Samsung se prepara para la DRAM 3D de próxima generación, apilando 16 capas para aumentar enormemente las capacidades


Samsung busca sobresalir en los estándares DRAM, ya que la empresa está preparando una «DRAM 3D» que apunta a apilar capas de celdas más altas para aumentar la capacidad.

La DRAM 3D de próxima generación de Samsung podría potencialmente llevar capacidades de chip de hasta 100 GB, proporcionando un alto rendimiento

Dado que la industria DRAM necesita urgentemente innovación, el gigante coreano ha intervenido con sus nuevos conceptos para atraer el interés de los consumidores y la clientela. En el evento International Memory Workshop (IMW) 2024 celebrado en Seúl, Corea del Sur, el vicepresidente de Samsung Electronics, Lee Si-woo, mostró la nueva tecnología 3D DRAM, afirmando que con los mercados en rápido crecimiento, especialmente el segmento de IA, la necesidad de tecnología DRAM avanzada se ha vuelto más vital que nunca.

Los desarrollos industriales como la IA hiperescaladora y la IA bajo demanda requieren mucha capacidad de procesamiento de memoria. Por otro lado, la tecnología de microprocesamiento de la DRAM existente es limitada. A medida que nos acerquemos, se espera que se produzcan nuevas innovaciones en la estructura de las células (unidades donde se almacenan los datos).

– Vicepresidente de Samsung Electronics a través de ZDNet Corea

Ampliando la arquitectura 3D DRAM, se dice que Samsung ha logrado reducir significativamente el área de la celda a través de la integración y el rendimiento de DRAM, lo que será testigo de un aumento masivo.

Fuente de la imagen: Samsung / Memcon

El gigante coreano ha implementado una reconocida estructura de celdas llamada «4F Square», pero los transistores DRAM están montados verticalmente, lo que se denomina técnica VCT (Vertical Channel Transistors). A través de cambios en la estructura celular al combinar 4F Square y VCT, Samsung apunta a apilar tantas capas de celdas, y con el objetivo de 16 capas, la empresa bien podría ser testigo de una enorme capacidad de memoria y un aumento del rendimiento.

Dado que los mercados de DRAM son testigos de una posible recuperación económica debido a la exageración de la IA y la demanda de los consumidores, es emocionante ver que se produzcan tales desarrollos en los mercados, ya que no solo conduce a la innovación sino que también aumenta la competencia en el mercado, favoreciendo en última instancia al consumidor promedio. Sin embargo, la DRAM 3D sigue siendo un concepto por ahora y la propia Samsung dice que el estándar implica técnicas de fabricación complejas, lo que conduce a altos precios de producción.

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