Samsung Foundry planea revelar m\u00e1s detalles sobre su pr\u00f3xima tecnolog\u00eda de proceso SF4X que se enfocar\u00e1 en aplicaciones inform\u00e1ticas de alto rendimiento (HPC), como CPU y GPU de centros de datos, en el Simposio 2023 sobre tecnolog\u00eda y circuitos VLSI. La nueva tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n, anteriormente conocida como 4HPC (computaci\u00f3n de alto rendimiento de clase 4nm) no solo permitir\u00e1 relojes m\u00e1s altos y eficiencia, sino que tambi\u00e9n admitir\u00e1 voltajes aumentados para aquellos que necesitan el m\u00e1ximo rendimiento.<\/p>\n
El nuevo SF4X de Samsung promete un aumento del rendimiento del 10 % al tiempo que logra una reducci\u00f3n del 23 % en el consumo de energ\u00eda. Aunque Samsung no ha proporcionado un punto de referencia espec\u00edfico para estas comparaciones, es probable que el fabricante de chips est\u00e9 comparando el SF4X con su SF4 est\u00e1ndar (4LPP). Las ganancias de rendimiento y los ahorros de energ\u00eda son el resultado de una reevaluaci\u00f3n y un redise\u00f1o integrales de la fuente y el drenaje del transistor en condiciones probables de alto estr\u00e9s, una mayor cooptimizaci\u00f3n de la tecnolog\u00eda de dise\u00f1o a nivel del transistor y un redise\u00f1o de la mitad de la l\u00ednea (MOL) circuitos<\/p>\n
Gracias a este nuevo MOL, SF4X cuenta con un voltaje m\u00ednimo de CPU validado (Vmin) de 60 mV, una disminuci\u00f3n del 10 % en la variaci\u00f3n de corriente fuera de estado, garant\u00eda de operaciones de alto voltaje (Vdd) a m\u00e1s de 1 V sin degradaci\u00f3n del rendimiento y un proceso SRAM mejorado margen. <\/p>\n