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Un instituto ruso est\u00e1 desarrollando su propio esc\u00e1ner de litograf\u00eda que podr\u00eda producir chips utilizando tecnolog\u00edas de fabricaci\u00f3n de clase 7nm. La m\u00e1quina est\u00e1 en desarrollo, con el plan de construirla para 2028. Cuando est\u00e9 lista, deber\u00eda ser m\u00e1s eficiente que la herramienta Twinscan NXT:2000i de ASML, cuyo desarrollo tom\u00f3 m\u00e1s de una d\u00e9cada. <\/p>\n
Despu\u00e9s de que Rusia desat\u00f3 su sangrienta guerra contra Ucrania el 24 de febrero, Taiw\u00e1n se apresur\u00f3 a prohibir los env\u00edos de chips avanzados a la naci\u00f3n. Luego, EE. UU., el Reino Unido y la UE siguieron con sanciones que proh\u00edben efectivamente que pr\u00e1cticamente todos los fabricantes de chips contratados con f\u00e1bricas avanzadas trabajen con entidades rusas. Adem\u00e1s, empresas como Arm no pueden otorgar licencias de sus tecnolog\u00edas a dise\u00f1adores de chips con sede en Rusia. Como resultado, el gobierno ruso implement\u00f3 un programa nacional para desarrollar la tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n de clase 28nm propia del pa\u00eds para 2030, aplicar ingenier\u00eda inversa a tantos chips extranjeros como sea posible y educar al talento local para trabajar en chips nacionales. <\/p>\n\nSin embargo, existe un problema con un nodo de producci\u00f3n de clase 28nm para 2030. La f\u00e1brica m\u00e1s avanzada de Rusia puede producir chips utilizando una tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n de 65nm. Mientras tanto, los fabricantes estadounidenses y europeos de herramientas fab no pueden suministrar sus equipos a Rusia debido a las sanciones, por lo que el pa\u00eds tiene que dise\u00f1ar y construir equipos de producci\u00f3n de obleas nacionales si quiere adoptar un nodo de 28 nm. Esencialmente, lo que empresas como ASML y Applied Materials han tardado d\u00e9cadas en desarrollar e iterar tiene que hacerse en unos ocho a\u00f1os. <\/p>\n
Aparentemente, el Instituto Ruso de F\u00edsica Aplicada de la Academia Rusa de Ciencias tiene la intenci\u00f3n de superar todas las expectativas y producir un esc\u00e1ner de litograf\u00eda con capacidad de 7 nm para 2028, seg\u00fan sus planes publicados en el sitio web Nizhy Novgorod Strategy Development (a trav\u00e9s de CNews). <\/p>\n
Un esc\u00e1ner de litograf\u00eda moderno capaz de procesar obleas utilizando una tecnolog\u00eda de proceso de clase de 7 nm es un aparato muy complejo que involucra una fuente de luz de alto rendimiento, \u00f3ptica sofisticada y metrolog\u00eda precisa, solo por nombrar algunas partes cr\u00edticas. Sin embargo, como universidad l\u00edder en f\u00edsica aplicada en Rusia, IAP cree que puede desarrollar una herramienta de este tipo en un per\u00edodo de tiempo relativamente corto. <\/p>\n
La herramienta ser\u00e1 algo diferente de los esc\u00e1neres producidos por empresas como ASML o Nikon. Por ejemplo, IAP planea usar una fuente de luz de >600 W (potencia total, no potencia de enfoque intermedia) con una longitud de onda de exposici\u00f3n de 11,3 nm (la longitud de onda EUV es de 13,5 nm), lo que requerir\u00e1 una \u00f3ptica considerablemente m\u00e1s sofisticada que la que existe actualmente. Debido a que la fuente de luz del dispositivo ser\u00e1 de potencia relativamente baja, har\u00e1 que la herramienta sea m\u00e1s compacta y f\u00e1cil de construir. Sin embargo, tambi\u00e9n significa que la producci\u00f3n del esc\u00e1ner ser\u00e1 considerablemente menor que la de las herramientas modernas de ultravioleta profundo (DUV). Eso podr\u00eda no ser un problema, seg\u00fan IAP. <\/p>\n
Cuando se trata de tiempo, IAP puede ser un poco demasiado optimista. Para todo lo que est\u00e1 por debajo de 32nm, los fabricantes de chips usan la llamada litograf\u00eda de inmersi\u00f3n (que es esencialmente un refuerzo para las herramientas DUV). ASML present\u00f3 su primer sistema de litograf\u00eda de inmersi\u00f3n, el Twinscan XT:1250i, a fines de 2003 con un plan para entregar uno en el tercer trimestre de 2004 para producir chips l\u00f3gicos de 65 nm y DRAM de paso medio de 70 nm. A la empresa le llev\u00f3 cerca de cinco a\u00f1os y otra generaci\u00f3n de herramientas anunciar su Twinscan NXT:1950i con capacidad de 32nm a fines de 2008, y las entregas a los clientes comenzaron en 2009. <\/p>\n
Luego, el l\u00edder del mercado tard\u00f3 unos nueve a\u00f1os en entregar su herramienta Twinscan NXT:2000i DUV con capacidad de 7 nm y 5 nm en 2018. TSMC us\u00f3 herramientas menos avanzadas con patrones m\u00faltiples para su tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n N7 de primera generaci\u00f3n, pero el momento de ASML Las introducciones demuestran lo dif\u00edcil que es hacer la transici\u00f3n de 65nm a 7nm. ASML tard\u00f3 14 a\u00f1os en pasar de 65nm a 7nm. Ahora, IAP, que no tiene ninguna experiencia en la producci\u00f3n de chips ni v\u00ednculos con los fabricantes de chips, tiene la intenci\u00f3n de construir una m\u00e1quina con capacidad de 7 nm para la producci\u00f3n en volumen desde cero en unos seis a\u00f1os. Si bien el plan no parece factible, parece que IAP est\u00e1 lleno de entusiasmo.<\/p>\n
\u00abASML, el l\u00edder mundial en litograf\u00eda, ha estado desarrollando su sistema de litograf\u00eda EUV durante casi 20 a\u00f1os y la tecnolog\u00eda ha resultado ser incre\u00edblemente compleja\u00bb, dijo Nikolai Chkhalo, director adjunto del Instituto de F\u00edsica de Microestructuras de la Academia Rusa de Ciencias. para el desarrollo cient\u00edfico y tecnol\u00f3gico. \u00abEl objetivo principal de ASML en este caso era mantener la productividad extremadamente alta que solo se necesita en las f\u00e1bricas m\u00e1s grandes del mundo. En Rusia, nadie necesita una productividad tan alta. En nuestro trabajo, partimos de las necesidades y tareas que enfrentan los dom\u00e9sticos\u00bb. microelectr\u00f3nica, y esto no se trata tanto de cantidad, sino de calidad. En primer lugar, necesitamos transitar a nuestros propios procesos de fabricaci\u00f3n, desarrollar nuestros propios est\u00e1ndares de dise\u00f1o, nuestras propias herramientas, ingenier\u00eda, materiales, por lo que nuestro propio camino es inevitable aqu\u00ed. De hecho, necesitamos encontrar el equilibrio entre la simplicidad y el rendimiento\u00bb. <\/p>\n
IAP planea construir un esc\u00e1ner alfa completamente funcional para 2024. Este no tendr\u00e1 que ofrecer una alta productividad o una resoluci\u00f3n m\u00e1xima, pero tendr\u00e1 que funcionar y ser atractivo para los inversores potenciales. IAP tiene la intenci\u00f3n de construir una versi\u00f3n beta del esc\u00e1ner con mayor productividad y resoluci\u00f3n para 2026. Esta m\u00e1quina deber\u00eda estar lista para la producci\u00f3n en masa, pero no se espera que su productividad sea m\u00e1xima. Se dice que la iteraci\u00f3n final del esc\u00e1ner litogr\u00e1fico surgir\u00e1 en 2028. Deber\u00eda obtener una fuente de luz de alto rendimiento (por lo tanto, una mejor productividad), una mejor metrolog\u00eda y capacidades generales. No se sabe cu\u00e1ntas de estas m\u00e1quinas IAP y\/o sus socios de producci\u00f3n podr\u00e1n producir para 2028.<\/p>\n
Cabe se\u00f1alar que el equipo de fabricaci\u00f3n no se limita a los esc\u00e1neres de litograf\u00eda. Hay otros tipos de m\u00e1quinas que realizan operaciones de grabado, deposici\u00f3n, remoci\u00f3n de resistencia, metrolog\u00eda e inspecci\u00f3n que no se fabrican en Rusia. Adem\u00e1s, hay maquinaria algo menos avanzada, como generadores de agua y aire ultrapuro, que tampoco se producen en Rusia. Incluso si IAP RAS logra construir una herramienta de litograf\u00eda, a Rusia todav\u00eda le faltar\u00e1n unos cientos de herramientas para construir una f\u00e1brica moderna. Adem\u00e1s, las f\u00e1bricas necesitan materias primas ultrapuras producidas en pa\u00edses que no suministrar\u00e1n a Rusia.<\/p>\n<\/div>\n
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