Esta semana, Samsung Foundry describi\u00f3 su hoja de ruta a m\u00e1s largo plazo que cubre sus procesos de fabricaci\u00f3n de pr\u00f3xima generaci\u00f3n, as\u00ed como la expansi\u00f3n de sus capacidades de producci\u00f3n. La compa\u00f1\u00eda no tiene planes de desacelerar el desarrollo e implementar nuevas tecnolog\u00edas de fabricaci\u00f3n, as\u00ed como de expandir sus capacidades de fabricaci\u00f3n para satisfacer la demanda de chips avanzados en el futuro. <\/p>\n
Samsung Foundry tiene la intenci\u00f3n de comenzar a fabricar chips utilizando su proceso de fabricaci\u00f3n de 2 nm de pr\u00f3xima generaci\u00f3n para 2025, as\u00ed como su nodo de producci\u00f3n de 1,4 nm para 2027, seg\u00fan un informe de Nikkei. A principios de este a\u00f1o, Samsung comenz\u00f3 a fabricar semiconductores utilizando su tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n de 3nm de primera generaci\u00f3n (tambi\u00e9n conocida como 3GAE, o gate-all-around temprano). En 2024, la empresa adoptar\u00e1 su nodo de 3nm de segunda generaci\u00f3n (tambi\u00e9n conocido como 3GAP, o gate-all-around plus). <\/p>\n