Samsung dice que ha reafirmado su liderazgo en DRAM al iniciar la producci\u00f3n en masa (se abre en una pesta\u00f1a nueva)<\/span> DRAM DDR5 de 16 gigabits (Gb) a 12 nm. El gigante de la electr\u00f3nica de Corea del Sur afirma que los circuitos integrados de memoria resultantes de este nuevo proceso reducen el consumo de energ\u00eda en aproximadamente una cuarta parte en comparaci\u00f3n con la generaci\u00f3n anterior y mejorar\u00e1n la productividad de las obleas hasta en una quinta parte. Adem\u00e1s, estos chips de memoria de vanguardia contar\u00e1n con una velocidad de pin m\u00e1xima de 7,2 Gbps.<\/p>\n Al hablar sobre el hito de la fabricaci\u00f3n, Jooyoung Lee, vicepresidente ejecutivo de productos y tecnolog\u00eda DRAM de Samsung Electronics, dijo que \u00abUsando tecnolog\u00eda de proceso diferenciada, la DRAM DDR5 de clase 12nm de Samsung, l\u00edder en la industria, ofrece un rendimiento y una eficiencia energ\u00e9tica sobresalientes\u00bb. Sin embargo, los usuarios de PC tendr\u00e1n que esperar el goteo, ya que el primer uso de estos circuitos integrados DDR5 de 12nm ser\u00e1 en aplicaciones como centros de datos, inteligencia artificial y computaci\u00f3n de pr\u00f3xima generaci\u00f3n.<\/p>\n