{"id":365264,"date":"2022-12-22T17:55:04","date_gmt":"2022-12-22T17:55:04","guid":{"rendered":"https:\/\/magazineoffice.com\/micron-retrasa-euv-ram-hasta-2025-despide-al-10-de-la-fuerza-laboral\/"},"modified":"2022-12-22T17:55:05","modified_gmt":"2022-12-22T17:55:05","slug":"micron-retrasa-euv-ram-hasta-2025-despide-al-10-de-la-fuerza-laboral","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/magazineoffice.com\/micron-retrasa-euv-ram-hasta-2025-despide-al-10-de-la-fuerza-laboral\/","title":{"rendered":"Micron retrasa EUV RAM hasta 2025, despide al 10% de la fuerza laboral"},"content":{"rendered":"


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Micron anunci\u00f3 esta semana medidas dr\u00e1sticas de reducci\u00f3n de costos, que incluyen una reducci\u00f3n de la fuerza laboral del 10%, as\u00ed como una mayor reducci\u00f3n de los gastos de capital. Como resultado, la compa\u00f1\u00eda ralentizar\u00e1 la rampa de nuevos nodos DRAM, lo que retrasar\u00e1 su introducci\u00f3n de nodos de producci\u00f3n de 1\u03b3 (1-gamma), que utilizan litograf\u00eda ultravioleta extrema (EUV) hasta 2025. Mientras tanto, la compa\u00f1\u00eda ha comenzado a probar 24 Gb Dispositivos de memoria DDR5 para aplicaciones empresariales.<\/p>\n

Retraso en la implementaci\u00f3n de EUV<\/h2>\n

Micron es el \u00fanico gran fabricante de DRAM que no utiliza litograf\u00eda EUV en sus \u00faltimos procesos de fabricaci\u00f3n. El productor de memoria planea usar EUV para varias capas en su tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n de 1\u03b3, que se presentar\u00e1 en alg\u00fan momento de 2024. Debido a que Micron tiene que reducir el gasto en nuevos equipos en los a\u00f1os fiscales 2023 y 2024, as\u00ed como reducir los env\u00edos de bits DRAM en el En los pr\u00f3ximos trimestres, tendr\u00e1 que reducir la velocidad de las DRAM en sus tecnolog\u00edas de fabricaci\u00f3n 1\u03b2 y 1\u03b3. <\/p>\n

El \u00faltimo nodo de fabricaci\u00f3n 1\u03b2 (1-beta) de la empresa, que aumenta la densidad de bits en un 35 % y mejora la eficiencia energ\u00e9tica en un 15 %, se basa \u00fanicamente en ultravioleta profundo (litograf\u00eda DUV). Por el contrario, Samsung y SK Hynix ya est\u00e1n utilizando esc\u00e1neres EUV para varias capas en sus tecnolog\u00edas de clase 10nm de cuarta generaci\u00f3n (1\u03b1, 1-alfa) y planean aumentar su uso con nodos DRAM de clase 10nm de quinta generaci\u00f3n. Pero la compa\u00f1\u00eda est\u00e1 retrasando su 1\u03b2 para reducir los env\u00edos de producci\u00f3n de brocas y reducir su CapEx, raz\u00f3n por la cual tambi\u00e9n retrasar\u00e1 su introducci\u00f3n de 1\u03b3. <\/p>\n

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(Cr\u00e9dito de la imagen: micr\u00f3n)<\/span><\/figcaption><\/figure>\n

\u00abDada nuestra decisi\u00f3n de reducir la rampa de producci\u00f3n de 1\u00df DRAM, esperamos que nuestra introducci\u00f3n de 1\u03b3 (1-gamma) sea ahora en 2025\u00bb, se lee en un comunicado de Micron. \u00abDel mismo modo, nuestro pr\u00f3ximo nodo NAND m\u00e1s all\u00e1 de la memoria 3D NAND de 232 capas se retrasar\u00e1 para alinearse con la nueva perspectiva de demanda y el crecimiento de la oferta requerida\u00bb. <\/p>\n