{"id":70415,"date":"2022-08-03T22:43:47","date_gmt":"2022-08-03T22:43:47","guid":{"rendered":"https:\/\/magazineoffice.com\/kioxia-presenta-la-memoria-de-clase-de-almacenamiento-xl-flash-de-segunda-generacion-para-ssd-de-gama-ultraalta\/"},"modified":"2022-08-03T22:43:48","modified_gmt":"2022-08-03T22:43:48","slug":"kioxia-presenta-la-memoria-de-clase-de-almacenamiento-xl-flash-de-segunda-generacion-para-ssd-de-gama-ultraalta","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/magazineoffice.com\/kioxia-presenta-la-memoria-de-clase-de-almacenamiento-xl-flash-de-segunda-generacion-para-ssd-de-gama-ultraalta\/","title":{"rendered":"Kioxia presenta la memoria de clase de almacenamiento XL-Flash de segunda generaci\u00f3n para SSD de gama ultraalta"},"content":{"rendered":"


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Kioxia ha presentado su memoria de clase de almacenamiento (SCM) XL-Flash de segunda generaci\u00f3n, que combina baja latencia, alto rendimiento y capacidad de flash 3D NAND. Los nuevos dispositivos de memoria est\u00e1n dise\u00f1ados para unidades de estado s\u00f3lido de gama ultra alta, as\u00ed como para varios dispositivos extensores de memoria CXL que deben ofrecer un rendimiento decente y no volatilidad.<\/p>\n

El XL-Flash de segunda generaci\u00f3n de Kioxia difiere sustancialmente de los dispositivos XL-Flash existentes. En primer lugar, el nuevo XL-Flash adopta una arquitectura de celda de varios niveles (MLC) que almacena dos bits por celda (2bpc) en comparaci\u00f3n con el XL-Flash existente que usa una arquitectura de celda de un solo nivel (SLC). El uso de MLC permiti\u00f3 a Kioxia aumentar la capacidad de un solo dispositivo XL-Flash de segunda generaci\u00f3n a 256 GB (32 GB), lo que le permite construir paquetes de chips XL-Flash de hasta 2048 Gb (256 GB) utilizando hasta ocho circuitos integrados. <\/p>\n

En segundo lugar, debido a que MLC tiene una latencia m\u00e1s alta que SLC, Kioxia tuvo que aumentar la cantidad de planos por dispositivo para garantizar un mayor paralelismo de acceso para aumentar el rendimiento m\u00e1ximo y compensar en parte la mayor latencia. El XL-Flash original usaba l\u00edneas de bits y l\u00edneas de palabras m\u00e1s cortas para construir 16 planos por dispositivo (es decir, significativamente m\u00e1s de dos o cuatro planos utilizados por los dispositivos 3D NAND contempor\u00e1neos para PC cliente) en un intento por mejorar el rendimiento. De todos modos, la cantidad de planos por IC XL-Flash de 2.\u00aa generaci\u00f3n es mayor que la cantidad de planos por IC XL-Flash de 1.\u00aa generaci\u00f3n (es decir, m\u00e1s de 16 planos), por lo que es razonable esperar un mayor ancho de banda por dispositivo. <\/p>\n

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(Cr\u00e9dito de la imagen: Kioxia)<\/span><\/figcaption><\/figure>\n