Investigadores del Instituto de Tecnolog\u00eda de Tokio han esbozado su nueva memoria 3D h\u00edbrida BBCube. BBCube 3D es la abreviatura de ‘Bumpless Build Cube 3D’. Se afirma que este nuevo tipo de memoria podr\u00eda allanar el camino hacia una computaci\u00f3n m\u00e1s r\u00e1pida y eficiente al mejorar el ancho de banda entre las unidades de procesamiento (o PU, como GPU y CPU) y los chips de memoria. Las afirmaciones espec\u00edficas de la tecnolog\u00eda son que ofrece 30 veces el ancho de banda de DDR5 o 4 veces el ancho de banda de HBM2E. Es importante destacar que tambi\u00e9n ofrece eficiencias impresionantes al reducir la energ\u00eda de acceso de bits a una vig\u00e9sima parte de la memoria DDR5 y una quinta parte de la utilizada con HBM2E.<\/p>\n
La arquitectura apilada de BBCube 3D \u00abha logrado el rendimiento m\u00e1s alto posible en todo el mundo\u00bb, se jacta el blog oficial de noticias de Tokyo Tech. Antes de explicar c\u00f3mo se dise\u00f1a la memoria 3D de BBCube, los investigadores describen el problema al que se enfrentan los dise\u00f1adores que utilizan la tecnolog\u00eda de memoria actualmente disponible, como DDR5 o HBM2E. Afirman que el mayor ancho de banda deseable actualmente se produce a expensas de uno o ambos buses m\u00e1s anchos y costosos, o aumentos de la velocidad de datos que consumen mucha energ\u00eda.<\/p>\n Entonces, \u00bfc\u00f3mo mejora BBCube 3D la integraci\u00f3n entre las PU y la memoria din\u00e1mica de acceso aleatorio (DRAM)? El diagrama anterior ofrece una descripci\u00f3n general b\u00e1sica del dise\u00f1o 3D de BBCube. Puede ver que los Pus se sientan encima de sus cach\u00e9s en la parte superior de las pilas de memoria. Todos estos est\u00e1n alojados en una base de interposici\u00f3n de silicio. <\/p>\n Se explica adem\u00e1s que \u00abla falta de los t\u00edpicos microgolpes de soldadura y el uso de TSV en lugar de cables m\u00e1s largos contribuyen juntos a una baja capacitancia par\u00e1sita y una baja resistencia\u00bb. La estructura crea conexiones entre PU y DRAM en tres dimensiones, haciendo un uso extensivo de las v\u00edas de silicio (TSV) antes mencionadas.<\/p>\n El desempe\u00f1o declarado por Tokyo Tech para BBCube 3D lo har\u00eda muy atractivo para los dise\u00f1os inform\u00e1ticos gracias a una combinaci\u00f3n convincente de rendimiento y uso reducido de energ\u00eda. Se dice que otra cualidad deseable del dise\u00f1o, derivada de la eficiencia energ\u00e9tica, es la reducci\u00f3n de los \u00abproblemas de suministro de energ\u00eda y gesti\u00f3n t\u00e9rmica\u00bb, que pueden precipitarse con algunos dise\u00f1os de semiconductores 3D.<\/p>\n![\"Memoria](\"https:\/\/cdn.mos.cms.futurecdn.net\/ZxkoEboosJdZjpjtFCs8M8.jpg\")
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