Micron anunci\u00f3 hoy que est\u00e1 enviando TLC NAND de 232 capas, tomando el liderazgo en la industria con el mayor n\u00famero de capas. El nuevo flash NAND viene con la densidad m\u00e1s alta de la industria, lo que permite hasta 2 TB de almacenamiento en un solo paquete de chip NAND. Micron combina la capacidad mejorada con velocidades de escritura hasta un 100 % m\u00e1s r\u00e1pidas y un rendimiento de lectura m\u00e1s de un 75 % m\u00e1s r\u00e1pido por dado en comparaci\u00f3n con la generaci\u00f3n anterior, lo que tambi\u00e9n marca un salto adelante en el frente del rendimiento. Micron ya est\u00e1 enviando este flash en SSD Crucial minoristas no especificados y como componentes NAND a otros fabricantes.<\/p>\n Como puede ver en la diapositiva a continuaci\u00f3n, la mayor densidad de almacenamiento permiti\u00f3 a Micron reducir el paquete general en un 28 % con respecto a su flash de generaci\u00f3n anterior, lo que ser\u00e1 \u00fatil para dispositivos m\u00e1s peque\u00f1os como tel\u00e9fonos inteligentes y tarjetas MicroSD. Cada paquete de chips de 2 TB es tres veces m\u00e1s peque\u00f1o que un sello postal de los EE. UU. y mide unos incre\u00edbles 11,5 x 13,5 mm. Micron se\u00f1ala que puede almacenar 340 horas de video 4K en un solo paquete de chips de 2 TB.<\/p>\n El 232 Layer (232L) de Micron es un buen paso adelante del flash 176L de la generaci\u00f3n anterior de la compa\u00f1\u00eda, pero tambi\u00e9n supera a la competencia en el n\u00famero de capas. Sin embargo, la densidad es la m\u00e9trica m\u00e1s importante. El flash TLC de Micron, cari\u00f1osamente llamado B58R, incluye 1 TB de almacenamiento en un solo troquel peque\u00f1o. Diecis\u00e9is troqueles pueden caber en un paquete, lo que permite hasta 2 TB en un paquete de un solo chip.<\/p>\n La densidad del flash equivale a 14,6 Gb de almacenamiento por mm^2, lo que, seg\u00fan Micron, es una ventaja de entre el 30 % y el 100 % sobre el flash TLC de la competencia que se env\u00eda actualmente (estamos haciendo un seguimiento para aclarar esa afirmaci\u00f3n). Eso significa que cada uno de los troqueles de Micron debe tener aproximadamente 69 mm ^ 2. Como antes, Micron usa su tecnolog\u00eda CMOS bajo la matriz (CuA), ahora en su sexta generaci\u00f3n, para mejorar la densidad apilando la CMOS debajo de la matriz de almacenamiento de datos. Micron tambi\u00e9n utiliza un dise\u00f1o flash de doble pila, lo que significa que cada troquel terminado se compone de dos troqueles de 116 capas unidos en un proceso llamado apilamiento de cuerdas. Micron tambi\u00e9n cita procesos avanzados para crear orificios de alta relaci\u00f3n de aspecto y avances de materiales como contribuyentes al aumento de la densidad.<\/p>\n Veremos una densidad a\u00fan mayor cuando Micron comience a producir su variante QLC, pero la compa\u00f1\u00eda a\u00fan no comparte los detalles. <\/p>\n![\"Nand](\"https:\/\/vanilla.futurecdn.net\/tomshardware\/media\/img\/missing-image.svg\")
<\/picture><\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n
\n \n Micr\u00f3n<\/td>\n Samsung<\/td>\n WD\/Kioxia<\/td>\n hynix<\/td>\n YMTC<\/td>\n<\/tr>\n \n Env\u00edo ahora<\/td>\n 232 capas<\/td>\n 200 capas<\/td>\n 162 capas<\/td>\n 176 capas<\/td>\n 128 capas<\/td>\n<\/tr>\n \n Densidad por mm cuadrado<\/td>\n 14,6 GB mm^2<\/td>\n 8,5 GB mm^2<\/td>\n 10,4 GB mm^2<\/td>\n 10,8 GB mm^2<\/td>\n 8,48 GB mm^2<\/td>\n<\/tr>\n \n Capacidad de matriz<\/td>\n 1 TB<\/td>\n 512 GB<\/td>\n 1 TB<\/td>\n 512 GB<\/td>\n 512 GB<\/td>\n<\/tr>\n \n Pr\u00f3xima generaci\u00f3n (fecha de lanzamiento)<\/td>\n ?<\/td>\n 3xx (desconocido)<\/td>\n 212 (desconocido)<\/td>\n 238 capas (2023)<\/td>\n 196 capas (2H, 2022)<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n