semiconductores podr\u00edan superar un l\u00edmite de concentraci\u00f3n de f\u00f3sforo anterior utilizando equipos y t\u00e9cnicas recientemente dise\u00f1ados.<\/p>\n
Para que los procesos de semiconductores contin\u00faen reduci\u00e9ndose, el silicio debe doparse con concentraciones de f\u00f3sforo cada vez m\u00e1s altas para facilitar un suministro de corriente preciso y estable. Tal como est\u00e1n las cosas, con la industria comenzando la producci\u00f3n en masa de componentes de 3 nm, los m\u00e9todos tradicionales de recocido a\u00fan funcionan de manera efectiva. Sin embargo, a medida que la industria va m\u00e1s all\u00e1 de los 3 nm, es necesario garantizar concentraciones de f\u00f3sforo superiores a su solubilidad de equilibrio en silicio. Adem\u00e1s de lograr niveles de concentraci\u00f3n m\u00e1s altos, la consistencia es vital para fabricar materiales semiconductores funcionales.<\/p>\n
TSMC hab\u00eda teorizado previamente que las microondas podr\u00edan usarse en el proceso de recocido (calentamiento) para facilitar el aumento de las concentraciones de dopaje de f\u00f3sforo. Sin embargo, las fuentes de calentamiento por microondas anteriormente tend\u00edan a producir ondas estacionarias, que son malas para la consistencia del calentamiento. En t\u00e9rminos simples, los dispositivos de recocido por microondas anteriores calentaban su contenido de manera desigual.<\/p>\n