{"id":322010,"date":"2022-11-30T00:23:49","date_gmt":"2022-11-30T00:23:49","guid":{"rendered":"https:\/\/magazineoffice.com\/gddr6w-de-samsung-duplica-el-rendimiento-y-la-capacidad\/"},"modified":"2022-11-30T00:23:52","modified_gmt":"2022-11-30T00:23:52","slug":"gddr6w-de-samsung-duplica-el-rendimiento-y-la-capacidad","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/magazineoffice.com\/gddr6w-de-samsung-duplica-el-rendimiento-y-la-capacidad\/","title":{"rendered":"GDDR6W de Samsung duplica el rendimiento y la capacidad"},"content":{"rendered":"


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Samsung ha presentado (se abre en una pesta\u00f1a nueva)<\/span> su nuevo tipo de memoria GDDR6 que duplica la capacidad del paquete DRAM y aumenta el ancho de la interfaz para duplicar su ancho de banda m\u00e1ximo. Los chips GDDR6W de Samsung usan empaque BGA tradicional y se pueden usar para aplicaciones convencionales como las mejores tarjetas gr\u00e1ficas.<\/p>\n

Los chips GDDR6 y GDDR6X contempor\u00e1neos integran un dispositivo DRAM con una interfaz de 32 bits. Por el contrario, un chip GDDR6W incluye dos dispositivos DRAM y, por lo tanto, cuenta con dos interfaces de 32 bits, lo que duplica la capacidad (de 16 Gb a 32 Gb por chip) y el ancho de la interfaz (de 32 bits a 64 bits). Para hacerlo, los chips GDDR6W de Samsung utilizan la tecnolog\u00eda Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) de la compa\u00f1\u00eda que reemplaza la placa de circuito impreso tradicional con una capa de redistribuci\u00f3n (RDL) que es m\u00e1s delgada y tiene patrones de cableado significativamente m\u00e1s finos.<\/p>\n

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(Cr\u00e9dito de la imagen: Samsung)<\/span><\/figcaption><\/figure>\n

Los dispositivos GDDR6W de Samsung generalmente usan los mismos protocolos que GDDR6 pero ofrecen mayor rendimiento y capacidad. Por ejemplo, un chip de memoria GDDR6W de 32 Gb podr\u00eda ofrecer un ancho de banda m\u00e1ximo de 176 GBps, frente a los 88 GBps en el caso de un chip SGRAM GDDR6 normal. Mientras tanto, construir un chip de memoria de 32 Gb usando dos dispositivos de memoria de 16 Gb podr\u00eda ser m\u00e1s econ\u00f3mico que construir un dispositivo de memoria monol\u00edtica de 32 Gb.<\/p>\n

El fabricante de memoria dice que el uso del empaque FOWLP permite reducir el grosor del empaque GDDR6W a 0,7 mm, frente a los 1,1 mm en el caso de los chips GDDR6 est\u00e1ndar, lo que facilita su enfriamiento. Si bien el sentido com\u00fan dice que el empaque FOWLP es m\u00e1s costoso que el empaque BGA tradicional, no est\u00e1 claro qu\u00e9 tan significativamente el primero es m\u00e1s costoso que el segundo. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que la GDDR6W de Samsung deber\u00eda ser m\u00e1s barata que la memoria de gran ancho de banda como HBM2E, tanto en t\u00e9rminos de producci\u00f3n como de uso de la pila de memoria, ya que GDDR6W no requiere el uso de costosos intercaladores.<\/p>\n

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(Cr\u00e9dito de la imagen: Samsung)<\/span><\/figcaption><\/figure>\n

Para poner en contexto las cifras de rendimiento anunciadas de GDDR6W, Samsung dice que un subsistema de memoria GDDR6W de 512 bits (que utiliza ocho chips) puede proporcionar un ancho de banda a nivel de sistema de hasta 1,40 GBps a una velocidad de transferencia de datos de 22 GTps. Por el contrario, un subsistema de memoria HBM2E de 4096 bits ofrece hasta 1,60 TBps a una tasa de transferencia de datos de 3,2 GTps pero a un precio considerablemente m\u00e1s alto.<\/p>\n