{"id":755462,"date":"2023-08-02T22:50:35","date_gmt":"2023-08-02T22:50:35","guid":{"rendered":"https:\/\/magazineoffice.com\/investigadores-chinos-promocionan-los-transistores-de-nanotubos-de-carbono-mas-densos-hasta-la-fecha-nodos-de-menos-de-10-nm\/"},"modified":"2023-08-02T22:50:39","modified_gmt":"2023-08-02T22:50:39","slug":"investigadores-chinos-promocionan-los-transistores-de-nanotubos-de-carbono-mas-densos-hasta-la-fecha-nodos-de-menos-de-10-nm","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/magazineoffice.com\/investigadores-chinos-promocionan-los-transistores-de-nanotubos-de-carbono-mas-densos-hasta-la-fecha-nodos-de-menos-de-10-nm\/","title":{"rendered":"Investigadores chinos promocionan los transistores de nanotubos de carbono m\u00e1s densos hasta la fecha, nodos de menos de 10 nm"},"content":{"rendered":"<p> <br \/>\n<\/p>\n<div id=\"article-body\">\n<p>Investigadores de la Universidad de Pek\u00edn y otros institutos en China han logrado miniaturizar los nanotubos de carbono hacia una escala FET (Field-Effect Transistor) de 90 nm, la m\u00e1s densa jam\u00e1s lograda, trazando as\u00ed un curso a una densidad equivalente a la de los nodos semiconductores de 10 nm de hoy.  Publicado originalmente en <em>Naturaleza Electr\u00f3nica<\/em>la investigaci\u00f3n marca la mayor miniaturizaci\u00f3n de un FET basado en tubos de carbono hasta ahora y podr\u00eda ayudar a China a modernizar su tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n de manera que la proteja de las sanciones tecnol\u00f3gicas de EE. UU. y sus aliados.<\/p>\n<p>Los nanotubos de carbono han sido durante mucho tiempo (l\u00e9ase: mucho tiempo) uno de los candidatos m\u00e1s prometedores para un dise\u00f1o de transistor actualizado que es capaz de velocidades de conmutaci\u00f3n m\u00e1s r\u00e1pidas (frecuencias operativas m\u00e1s altas) con menos fugas (menos desperdicio de electricidad) y, en \u00faltima instancia, mayor eficiencia y rendimiento.<\/p>\n<aside class=\"hawk-nest\" data-render-type=\"fte\" data-skip=\"dealsy\" data-widget-type=\"seasonal\"\/>\n<p>\u00abEl progreso reciente en la consecuci\u00f3n de matrices de nanotubos de carbono semiconductores de alta densidad a escala de obleas nos acerc\u00f3 un paso m\u00e1s al uso pr\u00e1ctico de nanotubos de carbono en circuitos CMOS\u00bb, dijo a Phys.org Zhiyong Zhang, uno de los investigadores que llev\u00f3 a cabo el estudio.  \u00abSin embargo, los esfuerzos de investigaci\u00f3n anteriores se han centrado principalmente en escalar la longitud del canal o de la puerta de los transistores de nanotubos de carbono manteniendo grandes dimensiones de contacto, lo que no se puede aceptar para los circuitos CMOS de alta densidad en aplicaciones pr\u00e1cticas\u00bb, agreg\u00f3.<\/p>\n<p>El problema al que hace referencia Zhiyong Zhang es conocido por nosotros, los entusiastas de la tecnolog\u00eda: hace mucho tiempo que la carrera de los nan\u00f3metros se ha convertido m\u00e1s en un impulso de marketing que en una descripci\u00f3n real del tama\u00f1o de los transistores integrados en el dise\u00f1o.  Recientemente hemos visto una admisi\u00f3n de este problema exacto dentro de los esfuerzos de cambio de marca de Intel para su proceso SuperFin de 10 nm (ahora solo Intel 7, con el elemento \u00abnm\u00bb ofensivo y en su mayor\u00eda in\u00fatil que se muestra como la salida m\u00e1s f\u00e1cil).  Pero, \u00bfpor qu\u00e9 vender su producto como un proceso de 12 nm \u00abreal\u00bb cuando 10 nm es m\u00e1s peque\u00f1o y, por lo tanto, mejor?<\/p>\n<p>Dejando de lado los golpes de pecho de marketing, la industria de los semiconductores tiene un est\u00e1ndar para caracterizar los transistores a nivel nanom\u00e9trico: paso de puerta contactado y el \u00e1rea de celda SRAM de 6T. <\/p>\n<p>Los investigadores adoptaron un enfoque de ajuste fino para su dise\u00f1o, reduciendo la escala de dise\u00f1os m\u00e1s f\u00e1ciles y menos densos hasta que alcanzaron el punto de ruptura equivalente a 10 nm.  Los dise\u00f1os iniciales de FET de nanotubos de carbono logrados por el equipo presentaban una \u00abdensidad nm\u00bb a 175 nm, pero presentaban caracter\u00edsticas de densidad, conmutaci\u00f3n y t\u00e9rmicas que superaban las logradas con procesos CMOS de 45 nm.  Luego pasaron a un dise\u00f1o de nanotubos de carbono de 90 nm, que una vez m\u00e1s demostr\u00f3 ser funcional.<\/p>\n<p>\u00abNuestro trabajo demostr\u00f3 experimentalmente una verdadera tecnolog\u00eda de nodo de 90 nm utilizando nanotubos de carbono, que podr\u00edan hacerse geom\u00e9tricamente m\u00e1s peque\u00f1os y ofrecer un rendimiento electr\u00f3nico superior al de los transistores de nodo de silicio de 90 nm\u00bb.<\/p>\n<p>Para permitir esta escala impresionante, los investigadores tuvieron que idear una nueva forma de cortar los nanotubos de carbono (cuya longitud normalmente define la resistencia el\u00e9ctrica del tubo) para poder crear tubos m\u00e1s cortos que todav\u00eda mostraran las caracter\u00edsticas el\u00e9ctricas requeridas.  Al final, esperan que su dise\u00f1o FET de nanotubos de carbono sea escalable a tama\u00f1os comparables a los que se encuentran en los transistores de silicio de nodo de 10 nm.<\/p>\n<p>Hay algo que decir sobre las recientes victorias de China en los campos acad\u00e9mico y de investigaci\u00f3n, ya que el pa\u00eds busca una salida a las restricciones de importaci\u00f3n de tecnolog\u00eda y chips impuestas por EE. son competitivos con sus contrapartes occidentales.  Una forma de que China eluda las restricciones es que el pa\u00eds simplemente haga la investigaci\u00f3n por s\u00ed mismo.  Cuanto m\u00e1s avanzada sea la investigaci\u00f3n, mejor: China necesitar\u00e1 m\u00e1s tiempo para adquirir los materiales, las patentes y la tecnolog\u00eda que le permitir\u00e1n buscar y fabricar estos productos sin verse obstaculizada por las restricciones comerciales.<\/p>\n<\/div>\n<p><br \/>\n<br \/><a href=\"https:\/\/magazineoffice.com\/\">Source link-41<\/a><\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Investigadores de la Universidad de Pek\u00edn y otros institutos en China han logrado miniaturizar los nanotubos de carbono hacia una escala FET (Field-Effect Transistor) de 90 nm, la m\u00e1s densa&hellip;<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":755463,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[21980],"tags":[16217,18968,97166,829,882,6514,8,84,640,100324,46825,19385,32699],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/755462"}],"collection":[{"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=755462"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/755462\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":755464,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/755462\/revisions\/755464"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/media\/755463"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=755462"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=755462"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/magazineoffice.com\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=755462"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}