China se está esforzando por desarrollar su propia memoria de gran ancho de banda (similar a HBM) para inteligencia artificial y aplicaciones informáticas de alto rendimiento, según un informe del South China Morning Post. Según se informa, ChangXin Memory Technologies (CXMT) está a la vanguardia de esta iniciativa.
HBM es el líder indiscutible en cuanto a rendimiento, ya que cada pila de HBM cuenta con una interfaz de memoria de 1024 bits y una velocidad de transferencia de datos decente. Gracias a la amplia interfaz y al apilamiento vertical, la producción de dispositivos HBM no requiere la litografía más avanzada. De hecho, se cree que los líderes mundiales en DRAM utilizan tecnologías probadas para sus dispositivos de memoria HBM2E y HBM3.
Lo que HBM sí requiere son tecnologías de empaquetado sofisticadas, ya que conectar ocho o doce dispositivos de memoria verticalmente utilizando pequeñas vías de silicio (TSV) es un procedimiento complicado. Sin embargo, ensamblar un módulo de matriz apilada en buen estado (KGSD) similar a HBM es más fácil que producir un dispositivo DRAM con una tecnología de proceso de clase 10 nm.
A pesar de las limitaciones tecnológicas impuestas por las sanciones, los expertos de la industria interrogados por SCMP sugieren que CXMT aún podría producir su propia memoria similar a la de HBM. Pero queda por ver qué tan amplia será la interfaz ‘HBM’ china y cuántos dispositivos DRAM por módulo podrá apilar.
CXMT es el principal productor nacional de DRAM de China, tanto en términos de destreza tecnológica como de capacidad de fabricación, por lo que es la mejor apuesta de China para desarrollar un tipo de memoria patentada diseñada para competir contra el estándar industrial HBM en términos de ancho de banda y capacidad. Debido a las sanciones estadounidenses, CXMT y otros fabricantes de chips chinos se ven obligados a utilizar tecnologías menos avanzadas para la producción, lo que los coloca en una desventaja competitiva a nivel mundial.
Los procesadores de IA y GPC son esenciales para diversas aplicaciones, incluidos vehículos autónomos, inteligencia artificial y computación de alto rendimiento, por lo que es comprensible por qué China quiere construir su propia memoria tipo HBM. Actualmente, empresas como Biren pueden obtener memoria HBM2E de los principales proveedores de DRAM, pero si el gobierno estadounidense restringe el acceso a este tipo de memoria, la única opción de China será confiar en sus propias tecnologías. Como resultado, el desarrollo de memorias similares a HBM es parte de una agenda nacional más amplia para volverse autosuficientes en tecnología de semiconductores.