Samsung acaba de anunciar el desarrollo de la primera memoria DRAM GDDR7 de la industria para GPU de \u00faltima generaci\u00f3n.<\/p>\n
Samsung desarrolla memoria GDDR7, el siguiente cap\u00edtulo para GPU de alto rendimiento a partir de 32 Gbps<\/h2>\n
El desarrollo de GDDR7 DRAM se logr\u00f3 casi 8 meses despu\u00e9s de que el fabricante de semiconductores anunciara por primera vez la DRAM. En ese entonces, Samsung declar\u00f3 que GDDR7 usar\u00e1 la se\u00f1alizaci\u00f3n PAM3 y contar\u00e1 con velocidades de hasta 36 Gbps. Micron tambi\u00e9n ha anunciado su DRAM GDDR7, pero el desarrollo a\u00fan no se ha anunciado. Micron afirm\u00f3 que el nuevo est\u00e1ndar de memoria se lanzar\u00e1 en el primer semestre de 2024. Adem\u00e1s de eso, Cadence ya comenz\u00f3 a enviar las primeras herramientas de verificaci\u00f3n GDDR7 a los clientes.<\/p>\n Entonces, volviendo a la prensa de hoy, la memoria Samsung GDDR7 servir\u00e1 como la pr\u00f3xima DRAM para llegar a las GPU en los segmentos de IA, HPC, juegos y automoci\u00f3n. El nuevo est\u00e1ndar se instalar\u00e1 efectivamente en los sistemas de pr\u00f3xima generaci\u00f3n de clientes clave para su verificaci\u00f3n dentro de este a\u00f1o y brindar\u00e1 un gran salto en el rendimiento general.<\/p>\n Seg\u00fan Samsung, la memoria GDDR7 ofrecer\u00e1 un aumento del rendimiento del 40 % y una mejora de la eficiencia energ\u00e9tica del 20 % en comparaci\u00f3n con la DRAM GDDR6 de 24 Gbps m\u00e1s r\u00e1pida actual que ofrece capacidades de matriz de hasta 16 Gb. Los primeros productos tendr\u00e1n una velocidad de transferencia de hasta 32 Gbps, lo que marca una mejora del 33 % con respecto a la memoria GDDR6 y lograr\u00e1 hasta 1,5 TB\/s de ancho de banda en una soluci\u00f3n de interfaz de bus de 384 bits.<\/p>\n \u201cNuestra DRAM GDDR7 ayudar\u00e1 a mejorar las experiencias de los usuarios en \u00e1reas que requieren un rendimiento gr\u00e1fico excepcional, como estaciones de trabajo, PC y consolas de juegos, y se espera que se expanda a aplicaciones futuras como IA, computaci\u00f3n de alto rendimiento (HPC) y veh\u00edculos automotores\u201d. dijo Yongcheol Bae, vicepresidente ejecutivo del equipo de planificaci\u00f3n de productos de memoria de Samsung Electronics. \u201cLa DRAM de gr\u00e1ficos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n se lanzar\u00e1 al mercado de acuerdo con la demanda de la industria y planeamos continuar con nuestro liderazgo en el espacio\u201d.<\/p>\n<\/blockquote>\n A continuaci\u00f3n se muestra el ancho de banda que ofrecer\u00edan las velocidades de pin de 32 Gbps en varias configuraciones de bus:<\/p>\n Todav\u00eda no conocemos ning\u00fan producto, pero AMD y NVIDIA ofrecen sus GPU en una configuraci\u00f3n de 384 bits. Podemos esperar que AMD sea un cliente principal para usar la DRAM de Samsung, ya que NVIDIA prefiere ir con Micron, pero eso est\u00e1 por verse. Los fabricantes de GPU definitivamente tendr\u00e1n memoria Micron, SK Hynix y Samsung GDDR7 para elegir, al igual que sus socios AIB. En cuanto al rendimiento, parece que PAM3 Signaling marca un gran problema que permite transmitir un 50 por ciento m\u00e1s de datos que NRZ dentro del mismo ciclo de se\u00f1alizaci\u00f3n.<\/p>\n Adem\u00e1s de las ganancias de rendimiento, la memoria GDDR7 tambi\u00e9n ofrecer\u00e1 un 20 % m\u00e1s de eficiencia y eso es excelente si se tiene en cuenta que la memoria consume una gran cantidad de energ\u00eda para las GPU de gama alta. Se dice que la DRAM GDDR7 de Samsung incluir\u00e1 tecnolog\u00eda espec\u00edficamente optimizada para cargas de trabajo de alta velocidad y tambi\u00e9n habr\u00e1 una opci\u00f3n de bajo voltaje de operaci\u00f3n dise\u00f1ada para aplicaciones con un uso consciente de la energ\u00eda, como las computadoras port\u00e1tiles. Para las t\u00e9rmicas, el nuevo est\u00e1ndar de memoria utilizar\u00e1 un compuesto de moldeo epoxi (EMC) con alta conductividad t\u00e9rmica que reduce la resistencia t\u00e9rmica hasta en un 70 %.<\/p>\n En las im\u00e1genes, tambi\u00e9n se puede ver que los troqueles de memoria GDDR7 cuentan con un factor de forma BGA de 266 pines en comparaci\u00f3n con los 180 pines utilizados por los troqueles de memoria GDDR6. Esto requerir\u00eda un cambio importante en la placa de circuito impreso para que los productos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n se adapten al est\u00e1ndar DRAM m\u00e1s nuevo, ya que se trata de un aumento de alrededor del 50 % en la densidad de pines.<\/p>\n Si bien definitivamente queda algo de jugo por exprimir de GDDR6 en forma de GDDR6X y GDDR6W, parece que la mayor\u00eda de los fabricantes de GPU cambiar\u00e1n al nuevo est\u00e1ndar en alg\u00fan momento a finales de 2024 o 2025. No se espera que NVIDIA se lance su l\u00ednea de juegos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n hasta 2025 y eso hace que el RDNA 4 de AMD, que llegar\u00e1 el pr\u00f3ximo a\u00f1o, sea el candidato m\u00e1s probable para usar tales configuraciones de memoria. O es posible que podamos ver actualizaciones de ambos fabricantes de GPU el pr\u00f3ximo a\u00f1o con una VRAM GDDR6 m\u00e1s r\u00e1pida y seguidas de un lanzamiento adecuado con memoria GDDR7 en 2025.<\/p>\n\n
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