Los investigadores de NAND en Kioxia han demostrado con \u00e9xito un concepto funcional de una nueva arquitectura de almacenamiento llamada flash NAND de celda de nivel Hepta. Este nuevo tipo de NAND puede albergar hasta 7 bits por celda, lo que le otorga casi el doble de capacidad de almacenamiento que la memoria flash QLC NAND. Si Kioxia puede estabilizar esta arquitectura de almacenamiento a temperatura ambiente, podr\u00eda convertirse en el \u00faltimo sucesor de los discos duros giratorios en aplicaciones empresariales y de consumo.<\/p>\n
Para crear flash NAND de nivel hepta, Kioxia est\u00e1 utilizando un nuevo dise\u00f1o llamado nueva tecnolog\u00eda de proceso de silicio para aumentar la densidad celular, junto con el enfriamiento criog\u00e9nico. La nueva tecnolog\u00eda de proceso de silicio reemplaza los materiales de polisilicio actuales con un silicio monocristalino que se utiliza en un canal dentro de un transistor de celda de memoria. Aparentemente, esto reduce la cantidad de ruido de lectura procedente de la memoria flash NAND hasta en dos tercios. En otras palabras, la nueva tecnolog\u00eda de procesamiento de silicio produce se\u00f1ales de lectura m\u00e1s claras para leer datos de la memoria flash NAND, lo suficiente como para aumentar la capacidad de la celda de bits a 7.<\/p>\n