Samsung acaba de presentar su memoria gr\u00e1fica de pr\u00f3xima generaci\u00f3n conocida como GDDR6W, que duplica el rendimiento y la capacidad en comparaci\u00f3n con la DRAM GDDR6.<\/p>\n
Presentaci\u00f3n de la memoria Samsung GDDR6W para soluciones gr\u00e1ficas de \u00faltima generaci\u00f3n: E\/S de 64 bits, capacidad de 4 GB por DRAM<\/h2>\n
Presione soltar:<\/strong> A medida que se desarrollan los gr\u00e1ficos avanzados y las tecnolog\u00edas de visualizaci\u00f3n, se borran las l\u00edneas entre el metaverso y nuestra experiencia cotidiana. Gran parte de este importante cambio est\u00e1 siendo posible gracias al avance de las soluciones de memoria dise\u00f1adas para productos gr\u00e1ficos. Soluci\u00f3n de memoria de gr\u00e1ficos de gran ancho de banda: la clave para juegos hiperrealistas y gemelos digitales<\/strong> Uno de los mayores desaf\u00edos para mejorar la realidad virtual es tomar las complejidades de los objetos y entornos del mundo real y recrearlos en un espacio virtual.<\/p>\n Hacerlo requiere una memoria masiva y una mayor potencia inform\u00e1tica. Al mismo tiempo, los beneficios de crear un metaverso m\u00e1s real ser\u00e1n de gran alcance, incluidas simulaciones de la vida real de escenarios complicados y m\u00e1s, lo que generar\u00e1 innovaci\u00f3n en una serie de industrias. Esta es la idea central detr\u00e1s de uno de los conceptos m\u00e1s populares de la realidad virtual: los gemelos digitales. Un gemelo digital es una representaci\u00f3n virtual de un objeto o espacio. Actualizado en tiempo real de acuerdo con el entorno real, un gemelo digital abarca el ciclo de vida de su fuente y utiliza la simulaci\u00f3n, el aprendizaje autom\u00e1tico y el razonamiento para ayudar en la toma de decisiones.<\/p>\n Si bien hasta hace poco esto no era una propuesta factible debido a las limitaciones en el procesamiento y la transferencia de datos, los gemelos digitales ahora est\u00e1n ganando terreno gracias a la disponibilidad de tecnolog\u00edas de alto ancho de banda. Al igual que otras innovaciones tecnol\u00f3gicas, la industria del juego se nutre de la innovaci\u00f3n constante, con nuevas actualizaciones en velocidad y rendimiento que impulsan el mercado a\u00f1o tras a\u00f1o. Gracias al desarrollo de tecnolog\u00edas como Ray Tracing en renderizado 3D, que rastrea el reflejo de la luz en una escena determinada, los gr\u00e1ficos de los juegos AAA de gama alta se est\u00e1n volviendo hiperrealistas y cada vez m\u00e1s inmersivos. El trazado de rayos permite recopilar informaci\u00f3n sobre la luz para determinar el color de cada p\u00edxel mediante c\u00e1lculos en tiempo real.<\/p>\n Este tipo de c\u00e1lculo requiere el c\u00e1lculo casi simult\u00e1neo de cantidades sustanciales de datos: entre 60 y 140 p\u00e1ginas por un segundo de una escena del juego. Adem\u00e1s, la calidad de la pantalla aumenta r\u00e1pidamente, con resoluciones que pasan r\u00e1pidamente del est\u00e1ndar 4K al est\u00e1ndar 8K, mientras que los b\u00faferes de cuadros aumentan para expandirse dos veces m\u00e1s que los existentes en respuesta. Es por eso que la alta capacidad y el alto ancho de banda son esenciales para satisfacer la creciente demanda de memoria a medida que los juegos contin\u00faan desarroll\u00e1ndose. <\/sub><\/p>\n Frame buffer: Memoria que almacena temporalmente la informaci\u00f3n de la imagen que aparece en la pantalla. <\/sub>Desarrollo de la memoria gr\u00e1fica ‘GDDR6W’, con capacidad y rendimiento duplicados basados \u200b\u200ben la tecnolog\u00eda de vanguardia Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) <\/strong> Las soluciones de memoria de alto rendimiento, alta capacidad y alto ancho de banda ayudan a acercar el \u00e1mbito virtual a la realidad. Para satisfacer esta creciente demanda del mercado, Samsung Electronics ha desarrollado GDDR6W (x64): la primera tecnolog\u00eda DRAM de gr\u00e1ficos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n de la industria. GDDR6W se basa en los productos GDDR6 (x32) de Samsung mediante la introducci\u00f3n de una tecnolog\u00eda Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), que aumenta dr\u00e1sticamente el ancho de banda y la capacidad de la memoria.<\/p>\n Desde su lanzamiento, GDDR6 ya ha visto mejoras significativas. En julio pasado, Samsung desarroll\u00f3 una memoria GDDR6 de 24 Gbps, la DRAM de gr\u00e1ficos m\u00e1s r\u00e1pida de la industria. GDDR6W duplica ese ancho de banda (rendimiento) y capacidad sin dejar de tener el mismo tama\u00f1o que GDDR6.<\/p>\n Gracias a la huella sin cambios, los nuevos chips de memoria se pueden colocar f\u00e1cilmente en los mismos procesos de producci\u00f3n que los clientes han usado para GDDR6, con el uso de la tecnolog\u00eda de construcci\u00f3n y apilamiento FOWLP, lo que reduce el tiempo y los costos de fabricaci\u00f3n.<\/p>\n Como se muestra en la imagen a continuaci\u00f3n, dado que puede equiparse con el doble de chips de memoria en un paquete de tama\u00f1o id\u00e9ntico, la capacidad de DRAM gr\u00e1fica aument\u00f3 de 16 Gb a 32 Gb, mientras que el ancho de banda y la cantidad de E\/S se duplicaron de 32 a 64. En otras palabras, el \u00e1rea requerida para la memoria se ha reducido en un 50% en comparaci\u00f3n con los modelos anteriores.<\/p>\n Generalmente, el tama\u00f1o de un paquete aumenta a medida que se apilan m\u00e1s fichas. Pero hay factores f\u00edsicos que limitan la altura m\u00e1xima de un paquete. Adem\u00e1s, aunque el apilamiento de chips aumenta la capacidad, existe una compensaci\u00f3n en la disipaci\u00f3n de calor y el rendimiento. Para superar estas compensaciones, hemos aplicado nuestra tecnolog\u00eda FOWLP a GDDR6W. La tecnolog\u00eda FOWLP monta directamente el troquel de memoria en una oblea de silicio, en lugar de una placa de circuito impreso. Al hacerlo, se aplica la tecnolog\u00eda RDL (capa de redistribuci\u00f3n), lo que permite patrones de cableado mucho m\u00e1s finos. Adem\u00e1s, como no hay PCB involucrada, reduce el grosor del paquete y mejora la disipaci\u00f3n de calor.<\/p>\n La altura del GDDR6W basado en FOWLP es 0,7 mm, un 36 % m\u00e1s delgado que el paquete anterior con una altura de 1,1 mm. Y a pesar de que el chip tiene varias capas, a\u00fan ofrece las mismas propiedades t\u00e9rmicas y el mismo rendimiento que el GDDR6 existente. Sin embargo, a diferencia de GDDR6, el ancho de banda de GDDR6W basado en FOWLP se puede duplicar gracias a la E\/S expandida por paquete \u00fanico. El empaque se refiere al proceso de cortar obleas fabricadas en formas de semiconductores o cables de conexi\u00f3n. En la industria, esto se conoce como \u00abproceso de back-end\u00bb.<\/p>\n Si bien la industria de los semiconductores se ha desarrollado continuamente para escalar los circuitos tanto como sea posible durante el proceso inicial, la tecnolog\u00eda de empaquetado se vuelve cada vez m\u00e1s importante a medida que la industria se acerca a los l\u00edmites f\u00edsicos de los l\u00edmites de tama\u00f1o de los chips. Es por eso que Samsung est\u00e1 utilizando su tecnolog\u00eda de paquete 3D IC en GDDR6W, creando un solo paquete apilando una variedad de chips en un estado de oblea. Esta es una de las muchas innovaciones planeadas para hacer que el empaque avanzado para GDDR6W sea m\u00e1s r\u00e1pido y eficiente.<\/p>\n La tecnolog\u00eda GDDR6W recientemente desarrollada puede admitir ancho de banda de nivel HBM a nivel de sistema. HBM2E tiene un ancho de banda de nivel de sistema de 1,6 TB\/s basado en E\/S de nivel de sistema de 4K y una tasa de transmisi\u00f3n de 3,2 Gpbs por pin. GDDR6W, por otro lado, puede producir un ancho de banda de 1,4 TB\/s basado en 512 E\/S de nivel de sistema y una tasa de transmisi\u00f3n de 22 Gpbs por pin. Adem\u00e1s, dado que GDDR6W reduce la cantidad de E\/S a aproximadamente 1\/8 en comparaci\u00f3n con el uso de HBM2E, elimina la necesidad de usar micro golpes. Eso lo hace m\u00e1s rentable sin necesidad de una capa intermedia.<\/p>\n \u25cf Nivel del sistema: utilizando tarjetas gr\u00e1ficas como ejemplo, configurando puntos de referencia de 8 paquetes GDDR6W y 4 paquetes HBM. \u201cAl aplicar una tecnolog\u00eda de empaquetado avanzada a GDDR6, GDDR6W ofrece el doble de capacidad de memoria y rendimiento que paquetes de tama\u00f1o similar\u201d, dijo CheolMin Park, vicepresidente de planificaci\u00f3n de nuevos negocios en Samsung Electronics Memory Business.<\/p>\n Con GDDR6W, podemos fomentar productos de memoria diferenciados que pueden satisfacer diversas necesidades de los clientes, un paso importante para asegurar nuestro liderazgo en el mercado\u00bb.<\/p>\n Samsung Electronics complet\u00f3 la estandarizaci\u00f3n JEDEC para productos GDDR6W en el segundo trimestre de este a\u00f1o. Tambi\u00e9n ha anunciado que ampliar\u00e1 la aplicaci\u00f3n de GDDR6W a dispositivos de factor de forma peque\u00f1o, como port\u00e1tiles, as\u00ed como nuevos aceleradores de alto rendimiento utilizados para aplicaciones de IA y HPC, a trav\u00e9s de la cooperaci\u00f3n con sus socios de GPU.<\/p>\n![\"Presentaci\u00f3n](\"https:\/\/cdn.wccftech.com\/wp-content\/uploads\/2022\/11\/gddr6_f02_pc-728x520.webp\")
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\n GDDR6W<\/td>\n HBM2E<\/td>\n<\/tr>\n \n El n\u00famero de E\/S de nivel de sistema<\/td>\n 512<\/td>\n 4096<\/td>\n<\/tr>\n \n Velocidad de transmisi\u00f3n del pasador<\/td>\n 22 Gbps<\/td>\n 3.2Gpbs<\/td>\n<\/tr>\n \n Ancho de banda a nivel del sistema<\/td>\n 1,4 TB\/s<\/td>\n 1,6 TB\/s<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n