\n<\/p>\n
Samsung ha discutido sus planes para ofrecer hasta Petabytes de capacidad en sus SSD con la futura tecnolog\u00eda 3D NAND, aunque pueden llegar despu\u00e9s de una d\u00e9cada.<\/p>\n
En la Cumbre del mercado de memoria flash de China de este a\u00f1o (CFMS2023), Samsung Electronics estuvo presente, junto con otras empresas destacadas de memoria flash, como Micron, Kioxa, Arm, Solidigm, Phison y m\u00e1s. Samsung Electronics discuti\u00f3 con la audiencia el tema de \u00abRevoluci\u00f3n de la memoria flash y hacia una nueva era\u00bb. Esta discusi\u00f3n destac\u00f3 la capacidad de la empresa de capacidades de memoria de alto nivel y las dificultades para alcanzar una capacidad tan alta con su memoria flash 3D NAND.<\/p>\n
Kyungryun Kim, vicepresidente y gerente general del Grupo de planificaci\u00f3n de productos NAND de Samsung Electronics, explic\u00f3 que los tres niveles de tecnolog\u00eda (escala f\u00edsica, escala l\u00f3gica y tecnolog\u00eda de paquetes) no solo est\u00e1n evolucionando sino que, en teor\u00eda, son capaces de alcanzar capacidades de un petabyte (PB), o 1.024 terabytes (TB). Sin embargo, la empresa no lograr\u00e1 ese objetivo hasta dentro de diez a\u00f1os seg\u00fan los est\u00e1ndares tecnol\u00f3gicos actuales. Adem\u00e1s, la compa\u00f1\u00eda busca utilizar tecnolog\u00eda de celdas de nivel cu\u00e1druple para m\u00e1s dispositivos de memoria y se enfoca en hacer que la tecnolog\u00eda sea m\u00e1s h\u00e1bil.<\/p>\n
Mientras discut\u00eda las v\u00edas evolutivas para alcanzar capacidades de nivel penta, la compa\u00f1\u00eda tambi\u00e9n mostr\u00f3 la unidad de estado s\u00f3lido (SSD) PCIe 5.0 de la serie PM1743. La nueva serie PM1743 es hasta un cuarenta por ciento m\u00e1s eficiente energ\u00e9ticamente que los modelos anteriores y se ha probado que es compatible con las plataformas Intel y AMD PCIe Gen 5.<\/p>\n Samsung siempre ha estado algo callado al hablar de sus avances tecnol\u00f3gicos, especialmente de la memoria 3D NAND. La compa\u00f1\u00eda contin\u00faa buscando formas de llevar al p\u00fablico dispositivos 3D NAND de celdas de nivel cu\u00e1druple con una tasa de adopci\u00f3n m\u00e1s amplia. Samsung siente que centrarse en la tecnolog\u00eda de controladores m\u00e1s nueva alcanzar\u00e1 esos objetivos. Actualmente, la empresa escala f\u00edsicamente los dispositivos 3D NAND. Sin embargo, la empresa necesitar\u00eda investigar la escala l\u00f3gica para tener acceso a dispositivos de memoria por encima de mil capas. El escalado l\u00f3gico permitir\u00eda aumentar la cantidad de bits de informaci\u00f3n almacenados dentro de cada celda.<\/p>\n Si bien la empresa se ha mantenido callada sobre su tecnolog\u00eda, su rival Kioxia ha sido m\u00e1s transparente sobre sus desarrollos. La compa\u00f1\u00eda introdujo la memoria 3D NAND de celda de nivel penta en 2019, que pod\u00eda almacenar hasta cinco bits por celda (5 bpc). Dos a\u00f1os m\u00e1s tarde, Kioxia super\u00f3 la tecnolog\u00eda de 5 bpc para llegar a 6 bpc. La compa\u00f1\u00eda declar\u00f3 que tambi\u00e9n estaban investigando para ver si pod\u00edan avanzar hasta 8 bpc, creando un dispositivo de memoria 3D NAND de celda de nivel octa. Actualmente, la compa\u00f1\u00eda a\u00fan no ha llegado a tales extremos.<\/p>\n El almacenamiento de m\u00faltiples bits por celda presenta muchos desaf\u00edos para muchos fabricantes de 3D NAND. Identificar materiales capaces de almacenar varios estados de voltaje y, al mismo tiempo, poder diferenciarlos para evitar interferencias es uno de esos obst\u00e1culos que todas las empresas luchan actualmente por superar. Adem\u00e1s, necesitan desarrollar t\u00e9cnicas de correcci\u00f3n de errores para mantener la integridad de los datos a medida que aumenta el n\u00famero de bits por celda.<\/p>\n Fuentes de noticias: A & S Mag, CFMS 2023<\/p>\n