{"id":271634,"date":"2022-11-01T23:58:06","date_gmt":"2022-11-01T23:58:06","guid":{"rendered":"https:\/\/magazineoffice.com\/micron-presenta-el-nodo-de-proceso-dram-1%ce%b2-1-beta-memoria-lpddr5x-8500\/"},"modified":"2022-11-01T23:58:10","modified_gmt":"2022-11-01T23:58:10","slug":"micron-presenta-el-nodo-de-proceso-dram-1%ce%b2-1-beta-memoria-lpddr5x-8500","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/magazineoffice.com\/micron-presenta-el-nodo-de-proceso-dram-1%ce%b2-1-beta-memoria-lpddr5x-8500\/","title":{"rendered":"Micron presenta el nodo de proceso DRAM 1\u03b2 (1-beta), memoria LPDDR5X-8500"},"content":{"rendered":"


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Micron anunci\u00f3 el martes su tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n 1\u03b2 (1-beta) de pr\u00f3xima generaci\u00f3n para DRAM (se abre en una pesta\u00f1a nueva)<\/span> (Memoria din\u00e1mica de acceso aleatorio). El nuevo nodo permitir\u00e1 a Micron reducir los costos de su DRAM al tiempo que aumenta su eficiencia energ\u00e9tica y rendimiento. 1\u03b2 (1-beta) ser\u00e1 el \u00faltimo proceso de producci\u00f3n de DRAM de la empresa que se basar\u00e1 en la litograf\u00eda de ultravioleta profundo (DUV) y no utilizar\u00e1 herramientas de ultravioleta extremo (EUV).<\/p>\n

El proceso de fabricaci\u00f3n 1\u03b2 de Micron utiliza la compuerta de metal de alta K de segunda generaci\u00f3n (HKMG) de la empresa y se dice que aumenta la densidad de bits de una matriz de memoria de 16 Gb en un 35 % y mejora la eficiencia energ\u00e9tica en un 15 % en comparaci\u00f3n con un dispositivo DRAM similar fabricado en el nodo 1\u03b1 de la empresa. La nueva tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n ser\u00e1 particularmente \u00fatil para chips DDR5 y LPDDR5X de alta capacidad para aplicaciones m\u00f3viles, de servidor y de escritorio. <\/p>\n

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Imagen 1 de 5<\/p>\n

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A diferencia de sus rivales Samsung y SK Hynix, Micron actualmente no usa herramientas EUV y, por lo tanto, tiene que depender de varias t\u00e9cnicas de patrones m\u00faltiples para seguir haciendo que las celdas DRAM sean m\u00e1s peque\u00f1as.<\/p>\n

\u00abImpulsamos la innovaci\u00f3n en todos los campos, incluidas las t\u00e9cnicas de multiplicaci\u00f3n de patrones de vanguardia\u00bb, dijo Thy Tran, vicepresidente de integraci\u00f3n de procesos DRAM en Micron. \u00ab1\u03b2 tambi\u00e9n viene con nuevos procesos, materiales y equipos avanzados para avanzar en nuestra integraci\u00f3n de celdas de memoria para que podamos reducir la matriz de celdas de memoria. [\u2026] Para maximizar todos los beneficios tecnol\u00f3gicos y nuestras innovaciones de dise\u00f1o, tambi\u00e9n estamos escalando agresivamente tanto la altura de la celda de memoria en t\u00e9rminos de tama\u00f1o como el resto de los circuitos en el chip para ahorrar espacio y brindarle el chip m\u00e1s peque\u00f1o posible para una densidad dada mientras optimizando para mejorar la potencia y el rendimiento\u00bb.<\/p>\n

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(Cr\u00e9dito de la imagen: micr\u00f3n)<\/span><\/figcaption><\/figure>\n

El primer producto que Micron fabricar\u00e1 utilizando su nodo de vanguardia ser\u00e1 la memoria LPDDR5X-8500 de 16 Gb, pero finalmente la empresa comenzar\u00e1 a utilizar el nodo para otros productos. Se dice que el chip LPDDR5X de 16 Gb ofrece t\u00e9cnicas mejoradas de control de voltaje del n\u00facleo de extensiones de escala de frecuencia y voltaje din\u00e1mico (eDVFSC) para ahorrar energ\u00eda.<\/p>\n

La memoria LPDDR5X se dise\u00f1\u00f3 no solo para aplicaciones m\u00f3viles como tabletas y tel\u00e9fonos inteligentes, sino tambi\u00e9n para mejorar el rendimiento de diversas aplicaciones que consumen mucho ancho de banda, como sistemas en chips de clase PC y aceleradores de inteligencia artificial (IA).<\/p>\n

La memoria LPDDR5X-8500 de 16 Gb de Micron, as\u00ed como su proceso de fabricaci\u00f3n 1\u03b2, est\u00e1n listos para la producci\u00f3n en masa, seg\u00fan Micron. Actualmente, la empresa est\u00e1 enviando muestras de sus DRAM LPDDR5X-8500 a las partes interesadas e iniciar\u00e1 la producci\u00f3n en masa de estos circuitos integrados una vez que pasen los procedimientos de calificaci\u00f3n.<\/p>\n