SK Hynix publicó recientemente detalles sobre su dispositivo de memoria 3D NAND de octava generación con más de 300 capas activas. Los nuevos dispositivos 3D NAND de la compañía le permitirán aumentar el rendimiento de los SSD y reducir sus costos por TB cuando lleguen en algún momento del 2024 al 2025.
El dispositivo NAND 3D de octava generación inicial de SK Hynix con más de 300 capas vendrá con una capacidad de 1 Tb (128 GB) con celdas de nivel triple y una densidad de bits de más de 20 Gb/mm^2. Además, el chip cuenta con un tamaño de página de 16 KB, cuatro planos, una interfaz de 2400 MT/s y un rendimiento máximo de 194 MB/s (18 % más que la NAND 3D de 238 capas de 7.ª generación). La E/S de alta velocidad y el mayor rendimiento serán especialmente útiles para las mejores unidades SSD con PCIe 5.0 x4 o una interfaz más avanzada.
Casi duplicar la densidad de bits de la nueva NAND aumentará significativamente la productividad por oblea del nuevo nodo de fabricación, lo que reducirá los costos de SK Hynix, aunque no está claro en qué medida.
Para mejorar el diseño, SK Hynix tuvo que implementar cinco nuevos esquemas:
- Función del programa de verificación triple (TPGM) que reduce la distribución de voltaje del umbral de la celda y reduce el tPROG (tiempo del programa) en un 10 %, lo que se traduce en un mayor rendimiento;
- Precarga de cadena no seleccionada adaptativa (AUSP): otro procedimiento para reducir tPROG en aproximadamente un 2%;
- esquema All-Pass Rising (APR) que reduce el tR (tiempo de lectura) en aproximadamente un 2 % y reduce el tiempo de subida de la línea de palabras;
- Técnica de cadena ficticia programada (PDS) que reduce el tiempo de establecimiento de la línea mundial para tPROG y tR al reducir la carga de capacitancia del canal;
- Capacidad de reintento de lectura de nivel de plano (PLRR) que permite cambiar el nivel de lectura de un plano sin terminar otros, por lo tanto, emite comandos de lectura posteriores de inmediato y mejora la calidad de servicio (QoS) y, por lo tanto, el rendimiento de lectura.
SK Hynix no reveló cuándo planea comenzar a producir sus dispositivos 3D NAND de octava generación. Sin embargo, dado que la compañía ha revelado detalles sobre esta tecnología, parece que su desarrollo se ha completado o está cerca de completarse. Mientras tanto, debido a que todos los fabricantes de memoria flash tienden a ralentizar la adopción de nodos de fabricación más nuevos para limitar la salida de bits NAND, es poco probable que SK Hynix se apresure a producir NAND 3D de octava generación. Por lo tanto, es racional esperar que la nueva memoria se adopte en 2024.