{"id":71010,"date":"2022-08-04T04:03:23","date_gmt":"2022-08-04T04:03:23","guid":{"rendered":"https:\/\/magazineoffice.com\/sk-hynix-revela-nand-3d-de-238-capas-ssd-economicos-y-rapidos-entrantes\/"},"modified":"2022-08-04T04:03:26","modified_gmt":"2022-08-04T04:03:26","slug":"sk-hynix-revela-nand-3d-de-238-capas-ssd-economicos-y-rapidos-entrantes","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/magazineoffice.com\/sk-hynix-revela-nand-3d-de-238-capas-ssd-economicos-y-rapidos-entrantes\/","title":{"rendered":"SK Hynix revela NAND 3D de 238 capas: SSD econ\u00f3micos y r\u00e1pidos entrantes"},"content":{"rendered":"<p> <br \/>\n<\/p>\n<div id=\"article-body\">\n<p>SK Hynix ha presentado su primer dispositivo 3D NAND con 238 capas, el mayor n\u00famero de capas de la industria.  Los nuevos dispositivos de 512 Gb prometen ser bastante econ\u00f3micos y permitir\u00e1n a SK Hynix construir un almacenamiento de estado s\u00f3lido econ\u00f3mico.  Adem\u00e1s, los productos 3D NAND de 512 Gb y 238 capas ayudar\u00e1n al fabricante de memorias a aprender c\u00f3mo producir memoria flash en masa con una gran cantidad de capas.  <\/p>\n<p>El primer dispositivo 3D NAND de SK Hynix con 238 capas cuenta con una arquitectura de celda de triple nivel (TLC), una capacidad de 512 Gb (64 GB) y una velocidad de interfaz de 2400 MT\/s, un aumento del 50 % en comparaci\u00f3n con el buque insignia NAND de la generaci\u00f3n anterior de la fabricante surcoreano.  Como beneficio adicional, el nuevo dispositivo de memoria 3D NAND reduce el consumo de energ\u00eda durante las lecturas en un 21 %, lo que ser\u00e1 una ventaja tanto para las PC m\u00f3viles como para los tel\u00e9fonos inteligentes. <\/p>\n<aside class=\"hawk-nest\" data-render-type=\"fte\" data-skip=\"dealsy\" data-widget-type=\"seasonal\"\/>\n<p>El IC presenta un dise\u00f1o de flash de trampa de carga (CTF), as\u00ed como el dise\u00f1o de celdas perif\u00e9ricas (PUC) de SK Hynix que la compa\u00f1\u00eda llama formalmente &#8216;4D&#8217; NAND.  El perif\u00e9rico bajo celdas (PUC) de la compa\u00f1\u00eda permite reducir los costos de la memoria NAND al hacer que los dispositivos sean un poco m\u00e1s peque\u00f1os. <\/p>\n<p>Formalmente, los dispositivos 3D NAND de 238 capas de SK Hynix son tecnol\u00f3gicamente m\u00e1s avanzados que los circuitos integrados 3D NAND de 232 capas de Micron presentados en julio.  Los dispositivos 3D NAND de 232 capas de Micron cuentan con una capacidad de 1 Gb y, por lo tanto, brindan m\u00e1s espacio de almacenamiento por chip y permiten crear paquetes 3D NAND de hasta 2 TB.  Sin embargo, SK Hynix dice que sus productos 3D NAND de 1 Gb y 238 capas ya se presentar\u00e1n el pr\u00f3ximo a\u00f1o.<\/p>\n<p>De hecho, los dispositivos 3D NAND de 512 Gb y 238 capas pueden tener ciertas ventajas sobre los circuitos integrados 3D NAND de 1 Gb y 232 capas cuando se trata de construir SSD r\u00e1pidos de rango medio (que tienen todas las posibilidades de ingresar a nuestra lista de mejores SSD).  Ocho dispositivos 3D NAND de 512 Gb permiten construir unidades de 512 GB con los ocho canales NAND activos y, por lo tanto, brindan el m\u00e1ximo paralelismo y rendimiento posibles a un costo relativamente bajo.<\/p>\n<p>SK Hynix planea comenzar la producci\u00f3n en masa de dispositivos 3D TLC NAND de 238 capas (o 4D NAND, si lo prefiere) en la primera mitad de 2023. Los nuevos circuitos integrados de memoria flash se utilizar\u00e1n inicialmente para los SSD del cliente, m\u00e1s adelante se adoptar\u00e1n para tel\u00e9fonos inteligentes, as\u00ed como para unidades de centro de datos.<\/p>\n<\/div>\n<p><br \/>\n<br \/><a href=\"https:\/\/magazineoffice.com\/\">Source link-41<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>SK Hynix ha presentado su primer dispositivo 3D NAND con 238 capas, el mayor n\u00famero de capas de la industria. 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