{"id":603284,"date":"2023-05-01T18:13:55","date_gmt":"2023-05-01T18:13:55","guid":{"rendered":"https:\/\/magazineoffice.com\/ingenieros-del-mit-desarrollan-materiales-2d-atomicamente-delgados-en-circuitos-de-silicio\/"},"modified":"2023-05-01T18:13:58","modified_gmt":"2023-05-01T18:13:58","slug":"ingenieros-del-mit-desarrollan-materiales-2d-atomicamente-delgados-en-circuitos-de-silicio","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/magazineoffice.com\/ingenieros-del-mit-desarrollan-materiales-2d-atomicamente-delgados-en-circuitos-de-silicio\/","title":{"rendered":"Ingenieros del MIT desarrollan materiales 2D at\u00f3micamente delgados en circuitos de silicio"},"content":{"rendered":"<p> <br \/>\n<\/p>\n<div id=\"article-body\">\n<p>La creciente necesidad de capacidades inform\u00e1ticas m\u00e1s potentes, r\u00e1pidas y eficientes se ha satisfecho con materiales y problemas de ingenier\u00eda cada vez m\u00e1s dif\u00edciles a medida que contin\u00faan los intentos de escalar el rendimiento. <u>Como se public\u00f3 en <\/u><u><em>Naturaleza<\/em><\/u><span class=\"sr-only\">  (se abre en una pesta\u00f1a nueva)<\/span>los ingenieros del MIT han desarrollado un nuevo proceso de fabricaci\u00f3n de silicio que funciona mediante el dep\u00f3sito de transistores at\u00f3micamente delgados (ATT) de tres \u00e1tomos de espesor sobre circuitos de chips ya existentes, esencialmente \u00abhaci\u00e9ndolos crecer\u00bb en pilas inform\u00e1ticas de alta densidad y alto rendimiento.<\/p>\n<p><u>El enfoque novedoso del equipo.<\/u> se parece a la fabricaci\u00f3n aditiva y aplica una capa altamente uniforme de tres \u00e1tomos de espesor de materiales de dichalcogenuro de metal de transici\u00f3n (TMD) 2D en una oblea de silicio completamente fabricada de 8 pulgadas.  Cada nueva capa de TMD permite integraciones m\u00e1s densas entre el chip subyacente y las pilas de transistores a\u00f1adidas, mejorando el rendimiento con una densidad sin igual.<\/p>\n<aside class=\"hawk-nest\" data-render-type=\"fte\" data-skip=\"dealsy\" data-widget-type=\"seasonal\"\/>\n<p>El material 2D base, el disulfuro de molibdeno, es un material flexible y transparente que cumple todos los requisitos en lo que respecta a la conductividad el\u00e9ctrica y fot\u00f3nica, lo que lo convierte en el principal candidato para la construcci\u00f3n de transistores semiconductores.  Est\u00e1 compuesto por una capa de un \u00e1tomo de molibdeno, intercalada entre dos \u00e1tomos de sulfuro.<\/p>\n<p>Eso es todo lo que se requiere para fabricar un transistor moderno: tres \u00e1tomos.<\/p>\n<p>Ese es el punto en el que los beneficios de escalamiento realmente comienzan a mostrarse, seg\u00fan Jiadi Zhu, estudiante de posgrado en ingenier\u00eda el\u00e9ctrica e inform\u00e1tica y coautor principal del art\u00edculo sobre esta nueva t\u00e9cnica.  \u201cEl uso de materiales 2D es una forma poderosa de aumentar la densidad de un circuito integrado.  Lo que estamos haciendo es como construir un edificio de varios pisos.  Si solo tiene un piso, que es el caso convencional, no albergar\u00e1 a muchas personas\u201d, dijo Zhu a MIT News.  \u201cPero con m\u00e1s pisos\u201d, agreg\u00f3, \u201cel edificio albergar\u00e1 a m\u00e1s personas que pueden permitir cosas nuevas y sorprendentes.  Gracias a la integraci\u00f3n heterog\u00e9nea en la que estamos trabajando, tenemos silicio como primer piso y luego podemos tener muchos pisos de materiales 2D integrados directamente en la parte superior\u201d.<\/p>\n<p>Algunas actualizaciones cruciales hacen que este nuevo proceso de dise\u00f1o \u00abcrezca\u00bb como un posible lugar para la fabricaci\u00f3n de chips en el futuro.  Por lo general, crecer o depositar capas 2D en una oblea CMOS requiere temperaturas de alrededor de 600 grados cent\u00edgrados.  El problema aqu\u00ed es que los circuitos de silicio tienden a romperse cuando se someten a temperaturas de 400 grados cent\u00edgrados o m\u00e1s. <\/p>\n<p>Es importante destacar que el nuevo proceso de \u00abcrecimiento\u00bb dise\u00f1ado por el equipo del MIT se desarroll\u00f3 teniendo en cuenta estas limitaciones.  Desarrollaron un proceso de deposici\u00f3n de vapor qu\u00edmico dual que presenta dos c\u00e1maras que funcionan a diferentes temperaturas: el precursor de molibdeno permanece en la regi\u00f3n de baja temperatura de las c\u00e1maras (que permanece por debajo del umbral de 400 grados cent\u00edgrados que da\u00f1a los circuitos electr\u00f3nicos), mientras que el azufre fluye a trav\u00e9s la regi\u00f3n de alta temperatura (por encima de 550 grados cent\u00edgrados), descomponi\u00e9ndose, lo que le permite reaccionar posteriormente con el molibdeno en el proceso de deposici\u00f3n de TMD.<\/p>\n<p>Otra innovaci\u00f3n es que, por primera vez, es posible \u00abhacer crecer\u00bb los transistores at\u00f3micamente delgados como una sola capa continua en todo el chip u oblea de destino.  Las t\u00e9cnicas anteriores (y sus limitaciones) condujeron a procesos en los que los investigadores hicieron crecer las capas en un medio diferente, transfiri\u00e9ndolas al propio chip m\u00e1s adelante en el proceso.  Esto a menudo causaba imperfecciones, ya que la capa no se superpon\u00eda perfectamente con los chips de silicio que eran su destino.  Y puede imaginarse la dificultad de alinear las estructuras del chip, casi del tama\u00f1o de un \u00e1tomo, con las propias capas.<\/p>\n<p>A trav\u00e9s de las diversas mejoras de proceso logradas por los ingenieros del MIT, que aprovecharon las instalaciones de \u00faltima generaci\u00f3n de MIT.Nano, los investigadores lograron demostrar altos niveles de uniformidad y calidad de la capa en la escala de obleas de 8 pulgadas requerida para los procesos de fabricaci\u00f3n modernos. .  El trabajo ahora cambia a ser capaz de afinar la t\u00e9cnica y aumentar la cantidad de capas de transistores apiladas mientras se exploran superficies de deposici\u00f3n flexibles alternativas que podr\u00edan convertirse en un microcircuito, como pol\u00edmeros, textiles o incluso papel (piense en procesamiento habilitado). cuadernos, ropa y otras aplicaciones).<\/p>\n<\/div>\n<p><br \/>\n<br \/><a href=\"https:\/\/magazineoffice.com\/\">Source link-41<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>La creciente necesidad de capacidades inform\u00e1ticas m\u00e1s potentes, r\u00e1pidas y eficientes se ha satisfecho con materiales y problemas de ingenier\u00eda cada vez m\u00e1s dif\u00edciles a medida que contin\u00faan los intentos&hellip;<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":603285,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[21980],"tags":[63595,22381,194,48399,41561,27548,3626,23494,24702],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/603284"}],"collection":[{"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=603284"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/603284\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":603286,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/603284\/revisions\/603286"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/media\/603285"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=603284"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=603284"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=603284"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}