Samsung ha presentado sus planes para soluciones de memoria y DRAM de \u00faltima generaci\u00f3n, incluidas GDDR7, DDR5, LPDDR5X y V-NAND.<\/p>\n
Samsung detalla las soluciones de memoria y DRAM V-NAND de \u00faltima generaci\u00f3n de 36 Gbps GDDR7, 32 Gb DDR5, 8.5 Gbps LPDDR5X y m\u00e1s de 1000 capas<\/h2>\n
Las tres principales soluciones de memoria y DRAM anunciadas por Samsung incluyen sus densidades de DRAM de 32 Gb que permitir\u00e1n duplicar las capacidades en comparaci\u00f3n con los 16 Gb existentes, un aumento del 33 % con respecto a los circuitos integrados DDR5 de 24 Gb que han estado en desarrollo durante alg\u00fan tiempo.<\/p>\n
La compa\u00f1\u00eda tambi\u00e9n anunci\u00f3 su primera especificaci\u00f3n de memoria GDDR7 que ofrecer\u00e1 velocidades de transferencia de hasta 36 Gbps. Eso es un aumento del 50% en la velocidad en comparaci\u00f3n con la soluci\u00f3n de memoria GDDR6 de 24 Gbps m\u00e1s r\u00e1pida actual de Samsung que se lanz\u00f3 para producci\u00f3n el trimestre pasado. Se espera que las GPU RDNA 3 de pr\u00f3xima generaci\u00f3n de AMD est\u00e9n entre las primeras en presentar los nuevos m\u00f3dulos GDDR6, pero GDDR7 tiene que esperar una o dos generaciones antes de que podamos verlo en acci\u00f3n.<\/p>\n Una interfaz DRAM de 36 Gbps a trav\u00e9s de un bus de 384 bits deber\u00eda proporcionar hasta 1,7 TB\/s de ancho de banda, mientras que una interfaz de bus de 256 bits con la misma velocidad proporcionar\u00e1 un ancho de banda de hasta 1,15 TB\/s. Ambos son cifras de ancho de banda mucho m\u00e1s altas en comparaci\u00f3n con lo que ofrecen las soluciones GDDR6X de generaci\u00f3n actual de Micron.<\/p>\n Presione soltar:<\/strong> Samsung Electronics, l\u00edder mundial en tecnolog\u00eda avanzada de semiconductores, present\u00f3 hoy una serie de soluciones de semiconductores de vanguardia preparadas para impulsar la transformaci\u00f3n digital a lo largo de la d\u00e9cada, en el Samsung Tech Day 2022. Una conferencia anual desde 2017, el evento volvi\u00f3 a ser presencial. en el hotel Signia by Hilton San Jose despu\u00e9s de tres a\u00f1os.<\/p>\n El evento de este a\u00f1o, al que asistieron m\u00e1s de 800 clientes y socios, cont\u00f3 con presentaciones de los l\u00edderes comerciales de LSI de sistemas y memorias de Samsung, incluidos Jung-bae Lee, presidente y jefe de negocios de memorias; Yong-In Park, presidente y responsable de System LSI Business; y Jaeheon Jeong, vicepresidente ejecutivo y jefe de la oficina de Americas de Device Solutions (DS), sobre los \u00faltimos avances de la compa\u00f1\u00eda y su visi\u00f3n para el futuro.<\/p>\n Samsung Electronics revel\u00f3 una serie de tecnolog\u00edas avanzadas de chips l\u00f3gicos por primera vez en el stand de Tech Day, incluidos 5G Exynos Modem 5300, Exynos Auto V920 y QD OLED DDI, que son partes esenciales de varias industrias, como la m\u00f3vil, la de electrodom\u00e9sticos y la automotriz. .<\/p>\n Tambi\u00e9n se exhibieron chips que se lanzaron o anunciaron recientemente este a\u00f1o, incluido el procesador m\u00f3vil premium Exynos 2200, junto con el ISOCELL HP3 de 200 MP, el sensor de imagen con los p\u00edxeles de 0,56 micr\u00f3metros (\u03bcm) m\u00e1s peque\u00f1os de la industria.<\/p>\n Basado en el proceso EUV (litograf\u00eda ultravioleta extrema) m\u00e1s avanzado de 4 nan\u00f3metros (nm) y combinado con tecnolog\u00eda m\u00f3vil, GPU y NPU de vanguardia, el Exynos 2200 brinda la mejor experiencia para los usuarios de tel\u00e9fonos inteligentes. El ISOCELL HP3, con un tama\u00f1o de p\u00edxel un 12 % m\u00e1s peque\u00f1o que los 0,64 \u03bcm de su predecesor, puede permitir una reducci\u00f3n de aproximadamente un 20 % en el \u00e1rea de superficie del m\u00f3dulo de la c\u00e1mara, lo que permite a los fabricantes de tel\u00e9fonos inteligentes mantener sus dispositivos premium delgados.<\/p>\n Samsung mostr\u00f3 su ISOCELL HP3 en acci\u00f3n al mostrar a los asistentes al Tech Day la calidad de imagen de las fotograf\u00edas tomadas con una c\u00e1mara con sensor de 200MP, as\u00ed como el funcionamiento del circuito integrado de seguridad de huellas dactilares del sistema LSI para tarjetas de pago biom\u00e9tricas que combina un sensor de huellas dactilares, Secure Element. (SE) y Secure Processor, agregando una capa adicional de autenticaci\u00f3n y seguridad en las tarjetas de pago.<\/p>\n En un a\u00f1o que marca 30 a\u00f1os y 20 a\u00f1os de liderazgo en DRAM y memoria flash NAND respectivamente, Samsung present\u00f3 su DRAM de clase 10nm (1b) de quinta generaci\u00f3n, as\u00ed como NAND vertical (V-NAND) de octava y novena generaci\u00f3n, afirmando el compromiso de la compa\u00f1\u00eda de continuar brindando la combinaci\u00f3n m\u00e1s poderosa de tecnolog\u00edas de memoria durante la pr\u00f3xima d\u00e9cada.<\/p>\n La DRAM 1b de Samsung se encuentra actualmente en desarrollo con planes de producci\u00f3n en masa en 2023. Para superar los desaf\u00edos en la escala de DRAM m\u00e1s all\u00e1 del rango de 10 nm, la compa\u00f1\u00eda ha estado desarrollando soluciones disruptivas en patrones, materiales y arquitectura, con tecnolog\u00eda como material High-K en marcha. .<\/p>\n Luego, la compa\u00f1\u00eda destac\u00f3 las pr\u00f3ximas soluciones DRAM, como DRAM DDR5 de 32 Gb, DRAM LPDDR5X de 8,5 Gbps y DRAM GDDR7 de 36 Gbps, que traer\u00e1n nuevas capacidades a los segmentos de mercado de centros de datos, HPC, dispositivos m\u00f3viles, juegos y autom\u00f3viles.<\/p>\n Al expandirse m\u00e1s all\u00e1 de la DRAM convencional, Samsung tambi\u00e9n subray\u00f3 la importancia de las soluciones DRAM personalizadas, como HBM-PIM, AXDIMM y CXL, que pueden impulsar la innovaci\u00f3n a nivel de sistema para manejar mejor el crecimiento explosivo de los datos en todo el mundo.<\/p>\n Desde su creaci\u00f3n hace una d\u00e9cada, la tecnolog\u00eda V-NAND de Samsung ha progresado a lo largo de ocho generaciones, multiplicando por 10 el n\u00famero de capas y por 15 el crecimiento de bits. El V-NAND de octava generaci\u00f3n de 512 Gb m\u00e1s reciente de Samsung presenta una mejora en la densidad de bits del 42%, logrando la densidad de bits m\u00e1s alta de la industria entre los productos de memoria de celda de triple nivel (TLC) de 512 Gb hasta la fecha. La TLC V-NAND de 1 TB de mayor capacidad del mundo estar\u00e1 disponible para los clientes a finales de a\u00f1o.<\/p>\n La compa\u00f1\u00eda tambi\u00e9n se\u00f1al\u00f3 que su V-NAND de novena generaci\u00f3n est\u00e1 en desarrollo y est\u00e1 programado para la producci\u00f3n en masa en 2024. Para 2030, Samsung prev\u00e9 apilar m\u00e1s de 1,000 capas para habilitar mejor las tecnolog\u00edas de uso intensivo de datos del futuro.<\/p>\n A medida que las aplicaciones de IA y big data impulsan la necesidad de una memoria m\u00e1s r\u00e1pida y de mayor capacidad, Samsung seguir\u00e1 superando la densidad de bits al acelerar la transici\u00f3n a celdas de cuatro niveles (QLC), al tiempo que mejora a\u00fan m\u00e1s la eficiencia energ\u00e9tica para respaldar operaciones de clientes m\u00e1s sostenibles en todo el mundo. .<\/p>\n<\/p><\/div>\n![\"\"](\"https:\/\/cdn.wccftech.com\/wp-content\/uploads\/2022\/10\/Samsung_Tech_Day_dl1-Copy-740x470.jpg\")
<\/figure>\nChips l\u00f3gicos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n exhibidos<\/h3>\n
![\"\"](\"https:\/\/cdn.wccftech.com\/wp-content\/uploads\/2022\/10\/Samsung_Tech_Day_dl5-740x493.jpg\")
<\/figure>\nAspectos destacados del negocio de la memoria<\/h3>\n
Soluciones DRAM para avanzar en la inteligencia de datos<\/h3>\n
![\"\"](\"https:\/\/cdn.wccftech.com\/wp-content\/uploads\/2022\/10\/ddr5_feature_01_02_pc-740x429.jpg\")
<\/figure>\nM\u00e1s de 1000 capas V-NAND para 2030<\/h3>\n
![\"\"](\"https:\/\/cdn.wccftech.com\/wp-content\/uploads\/2022\/08\/Samsung-V-NAND-740x387.webp\")
<\/figure>\n