{"id":375931,"date":"2022-12-29T21:13:57","date_gmt":"2022-12-29T21:13:57","guid":{"rendered":"https:\/\/magazineoffice.com\/ceremonia-de-expansion-de-capacidad-y-produccion-de-volumen-de-3nm-de-tsmc-celebrada-en-el-sitio-fab-18\/"},"modified":"2022-12-29T21:13:58","modified_gmt":"2022-12-29T21:13:58","slug":"ceremonia-de-expansion-de-capacidad-y-produccion-de-volumen-de-3nm-de-tsmc-celebrada-en-el-sitio-fab-18","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/magazineoffice.com\/ceremonia-de-expansion-de-capacidad-y-produccion-de-volumen-de-3nm-de-tsmc-celebrada-en-el-sitio-fab-18\/","title":{"rendered":"Ceremonia de expansi\u00f3n de capacidad y producci\u00f3n de volumen de 3nm de TSMC celebrada en el sitio Fab 18"},"content":{"rendered":"


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Como se esperaba, TSMC celebr\u00f3 una ceremonia que marcar\u00e1 la producci\u00f3n en volumen del nodo de proceso de 3nm y los planes de expansi\u00f3n de capacidad en Fab 18.<\/p>\n

TSMC celebra una ceremonia de expansi\u00f3n de capacidad y producci\u00f3n en volumen de 3 nm, lo que marca un hito clave para la fabricaci\u00f3n avanzada<\/h2>\n

Presione soltar:<\/strong> TSMC celebr\u00f3 hoy una Ceremonia de Expansi\u00f3n de Capacidad y Producci\u00f3n de Volumen de 3 nan\u00f3metros (3nm) en su nuevo sitio de construcci\u00f3n Fab 18 en el Parque Cient\u00edfico del Sur de Taiw\u00e1n (STSP), que reuni\u00f3 a proveedores, socios de construcci\u00f3n, el gobierno central y local, la Asociaci\u00f3n de la Industria de Semiconductores de Taiw\u00e1n, y miembros de la academia para presenciar un hito importante en la fabricaci\u00f3n avanzada de la Compa\u00f1\u00eda.<\/span><\/p>\n

TSMC ha sentado una base s\u00f3lida para la tecnolog\u00eda de 3nm y la expansi\u00f3n de la capacidad, con Fab 18 ubicado en STSP que funciona como la instalaci\u00f3n GIGAFAB de la empresa que produce tecnolog\u00eda de proceso de 5nm y 3nm. Hoy, TSMC anunci\u00f3 que la tecnolog\u00eda de 3nm ha entrado con \u00e9xito en la producci\u00f3n en volumen con buenos rendimientos y celebr\u00f3 una ceremonia de coronaci\u00f3n para su instalaci\u00f3n Fab 18 Fase 8. <\/span>TSMC estima que la tecnolog\u00eda de 3nm <\/span>crear<\/span> productos finales con un valor de mercado de US $ 1,5 billones dentro de los cinco a\u00f1os de producci\u00f3n en volumen.<\/span><\/p>\n

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Las fases 1 a 8 de TSMC Fab 18 tienen cada una un \u00e1rea de sala blanca de 58 000 metros cuadrados, aproximadamente el doble del tama\u00f1o de una f\u00e1brica l\u00f3gica est\u00e1ndar. La inversi\u00f3n total de TSMC en Fab 18 superar\u00e1 los NT$1,86 billones, creando m\u00e1s de 23 500 puestos de trabajo en la construcci\u00f3n y m\u00e1s de 11 300 oportunidades de empleo directo en alta tecnolog\u00eda. Adem\u00e1s de expandir la capacidad de 3nm en Taiw\u00e1n, TSMC tambi\u00e9n est\u00e1 construyendo una capacidad de 3nm en su sitio de Arizona.<\/span><\/p>\n

TSMC tambi\u00e9n anunci\u00f3 que el Centro de I+D global de la empresa en el Parque Cient\u00edfico de Hsinchu abrir\u00e1 oficialmente en el segundo trimestre de 2023, y contar\u00e1 con 8000 empleados de I+D. TSMC tambi\u00e9n est\u00e1 haciendo los preparativos para sus f\u00e1bricas de 2 nm, que se ubicar\u00e1n en los Parques Cient\u00edficos de Hsinchu y el centro de Taiw\u00e1n, con un total de seis fases que se desarrollar\u00e1n seg\u00fan lo planeado.<\/span><\/p>\n

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El presidente de TSMC, Dr. Mark Liu, presidi\u00f3 la Ceremonia de Expansi\u00f3n de Capacidad y Producci\u00f3n de Volumen de 3nm, y los invitados destacados en el evento incluyeron al Viceprimer Ministro Shen Jong-chin, al Ministro de Asuntos Econ\u00f3micos Wang Mei-Hua, al Ministro de Ciencia y Tecnolog\u00eda Wu Tsung-Tsong, Alcalde de la ciudad de Tainan, Huang Wei-Che, director general de la oficina de administraci\u00f3n de STSP, Su Chen-Kang, presidente de Fu Tsu Construction, Cliff Lin, presidente de United Integrated Services, Belle Lee, presidente de la Universidad Nacional Cheng Kung, Dra. Jenny Su, presidente de Chang Chun Petrochemical, Chih-Chuan Tsai, el vicepresidente de Kuang Ming Enterprise Co., Eric Lin, y el vicepresidente del grupo de materiales aplicados, Erix Yu, <\/span>as\u00ed como representantes de los socios constructores de TSMC, proveedores de materiales y equipos, la Asociaci\u00f3n de la Industria de Semiconductores de Taiw\u00e1n e instituciones acad\u00e9micas.<\/p>\n

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\u201cTSMC mantiene su liderazgo tecnol\u00f3gico mientras invierte significativamente en Taiw\u00e1n, contin\u00faa invirtiendo y prosperando con el medio ambiente. Esta Ceremonia de expansi\u00f3n de capacidad y producci\u00f3n de volumen de 3nm demuestra que estamos tomando medidas concretas para desarrollar tecnolog\u00eda avanzada y expandir la capacidad en Taiw\u00e1n\u201d, dijo el presidente de TSMC, el Dr. Mark Liu, en la ceremonia. \u201cNuestro objetivo es crecer junto con nuestra cadena de suministro ascendente y descendente y desarrollar futuros talentos desde el dise\u00f1o hasta la fabricaci\u00f3n, el empaque y las pruebas, los equipos y los materiales para proporcionar la tecnolog\u00eda de proceso avanzada m\u00e1s competitiva y la capacidad confiable para el mundo e impulsar la innovaci\u00f3n tecnol\u00f3gica en el futuro.\u00bb<\/span><\/p>\n<\/blockquote>\n

TSMC se compromete a prosperar con el entorno natural a trav\u00e9s de la fabricaci\u00f3n ecol\u00f3gica, y toda la construcci\u00f3n de TSMC en el STSP sigue los est\u00e1ndares de certificaci\u00f3n de edificios ecol\u00f3gicos EEWH de Taiw\u00e1n y LEED de EE. UU. Las instalaciones tambi\u00e9n utilizar\u00e1n los recursos h\u00eddricos de la planta de agua recuperada de STSP para alcanzar gradualmente el objetivo de la empresa de utilizar un 60 % de agua recuperada para 2030. Una vez que comience la producci\u00f3n en volumen, Fab 18 utilizar\u00e1 un 20 % de energ\u00eda renovable para finalmente alcanzar el objetivo de sostenibilidad del 100 %. energ\u00edas renovables y cero emisiones para 2050.<\/span> <\/span><\/p>\n

El proceso de 3nm de TSMC es la tecnolog\u00eda de semiconductores m\u00e1s avanzada tanto en potencia, rendimiento y \u00e1rea (PPA) como en tecnolog\u00eda de transistores, y un avance de nodo completo de la generaci\u00f3n de 5nm. En comparaci\u00f3n con el proceso de 5nm (N5), el proceso de 3nm de TSMC ofrece una ganancia de densidad l\u00f3gica de hasta 1,6X y una reducci\u00f3n de potencia del 30-35% a la misma velocidad y es compatible con la innovadora arquitectura TSMC FINFLEX.<\/span><\/p>\n

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