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Ahora que la ley Chips and Science se convirti\u00f3 en ley, las empresas que se supone que deben obtener subsidios para el desarrollo y la producci\u00f3n de chips en los EE. UU. pueden comenzar a proponer planes para su expansi\u00f3n. Por ejemplo, Micron y Western Digital, dos fabricantes l\u00edderes de memoria DRAM y NAND, proponen establecer una coalici\u00f3n de investigaci\u00f3n y desarrollo de memoria en los EE. UU. y luego producir tipos innovadores de memoria en el pa\u00eds.<\/p>\n
Llevando el desarrollo y la producci\u00f3n de memorias de regreso a los EE. UU. <\/h2>\n Mientras que EE. UU. produce solo alrededor del 12 % de la producci\u00f3n mundial de semiconductores, empresas como Intel, GlobalFoundries y Samsung Foundry producen chips relativamente avanzados en el pa\u00eds. Se han utilizado en todo el mundo ya que muchos de ellos son \u00fanicos. Pero con respecto a la producci\u00f3n de memorias para computadoras, EE. UU. est\u00e1 muy por detr\u00e1s de Corea del Sur, Jap\u00f3n y Taiw\u00e1n, principalmente debido a los altos costos de fabricaci\u00f3n y mano de obra de Am\u00e9rica del Norte. Es un poco extra\u00f1o ya que muchas tecnolog\u00edas de memoria innovadoras y procesos de fabricaci\u00f3n se desarrollan en EE. UU. o en EE. UU. y Jap\u00f3n. Con los fondos proporcionados por la ley Chips and Science, Micron y Western Digital esperan corregir este error.<\/p>\n\n\u00abPara asegurar el liderazgo de EE. UU. en el \u00e1rea cr\u00edtica de la memoria de semiconductores y la tecnolog\u00eda de almacenamiento, la NSTC debe desarrollar y articular una visi\u00f3n a largo plazo (>5 a\u00f1os) y una hoja de ruta para habilitar la pr\u00f3xima generaci\u00f3n de estas tecnolog\u00edas\u00bb, un comunicado conjunto dice el comunicado entre las dos empresas.<\/p>\n
Una de las organizaciones p\u00fablico-privadas que se establecer\u00e1 con la ayuda de los fondos de Chips and Science, as\u00ed como con inversiones de las partes interesadas, ser\u00e1 el Centro Nacional de Tecnolog\u00eda de Semiconductores (NSTC), que reunir\u00e1 a la industria, el gobierno, los laboratorios nacionales, y la academia para realizar investigaciones y prototipos avanzados de semiconductores, seg\u00fan la Asociaci\u00f3n de la Industria de Semiconductores (se abre en una pesta\u00f1a nueva)<\/span>. Por ejemplo, Micron y Western Digital proponen formar la Memory Coalition of Excellence (MCOE) (se abre en una pesta\u00f1a nueva)<\/span>, que formar\u00e1 parte del NSTC y se centrar\u00e1 por completo en las nuevas tecnolog\u00edas de memoria. Adem\u00e1s, ambas empresas esperan obtener subsidios para construir nueva capacidad de fabricaci\u00f3n en EE. UU.<\/p>\n\u00abUna Memory Coalition of Excellence (MCOE) apoyar\u00e1 esta era de transformaci\u00f3n y nuevas innovaciones tecnol\u00f3gicas requeridas\u00bb, se lee en el comunicado de Micron y Western Digital. \u00abEste MCOE debe ser un esfuerzo enfocado en la industria, la academia y el gobierno con objetivos claramente definidos relacionados con la superaci\u00f3n de los desaf\u00edos descritos en este documento y debe alinearse con otras coaliciones de excelencia (COE) clave para apoyar los objetivos generales del NSTC. \u00ab<\/p>\n
Se requieren nuevos tipos de memoria, trabajemos juntos <\/h2>\n Un \u00e1vido lector de Tom’s Hardware notar\u00e1 con raz\u00f3n que 3D NAND y DRAM son productos cuyos precios fluct\u00faan y afectan significativamente la rentabilidad de los fabricantes, raz\u00f3n por la cual es crucial fabricar este tipo de memoria en las regiones con los costos m\u00e1s bajos y, obviamente, en los EE. UU. dif\u00edcilmente pertenece all\u00ed. Adem\u00e1s, tanto Micron como Western Digital ya tienen operaciones de I+D de DRAM y 3D NAND en Jap\u00f3n, por lo que MCOE en EE. UU. puede parecer excesivo. Pero hay varios factores a considerar.<\/p>\n\n\n
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<\/picture><\/p>\n<\/div>\n<\/div>(Cr\u00e9dito de la imagen: Micron, Western Digital)<\/span><\/figcaption><\/figure>\nEn primer lugar, los dispositivos inform\u00e1ticos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n, que Micron y Western Digital denominan arquitecturas espec\u00edficas de dominio (DSA), requerir\u00e1n tipos de memoria completamente nuevos. En particular, los dos fabricantes de memoria mencionan arquitecturas de c\u00f3mputo de prop\u00f3sito general que usan diferentes tipos de memoria, dise\u00f1os con reconocimiento de acelerador que usan memoria de alta velocidad y arquitecturas centradas en la memoria que unen estrechamente el c\u00f3mputo (l\u00f3gica) y la memoria. Si bien las arquitecturas tradicionales seguir\u00e1n utilizando cosas como 3D NAND, DRAM y HBM, las arquitecturas emergentes necesitar\u00e1n nuevos tipos de memoria, que deber\u00e1n proporcionar beneficios generales en una variedad de m\u00e9tricas de dispositivos, que incluyen rendimiento, potencia, \u00e1rea , funcionalidad, coste y complejidad, seg\u00fan las empresas.<\/p>\n\n\n
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(Cr\u00e9dito de la imagen: Micron, Western Digital)<\/span><\/figcaption><\/figure>\nEn segundo lugar, esos nuevos tipos de memoria no existen en la actualidad, lo que significa que empresas como Micron y Western Digital tienen que invertir en la investigaci\u00f3n fundamental de la memoria en un intento por dise\u00f1arlos eventualmente. Por ejemplo, Western Digital ha estado invirtiendo en ReRAM, un tipo de memoria de clase de almacenamiento en perspectiva (SCM), durante a\u00f1os, pero sin \u00e9xito. Mientras tanto, Micron ni siquiera ha comercializado adecuadamente 3D XPoint que co-desarroll\u00f3 con Intel. La industria ha identificado varias tecnolog\u00edas prometedoras para aplicaciones SCM (PCM, MRAM, FeRAM, etc.), pero ninguna de estas tecnolog\u00edas se ha generalizado. Dicho esto, tiene mucho sentido desarrollar tecnolog\u00edas fundamentales detr\u00e1s de tipos innovadores de memoria por parte de consorcios\/coaliciones de I+D en colaboraci\u00f3n con la academia para compartir costos y acelerar el tiempo de comercializaci\u00f3n.<\/p>\n\n\n
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(Cr\u00e9dito de la imagen: Micron, Western Digital)<\/span><\/figcaption><\/figure>\nEn tercer lugar, en muchos casos, los tipos innovadores de memoria requerir\u00e1n nuevos materiales, nuevas estructuras de dispositivos, tecnolog\u00edas de fabricaci\u00f3n y muchas otras cosas que requieren fuertes inversiones en investigaci\u00f3n fundamental. Una vez m\u00e1s, las coaliciones entre empresas comerciales y la academia generalmente representan un enfoque m\u00e1s completo de la ciencia b\u00e1sica que las operaciones de I+D internas. Por ejemplo, IBM y SUNY Poly realizan conjuntamente I+D de semiconductores de \u00faltima generaci\u00f3n.<\/p>\n
En cuarto lugar, acercar la memoria a la l\u00f3gica inform\u00e1tica es un desaf\u00edo importante, por lo que las tecnolog\u00edas de empaquetamiento 2.5D y 3D ganar\u00e1n importancia en el futuro. Desarrollarlos en colaboraci\u00f3n ser\u00e1 beneficioso para todos.<\/p>\n\n\n
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(Cr\u00e9dito de la imagen: Micron, Western Digital)<\/span><\/figcaption><\/figure>\nFinalmente, existen desaf\u00edos fundamentales en el desarrollo y la producci\u00f3n de chips utilizando tecnolog\u00edas de fabricaci\u00f3n de vanguardia. Por lo tanto, Micron y Western Digital afirman que es esencial desarrollar conjuntamente herramientas de simulaci\u00f3n (TCAD) y automatizaci\u00f3n de dise\u00f1o electr\u00f3nico (EDA) para acelerar el desarrollo de soluciones de pr\u00f3xima generaci\u00f3n basadas en nuevos materiales, estructuras y dise\u00f1o. Adem\u00e1s, es fundamental acelerar el crecimiento de las tecnolog\u00edas innovadoras de equipos de producci\u00f3n, como las soluciones de patrones de obleas y m\u00e1scaras EUV, para aumentar la productividad de las herramientas EUV y las nuevas herramientas de metrolog\u00eda y an\u00e1lisis\/caracterizaci\u00f3n de materiales.<\/p>\n
Micron y Western Digital esperan que MCOE se concentre en las siguientes actividades:<\/p>\n
\nI+D avanzado ‘precompetitivo’ para materiales, tecnolog\u00edas de fabricaci\u00f3n y t\u00e9cnicas de an\u00e1lisis.<\/li>\n Tecnolog\u00edas de memoria para computaci\u00f3n centrada en la memoria (incluida la computaci\u00f3n en memoria, la computaci\u00f3n cercana a la memoria y la computaci\u00f3n anal\u00f3gica).<\/li>\n Innovadoras tecnolog\u00edas de memoria 3D.<\/li>\n Soluciones avanzadas de empaquetado y memoria apilada.<\/li>\n Integraci\u00f3n heterog\u00e9nea (funcional y\/o f\u00edsica) a nivel de oblea y chip.<\/li>\n Matriz de puntos X integrada con CMOS avanzado para la validaci\u00f3n de nuevos conceptos. <\/li>\n Metodolog\u00edas y herramientas de modelado para el r\u00e1pido desarrollo y co-optimizaci\u00f3n de tecnolog\u00edas y sistemas complejos.<\/li>\n<\/ul>\nEn general, mientras que empresas como Micron y Western Digital pueden idear tipos de memoria patentados para aplicaciones espec\u00edficas (o m\u00e1s bien DSA, como ellos lo llaman), quieren llevar a cabo I+D fundamental, as\u00ed como la habilitaci\u00f3n de la producci\u00f3n junto con otras empresas estadounidenses. Por lo tanto, si las organizaciones NSTC y MCOE tienen \u00e9xito, mejorar\u00e1n las posiciones competitivas de los participantes y, en consecuencia, de la industria de semiconductores de EE. UU. en general.<\/p>\n
F\u00e1bricas de memoria de vanguardia que llegan a los EE. UU. <\/h2>\n Descubrir materiales innovadores y desarrollar tecnolog\u00edas de memoria avanzadas en los EE. UU. es una cosa. Pero traer la producci\u00f3n de memorias a los EE. UU. es un desaf\u00edo diferente. El martes, Micron anunci\u00f3 (se abre en una pesta\u00f1a nueva)<\/span> planea invertir $ 40 mil millones en operaciones de fabricaci\u00f3n de memoria de vanguardia en los EE. UU. para fines de la d\u00e9cada.<\/p>\n\u00abEsta legislaci\u00f3n permitir\u00e1 a Micron aumentar la producci\u00f3n nacional de memoria de menos del 2 % a hasta el 10 % del mercado global en la pr\u00f3xima d\u00e9cada, lo que har\u00e1 que EE. UU. sea el hogar de la fabricaci\u00f3n e investigaci\u00f3n y desarrollo de memoria m\u00e1s avanzados del mundo\u00bb.<\/p>\n
Micron no especific\u00f3 qu\u00e9 tipo de memoria planea producir en los EE. UU. (p. ej., 3D NAND, DRAM, SCM, etc.), pero podemos especular que la empresa intentar\u00e1 crear tipos de memoria premium en los Estados Unidos.<\/p>\n
Mientras tanto, durante los pr\u00f3ximos siete u ocho a\u00f1os, $ 40 mil millones invertidos en f\u00e1bricas podr\u00edan comprar Micron una f\u00e1brica habilitada para EUV que podr\u00eda producir pr\u00e1cticamente todos los tipos de memoria o incluso un par de instalaciones de fabricaci\u00f3n habilitadas para EUV de tama\u00f1o moderado y EUV de alta NA ( aunque estamos especulando). En cualquier caso, parece que Micron espera traer tecnolog\u00edas de proceso de vanguardia a los EE. UU. en un intento por fabricar dispositivos de memoria avanzados y costosos.<\/p>\n
Hoy en d\u00eda, los fabricantes de Corea del Sur, Jap\u00f3n y Singapur utilizan los procesos de fabricaci\u00f3n de memorias m\u00e1s avanzados. Micron planea revertir esta tendencia.<\/p>\n<\/div>\n
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