{"id":633910,"date":"2023-05-18T16:55:08","date_gmt":"2023-05-18T16:55:08","guid":{"rendered":"https:\/\/magazineoffice.com\/samsung-16gb-ddr5-entra-en-produccion-en-masa-en-el-nodo-de-12nm\/"},"modified":"2023-05-18T16:55:11","modified_gmt":"2023-05-18T16:55:11","slug":"samsung-16gb-ddr5-entra-en-produccion-en-masa-en-el-nodo-de-12nm","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/magazineoffice.com\/samsung-16gb-ddr5-entra-en-produccion-en-masa-en-el-nodo-de-12nm\/","title":{"rendered":"Samsung 16Gb DDR5 entra en producci\u00f3n en masa en el nodo de 12nm"},"content":{"rendered":"


\n<\/p>\n

\n

Samsung dice que ha reafirmado su liderazgo en DRAM al iniciar la producci\u00f3n en masa (se abre en una pesta\u00f1a nueva)<\/span> DRAM DDR5 de 16 gigabits (Gb) a 12 nm. El gigante de la electr\u00f3nica de Corea del Sur afirma que los circuitos integrados de memoria resultantes de este nuevo proceso reducen el consumo de energ\u00eda en aproximadamente una cuarta parte en comparaci\u00f3n con la generaci\u00f3n anterior y mejorar\u00e1n la productividad de las obleas hasta en una quinta parte. Adem\u00e1s, estos chips de memoria de vanguardia contar\u00e1n con una velocidad de pin m\u00e1xima de 7,2 Gbps.<\/p>\n

Al hablar sobre el hito de la fabricaci\u00f3n, Jooyoung Lee, vicepresidente ejecutivo de productos y tecnolog\u00eda DRAM de Samsung Electronics, dijo que \u00abUsando tecnolog\u00eda de proceso diferenciada, la DRAM DDR5 de clase 12nm de Samsung, l\u00edder en la industria, ofrece un rendimiento y una eficiencia energ\u00e9tica sobresalientes\u00bb. Sin embargo, los usuarios de PC tendr\u00e1n que esperar el goteo, ya que el primer uso de estos circuitos integrados DDR5 de 12nm ser\u00e1 en aplicaciones como centros de datos, inteligencia artificial y computaci\u00f3n de pr\u00f3xima generaci\u00f3n.<\/p>\n

\n
\n
\n

<\/picture><\/p>\n<\/div>\n<\/div>

(Cr\u00e9dito de la imagen: Samsung)<\/span><\/figcaption><\/figure>\n

Samsung dice que el desarrollo de DRAM de clase 12nm fue posible gracias al \u00abuso de un nuevo material de alta K\u00bb. Con m\u00e1s detalle, explica que el material de la puerta del transistor utilizado en estos circuitos integrados tiene una capacitancia m\u00e1s alta, lo que hace que su estado sea m\u00e1s f\u00e1cil de distinguir con precisi\u00f3n. Adem\u00e1s, los esfuerzos de Samsung para reducir el voltaje operativo y reducir el ruido tambi\u00e9n ayudaron a ofrecer esta soluci\u00f3n optimizada.<\/p>\n