Samsung busca capitalizar sus profundas y variadas fuentes de ingresos y tiene la intenci\u00f3n de duplicar las inversiones en tecnolog\u00eda de memoria para el futuro. La compa\u00f1\u00eda anunci\u00f3 recientemente (se abre en una pesta\u00f1a nueva)<\/span> que no reducir\u00e1 su gasto de capital en nuevas tecnolog\u00edas de memoria, incluido GDDR7 que finalmente terminar\u00e1 en las mejores tarjetas gr\u00e1ficas del futuro y V-NAND de capa ultra alta para los mejores SSD. Tampoco busca reducir la fabricaci\u00f3n, a pesar de la desaceleraci\u00f3n de las condiciones del mercado.<\/p>\n La empresa conf\u00eda en que sus planes de gasto son necesarios para asegurar el dominio tecnol\u00f3gico sobre sus competidores, al mismo tiempo que consolida su posici\u00f3n como fabricante l\u00edder de chips de memoria. Para hacerlo, Samsung est\u00e1 apostando por procesos de fabricaci\u00f3n de pr\u00f3xima generaci\u00f3n que permitir\u00e1n escalar la densidad de memoria en DRAM, VRAM y la NAND m\u00e1s reciente y densa que puede impulsar las cargas de trabajo intensivas en datos del futuro.<\/p>\n En el campo de DRAM, la compa\u00f1\u00eda anunci\u00f3 que su \u00faltima fabricaci\u00f3n de clase de 10 nm de quinta generaci\u00f3n (1b) comenzar\u00e1 a lanzar chips de volumen para 2023. Se est\u00e1n realizando investigaciones exploratorias en la fabricaci\u00f3n de DRAM de menos de 10 nm empleando nuevos patrones, materiales y arquitectura. dise\u00f1os que incluyen puertas High-K. Samsung est\u00e1 muy por delante de la mayor\u00eda de sus rivales, que generalmente fabrican chips DRAM en nodos de clase de 14nm.<\/p>\n La memoria GDDR7 de pr\u00f3xima generaci\u00f3n de Samsung, que seguramente adornar\u00e1 los futuros aceleradores de gr\u00e1ficos, ya est\u00e1 en producci\u00f3n. Ofrece velocidades de hasta 36 Gbps, el doble de los 18 Gbps de GDDR6. A esas velocidades de datos, un bus de memoria de 384 bits podr\u00eda ofrecer un ancho de banda de alrededor de 1,728 TB\/s, un gran aumento con respecto al ancho de banda de 1 TB\/s del pr\u00f3ximo RTX 4090. Esto garantizar\u00e1 que los fabricantes de GPU tengan una reserva adecuada de ancho de banda sin tener que aumentar los anchos de bus, ya que eso conducir\u00eda a PCB m\u00e1s caras y un impacto potencial e incluso peor en los precios.<\/p>\n En cuanto a NAND, donde Samsung se erige como el rey indiscutible de la colina, la compa\u00f1\u00eda ahora est\u00e1 dise\u00f1ando y creando prototipos de su V-NAND de novena y d\u00e9cima generaci\u00f3n, con aumentos apropiados en la densidad de capa en comparaci\u00f3n con la tecnolog\u00eda actual. Samsung ahora est\u00e1 enviando su V-NAND de 176 capas de s\u00e9ptima generaci\u00f3n, con planes de lanzar chips V-NAND basados \u200b\u200ben su dise\u00f1o de 230 capas de octava generaci\u00f3n para fin de a\u00f1o. Este \u00faltimo ofrecer\u00e1 un aumento de densidad del 42% con chips de 512 Gb.<\/p>\n Pero Samsung est\u00e1 considerando saltos a\u00fan m\u00e1s significativos en la densidad y espera lograr un dise\u00f1o V-NAND de 1000 capas para 2030. Samsung tambi\u00e9n contin\u00faa trabajando en la tecnolog\u00eda QLC (Quad-Level Cell), con la esperanza de aumentar el rendimiento y aumentar el almacenamiento. densidad.<\/p>\n \u201cIncluso si la situaci\u00f3n actual no es buena, no cambiaremos el rumbo que ya hemos trazado\u201d, dijo Han Jin-man, vicepresidente ejecutivo y jefe de la divisi\u00f3n de marketing y ventas de memoria global de Samsung. \u201cNadie en Samsung est\u00e1 hablando de reducir la producci\u00f3n de chips por ahora\u201d.<\/p>\n Varios otros fabricantes de memorias han anunciado recortes en su producci\u00f3n de memorias en respuesta a la desaceleraci\u00f3n de la demanda, una situaci\u00f3n que se atribuye en parte a la situaci\u00f3n macroecon\u00f3mica general. La desaceleraci\u00f3n de la demanda ya ha provocado un exceso de oferta en el mercado de la memoria, que el director ejecutivo de Micron ha descrito como \u00absin precedentes\u00bb, lo que llev\u00f3 a la empresa a reducir el gasto de capital en el a\u00f1o fiscal 2023 en m\u00e1s del 30 % (unos 8.000 millones de d\u00f3lares), con un aumento adicional Recorte del 50% en el gasto en equipos de fabricaci\u00f3n de obleas.<\/p>\n En Jap\u00f3n, Kioxia tambi\u00e9n anunci\u00f3 una reducci\u00f3n del 30% en la producci\u00f3n de obleas de memoria con la esperanza de que sea suficiente para absorber el inventario almacenado. Ambas compa\u00f1\u00edas est\u00e1n tratando de revertir la presi\u00f3n a la baja sobre los precios de NAND, que ha recibido una paliza a lo largo de 2022 con m\u00e1s reducciones en el horizonte antes de fin de a\u00f1o.<\/p>\n Samsung, por el contrario, est\u00e1 optando por duplicar su liderazgo tecnol\u00f3gico incluso cuando sus competidores est\u00e1n jugando al juego seguro al reducir su producci\u00f3n. Para ser justos, las m\u00faltiples divisiones y fuentes de ingresos de Samsung lo protegen un poco del mercado c\u00edclico y las condiciones de la demanda, por lo que se trata m\u00e1s de qui\u00e9n puede hacerlo en lugar de simplemente mantener el rumbo a ciegas. Samsung puede terminar ayudando a los entusiastas del bricolaje, gracias a su aparente negativa a reducir la producci\u00f3n de fabricaci\u00f3n. La empresa tambi\u00e9n cree que puede ampliar la brecha tecnol\u00f3gica con sus competidores si mantiene el rumbo de su hoja de ruta de inversi\u00f3n.<\/p>\n<\/div>\n