Samsung present\u00f3 oficialmente sus tecnolog\u00edas de memoria de pr\u00f3xima generaci\u00f3n, incluidas HBM3E, GDDR7, LPDDR5x CAMM2 y m\u00e1s, durante su Memory Tech Day 2023.<\/p>\n
Samsung hace todo lo posible con tecnolog\u00edas de memoria de pr\u00f3xima generaci\u00f3n que incluyen HBM3E, GDDR7, LPDDR5x CAMM2 y m\u00e1s<\/h2>\n
Ya hemos informado sobre los desarrollos en la memoria Samsung HBM3E con nombre en c\u00f3digo \u00abShine Bolt\u00bb y GDDR7 para aplicaciones de centros de datos, juegos e inteligencia artificial de pr\u00f3xima generaci\u00f3n. Estos pueden verse como los dos aspectos m\u00e1s destacados del Memory Tech Day 2023, pero Samsung seguramente tiene mucha m\u00e1s acci\u00f3n en marcha.<\/p>\n
Memoria Samsung HBM3E \u00abShinebolt\u00bb para inteligencia artificial y centros de datos<\/strong><\/h4>\nAprovechando la experiencia de Samsung en la comercializaci\u00f3n del primer HBM2 de la industria y la apertura del mercado de HBM para la inform\u00e1tica de alto rendimiento (HPC) en 2016, la compa\u00f1\u00eda revel\u00f3 hoy su DRAM HBM3E de pr\u00f3xima generaci\u00f3n, denominada Shinebolt. Shinebolt de Samsung impulsar\u00e1 las aplicaciones de IA de pr\u00f3xima generaci\u00f3n, mejorando el costo total de propiedad (TCO) y acelerando el entrenamiento y la inferencia de modelos de IA en el centro de datos.<\/p>\n\n<\/div>Fuente de la imagen: Samsung<\/figcaption><\/figure>\nEl HBM3E cuenta con una velocidad impresionante de 9,8 gigabits por segundo (Gbps) por pin, lo que significa que puede alcanzar velocidades de transferencia superiores a m\u00e1s de 1,2 terabytes por segundo (TBps). Para habilitar pilas de capas superiores y mejorar las caracter\u00edsticas t\u00e9rmicas, Samsung ha optimizado su tecnolog\u00eda de pel\u00edcula no conductora (NCF) para eliminar espacios entre las capas de chips y maximizar la conductividad t\u00e9rmica. Los productos 8H y 12H HBM3 de Samsung se encuentran actualmente en producci\u00f3n en masa y se est\u00e1n enviando muestras de Shinebolt a los clientes.<\/p>\n
Aprovechando su fortaleza como proveedor total de soluciones de semiconductores, la compa\u00f1\u00eda tambi\u00e9n planea ofrecer un servicio personalizado llave en mano que combine HBM de pr\u00f3xima generaci\u00f3n, tecnolog\u00edas de embalaje avanzadas y ofertas de fundici\u00f3n.<\/p>\n
Comparaci\u00f3n de especificaciones de memoria HBM<\/h2>\n
\n\n\nDRACMA<\/th>\n HBM1<\/th>\n HBM2<\/th>\n HBM2e<\/th>\n HBM3<\/th>\n HBM3 Gen2<\/th>\n HBMSiguiente (HBM4)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n \n\nE\/S (interfaz de bus)<\/td>\n 1024<\/td>\n 1024<\/td>\n 1024<\/td>\n 1024<\/td>\n 1024-2048<\/td>\n 1024-2048<\/td>\n<\/tr>\n \nCaptaci\u00f3n previa (E\/S)<\/td>\n 2<\/td>\n 2<\/td>\n 2<\/td>\n 2<\/td>\n 2<\/td>\n 2<\/td>\n<\/tr>\n \nAncho de banda m\u00e1ximo<\/td>\n 128GB\/s<\/td>\n 256 GB\/s<\/td>\n 460,8 GB\/s<\/td>\n 819,2 GB\/s<\/td>\n 1,2 TB\/s<\/td>\n 1,5 – 2,0 TB\/s<\/td>\n<\/tr>\n \nCircuitos integrados de DRAM por pila<\/td>\n 4<\/td>\n 8<\/td>\n 8<\/td>\n 12<\/td>\n 8-12<\/td>\n 8-12<\/td>\n<\/tr>\n \nMaxima capacidad<\/td>\n 4 GB<\/td>\n 8GB<\/td>\n 16 GB<\/td>\n 24GB<\/td>\n 24 – 36GB<\/td>\n 36-64GB<\/td>\n<\/tr>\n \ntRC<\/td>\n 48ns<\/td>\n 45ns<\/td>\n 45ns<\/td>\n por confirmar<\/td>\n por confirmar<\/td>\n por confirmar<\/td>\n<\/tr>\n \nCCD<\/td>\n 2ns (=1tCK)<\/td>\n 2ns (=1tCK)<\/td>\n 2ns (=1tCK)<\/td>\n por confirmar<\/td>\n por confirmar<\/td>\n por confirmar<\/td>\n<\/tr>\n \nPPV<\/td>\n PPV externo<\/td>\n PPV externo<\/td>\n PPV externo<\/td>\n PPV externo<\/td>\n PPV externo<\/td>\n por confirmar<\/td>\n<\/tr>\n \nVDD<\/td>\n 1,2 V<\/td>\n 1,2 V<\/td>\n 1,2 V<\/td>\n por confirmar<\/td>\n por confirmar<\/td>\n por confirmar<\/td>\n<\/tr>\n \nEntrada de comando<\/td>\n Comando doble<\/td>\n Comando doble<\/td>\n Comando doble<\/td>\n Comando doble<\/td>\n Comando doble<\/td>\n Comando doble<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/p>\n
Samsung GDDR7: 32 Gbps y 32 Gb DRAM para gr\u00e1ficos de juegos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n<\/strong><\/h4>\nOtros productos destacados en el evento incluyen la DRAM DDR5 de 32 Gb con la mayor capacidad de la industria, la primera GDDR7 de 32 Gbps de la industria y el PBSSD de escala de petabytes, que ofrece un impulso significativo a las capacidades de almacenamiento para aplicaciones de servidor.<\/p>\n
Seg\u00fan Samsung, la memoria GDDR7 ofrecer\u00e1 un aumento de rendimiento del 40% y una mejora de la eficiencia energ\u00e9tica del 20% en comparaci\u00f3n con la DRAM GDDR6 de 24 Gbps m\u00e1s r\u00e1pida actual que ofrece capacidades de matriz de hasta 16 Gb. Los primeros productos tendr\u00e1n velocidades de transferencia de hasta 32 Gbps, lo que marca una mejora del 33% con respecto a la memoria GDDR6, al tiempo que alcanzar\u00e1n hasta 1,5 TB\/s de ancho de banda que se lograr\u00e1 en una soluci\u00f3n de interfaz de bus de 384 bits.<\/p>\n\n![\"\"](\"https:\/\/cdn.wccftech.com\/wp-content\/uploads\/2023\/10\/Samsung-GDDR7-Memory.png\")
<\/div>Fuente de la imagen: Samsung<\/figcaption><\/figure>\nEl siguiente es el ancho de banda que ofrecer\u00edan las velocidades de pin de 32 Gbps en m\u00faltiples configuraciones de bus:<\/p>\n
\n- 512 bits –<\/strong> 2048 GB\/s (2,0 TB\/s)<\/li>\n
- 384 bits –<\/strong> 1536 GB\/s (1,5 TB\/s)<\/li>\n
- 320 bits –<\/strong> 1280 GB\/s (1,3 TB\/s)<\/li>\n
- 256 bits –<\/strong> 1024 GB\/s (1,0 TB\/s)<\/li>\n
- 192 bits –<\/strong> 768GB\/s<\/li>\n
- 128 bits –<\/strong> 512GB\/s<\/li>\n<\/ul>\n
La compa\u00f1\u00eda tambi\u00e9n ha probado las primeras muestras que funcionan a velocidades de hasta 36 Gbps, aunque dudamos que est\u00e9n listas en cantidades suficientes producidas en masa para satisfacer las l\u00edneas de GPU de inteligencia artificial y juegos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n.<\/p>\n
La memoria GDDR7 tambi\u00e9n ofrecer\u00e1 un 20% m\u00e1s de eficiencia y eso es genial considerando que la memoria consume una gran cantidad de energ\u00eda para las GPU de alta gama. Se dice que la DRAM GDDR7 de Samsung incluir\u00e1 tecnolog\u00eda espec\u00edficamente optimizada para cargas de trabajo de alta velocidad y tambi\u00e9n habr\u00e1 una opci\u00f3n de bajo voltaje operativo dise\u00f1ada para aplicaciones con un uso cuidadoso de la energ\u00eda, como las computadoras port\u00e1tiles. Para las t\u00e9rmicas, el nuevo est\u00e1ndar de memoria utilizar\u00e1 un compuesto de moldeo epoxi (EMC) con alta conductividad t\u00e9rmica que reduce la resistencia t\u00e9rmica hasta en un 70%. En agosto se inform\u00f3 que Samsung estaba probando su DRAM GDDR7 para NVIDIA para una evaluaci\u00f3n temprana de sus tarjetas gr\u00e1ficas para juegos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n.<\/p>\n
Evoluci\u00f3n de la memoria gr\u00e1fica GDDR:<\/h2>\n
\n\n\n MEMORIA DE GR\u00c1FICOS<\/th>\n GDDR5X<\/th>\n GDDR6<\/th>\n GDDR6X<\/th>\n GDDR7<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n \n\nCarga de trabajo<\/td>\n Juego de azar<\/td>\n Juegos \/ IA<\/td>\n Juegos \/ IA<\/td>\n Juegos \/ IA<\/td>\n<\/tr>\n \nPlataforma (Ejemplo)<\/td>\n GeForce GTX 1080Ti<\/td>\n GeForce RTX 2080Ti<\/td>\n GeForce RTX 4090<\/td>\n \u00bfGeForce RTX 5090?<\/td>\n<\/tr>\n \n N\u00famero de ubicaciones<\/td>\n 12<\/td>\n 12<\/td>\n 12<\/td>\n 12?<\/td>\n<\/tr>\n \nGb\/s\/pin\t<\/td>\n 11.4<\/td>\n 14-16<\/td>\n 19-24<\/td>\n 32-36<\/td>\n<\/tr>\n \nGB\/s\/ubicaci\u00f3n\t<\/td>\n 45<\/td>\n 56-64<\/td>\n 76-96<\/td>\n 128-144<\/td>\n<\/tr>\n \nGB\/s\/sistema<\/td>\n 547<\/td>\n 672-768<\/td>\n 912-1152<\/td>\n 1536-1728<\/td>\n<\/tr>\n \nConfiguraci\u00f3n (Ejemplo)<\/td>\n 384 IO (paquete de 12 piezas x 32 IO)<\/td>\n 384 IO (paquete de 12 piezas x 32 IO)<\/td>\n 384 IO (paquete de 12 piezas x 32 IO)<\/td>\n \u00bf384 IO (paquete de 12 piezas x 32 IO)?<\/td>\n<\/tr>\n \nB\u00fafer de trama del sistema t\u00edpico\t<\/td>\n 12GB<\/td>\n 12GB<\/td>\n 24GB<\/td>\n \u00bf24 GB?<\/td>\n<\/tr>\n \nPotencia promedio del dispositivo (pJ\/bit)<\/td>\n 8.0<\/td>\n 7.5<\/td>\n 7.25<\/td>\n Por determinar<\/td>\n<\/tr>\n \nCanal IO t\u00edpico<\/td>\n Placa de circuito impreso (P2P SM)<\/td>\n Placa de circuito impreso (P2P SM)<\/td>\n Placa de circuito impreso (P2P SM)<\/td>\n Placa de circuito impreso (P2P SM)<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/p>\n
Samsung LPDDR5x para m\u00f3dulos CAMM2 de pr\u00f3xima generaci\u00f3n, adelgazando dise\u00f1os m\u00f3viles<\/strong><\/h4>\nPara procesar tareas con uso intensivo de datos, las tecnolog\u00edas de inteligencia artificial actuales est\u00e1n avanzando hacia un modelo h\u00edbrido que asigna y distribuye la carga de trabajo entre la nube y los dispositivos perimetrales. En consecuencia, Samsung present\u00f3 una gama de soluciones de memoria que admiten factores de forma peque\u00f1os, de alto rendimiento y de alta capacidad en el borde.<\/p>\n
\n![](\"\")
<\/div>\n<\/div>\nAdem\u00e1s del primer LPDDR5X CAMM2 de 7,5 Gbps de la industria, que se espera que suponga un verdadero cambio en el mercado de DRAM para PC y port\u00e1tiles de pr\u00f3xima generaci\u00f3n, la compa\u00f1\u00eda tambi\u00e9n present\u00f3 su DRAM LPDDR5X de 9,6 Gbps, LLW DRAM especializada para IA en el dispositivo. almacenamiento flash universal (UFS) de nueva generaci\u00f3n y el SSD BM9C1 de celda de cuatro niveles (QLC) de alta capacidad para PC.<\/p>\n
Actualizaciones de la tecnolog\u00eda de memoria GPU<\/h2>\n
\n\n\nNombre de la tarjeta gr\u00e1fica<\/th>\n Tecnolog\u00eda de memoria<\/th>\n Velocidad de la memoria<\/th>\n Autob\u00fas de memoria<\/th>\n ancho de banda de memoria<\/th>\n Liberar<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n \n\nAMD Radeon R9 Furia X<\/td>\n HBM1<\/td>\n 1,0 Gbps<\/td>\n 4096 bits<\/td>\n 512GB\/s<\/td>\n 2015<\/td>\n<\/tr>\n \nNVIDIA GTX 1080<\/td>\n GDDR5X<\/td>\n 10,0 Gbps<\/td>\n 256 bits<\/td>\n 320GB\/s<\/td>\n 2016<\/td>\n<\/tr>\n \nNVIDIA Tesla P100<\/td>\n HBM2<\/td>\n 1,4 Gbps<\/td>\n 4096 bits<\/td>\n 720GB\/s<\/td>\n 2016<\/td>\n<\/tr>\n \nNVIDIA TitanXp<\/td>\n GDDR5X<\/td>\n 11,4 Gbps<\/td>\n 384 bits<\/td>\n 547GB\/s<\/td>\n 2017<\/td>\n<\/tr>\n \nAMD RXVega 64<\/td>\n HBM2<\/td>\n 1,9 Gbps<\/td>\n 2048 bits<\/td>\n 483GB\/s<\/td>\n 2017<\/td>\n<\/tr>\n \nNVIDIA Tit\u00e1n V<\/td>\n HBM2<\/td>\n 1,7 Gbps<\/td>\n 3072 bits<\/td>\n 652GB\/s<\/td>\n 2017<\/td>\n<\/tr>\n \nNVIDIA Tesla V100<\/td>\n HBM2<\/td>\n 1,7 Gbps<\/td>\n 4096 bits<\/td>\n 901GB\/s<\/td>\n 2017<\/td>\n<\/tr>\n \nNVIDIA RTX 2080Ti<\/td>\n GDDR6<\/td>\n 14,0 Gbps<\/td>\n 384 bits<\/td>\n 672GB\/s<\/td>\n 2018<\/td>\n<\/tr>\n \nAMD Instinto MI100<\/td>\n HBM2<\/td>\n 2,4 Gbps<\/td>\n 4096 bits<\/td>\n 1229GB\/s<\/td>\n 2020<\/td>\n<\/tr>\n \nNvidia A100 80GB<\/td>\n HBM2e<\/td>\n 3,2 Gbps<\/td>\n 5120 bits<\/td>\n 2039 GB\/s<\/td>\n 2020<\/td>\n<\/tr>\n \nNVIDIA RTX 3090<\/td>\n GDDR6X<\/td>\n 19,5 Gbps<\/td>\n 384 bits<\/td>\n 936,2 GB\/s<\/td>\n 2020<\/td>\n<\/tr>\n \nAMD Instinto MI200<\/td>\n HBM2e<\/td>\n 3,2 Gbps<\/td>\n 8192 bits<\/td>\n 3200 GB\/s<\/td>\n 2021<\/td>\n<\/tr>\n \nNVIDIA RTX 3090Ti<\/td>\n GDDR6X<\/td>\n 21,0 Gbps<\/td>\n 384 bits<\/td>\n 1008 GB\/s<\/td>\n 2022<\/td>\n<\/tr>\n \nNvidia H100 80GB<\/td>\n HBM3\/E<\/td>\n 2,6 Gbps<\/td>\n 5120 bits<\/td>\n 1681GB\/s<\/td>\n 2022<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/p>\n
El HBM3E cuenta con una velocidad impresionante de 9,8 gigabits por segundo (Gbps) por pin, lo que significa que puede alcanzar velocidades de transferencia superiores a m\u00e1s de 1,2 terabytes por segundo (TBps). Para habilitar pilas de capas superiores y mejorar las caracter\u00edsticas t\u00e9rmicas, Samsung ha optimizado su tecnolog\u00eda de pel\u00edcula no conductora (NCF) para eliminar espacios entre las capas de chips y maximizar la conductividad t\u00e9rmica. Los productos 8H y 12H HBM3 de Samsung se encuentran actualmente en producci\u00f3n en masa y se est\u00e1n enviando muestras de Shinebolt a los clientes.<\/p>\n
Aprovechando su fortaleza como proveedor total de soluciones de semiconductores, la compa\u00f1\u00eda tambi\u00e9n planea ofrecer un servicio personalizado llave en mano que combine HBM de pr\u00f3xima generaci\u00f3n, tecnolog\u00edas de embalaje avanzadas y ofertas de fundici\u00f3n.<\/p>\n
Comparaci\u00f3n de especificaciones de memoria HBM<\/h2>\n
| DRACMA<\/th>\n | HBM1<\/th>\n | HBM2<\/th>\n | HBM2e<\/th>\n | HBM3<\/th>\n | HBM3 Gen2<\/th>\n | HBMSiguiente (HBM4)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| E\/S (interfaz de bus)<\/td>\n | 1024<\/td>\n | 1024<\/td>\n | 1024<\/td>\n | 1024<\/td>\n | 1024-2048<\/td>\n | 1024-2048<\/td>\n<\/tr>\n | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Captaci\u00f3n previa (E\/S)<\/td>\n | 2<\/td>\n | 2<\/td>\n | 2<\/td>\n | 2<\/td>\n | 2<\/td>\n | 2<\/td>\n<\/tr>\n | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ancho de banda m\u00e1ximo<\/td>\n | 128GB\/s<\/td>\n | 256 GB\/s<\/td>\n | 460,8 GB\/s<\/td>\n | 819,2 GB\/s<\/td>\n | 1,2 TB\/s<\/td>\n | 1,5 – 2,0 TB\/s<\/td>\n<\/tr>\n | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Circuitos integrados de DRAM por pila<\/td>\n | 4<\/td>\n | 8<\/td>\n | 8<\/td>\n | 12<\/td>\n | 8-12<\/td>\n | 8-12<\/td>\n<\/tr>\n | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Maxima capacidad<\/td>\n | 4 GB<\/td>\n | 8GB<\/td>\n | 16 GB<\/td>\n | 24GB<\/td>\n | 24 – 36GB<\/td>\n | 36-64GB<\/td>\n<\/tr>\n | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| tRC<\/td>\n | 48ns<\/td>\n | 45ns<\/td>\n | 45ns<\/td>\n | por confirmar<\/td>\n | por confirmar<\/td>\n | por confirmar<\/td>\n<\/tr>\n | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CCD<\/td>\n | 2ns (=1tCK)<\/td>\n | 2ns (=1tCK)<\/td>\n | 2ns (=1tCK)<\/td>\n | por confirmar<\/td>\n | por confirmar<\/td>\n | por confirmar<\/td>\n<\/tr>\n | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PPV<\/td>\n | PPV externo<\/td>\n | PPV externo<\/td>\n | PPV externo<\/td>\n | PPV externo<\/td>\n | PPV externo<\/td>\n | por confirmar<\/td>\n<\/tr>\n | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VDD<\/td>\n | 1,2 V<\/td>\n | 1,2 V<\/td>\n | 1,2 V<\/td>\n | por confirmar<\/td>\n | por confirmar<\/td>\n | por confirmar<\/td>\n<\/tr>\n | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Entrada de comando<\/td>\n | Comando doble<\/td>\n | Comando doble<\/td>\n | Comando doble<\/td>\n | Comando doble<\/td>\n | Comando doble<\/td>\n | Comando doble<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n <\/p>\n Samsung GDDR7: 32 Gbps y 32 Gb DRAM para gr\u00e1ficos de juegos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n<\/strong><\/h4>\n\n <\/div>El siguiente es el ancho de banda que ofrecer\u00edan las velocidades de pin de 32 Gbps en m\u00faltiples configuraciones de bus:<\/p>\n
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