Samsung dijo que su pr\u00f3xima tecnolog\u00eda de proceso SF1.4 (clase de 1,4 nm) aumentar\u00e1 la cantidad de nanohojas de tres a cuatro, dijo a The Elec Jeong Gi-Tae, vicepresidente de Samsung Foundry, informa DigiTimes. La medida promete traer importantes beneficios en cuanto a rendimiento y consumo de energ\u00eda.<\/p>\n
Samsung fue la primera empresa en introducir una tecnolog\u00eda de proceso que se basa en transistores de nanohojas de puerta integral (GAA) con su SF3E (tambi\u00e9n conocido como o\u00eddo de puerta integral de clase de 3 nm, 3GAE) a mediados de 2022. La empresa utiliza la tecnolog\u00eda para fabricar varios chips, pero se cree que el uso del nodo se limita a chips peque\u00f1os, como los que se utilizan para la miner\u00eda de criptomonedas. El a\u00f1o que viene Samsung planea presentar su tecnolog\u00eda SF3, que est\u00e1 preparada para ser utilizada en una gama m\u00e1s amplia de aplicaciones. En 2025, Samsung planea implementar su tecnolog\u00eda SF3P de rendimiento mejorado, dise\u00f1ada teniendo en cuenta las CPU y GPU de los centros de datos. <\/p>\n