Kioxia & Western Digital Corp. (WD) reveló su nueva tecnología de memoria flash 3D NAND de 218 capas que ofrece una gran mejora en el rendimiento. La nueva tecnología de memoria flash 3D incorpora una mayor capacidad y confiabilidad con un aumento del rendimiento. Las empresas también hicieron todo lo posible para que la nueva tecnología tuviera un costo más atractivo.
Kioxia y WD crean una nueva NAND 3D de 218 capas, actualmente, la memoria flash más rápida disponible
Kioxia y WD utilizan técnicas avanzadas de escalado y unión de obleas para que sean excelentes para satisfacer las demandas del crecimiento exponencial de datos en varios segmentos del mercado. Las dos empresas redujeron los costos mediante la introducción de varios procesos y arquitecturas distintivos, promoviendo avances continuos de escalado lateral.
El escalado vertical y lateral ofrece mayores niveles de capacidad en un área de matriz más pequeña con menos capas necesarias a un costo más atractivo para el cliente. La tecnología es similar a la tecnología Xtacking de YMTC, que se encuentra en su tercera generación. YMTC Xtacking 3.0 es la arquitectura 3D NAND de la compañía que involucra unir una oblea CMOS con una oblea de celda de memoria. Xtacking 3.0 introdujo la conexión de fuente trasera (BSSC) para obleas de celdas de memoria, lo que llevó a procesos más simples y costos más bajos.
La nueva memoria flash 3D demuestra los beneficios de nuestra sólida asociación con Kioxia y nuestro liderazgo en innovación combinado. Al trabajar con una hoja de ruta común de I+D y la inversión continua en I+D, hemos podido producir esta tecnología fundamental antes de lo previsto y ofrecer soluciones de alto rendimiento y eficiencia de capital.
— Alper Ilkbahar, vicepresidente sénior de tecnología y estrategia, Western Digital
Kioxia y WD también produjeron tecnología CMOS de próxima generación directamente enlazada a matriz (CBA). Cada oblea CMOS y oblea de matriz de celdas se crea individualmente, aunque se optimiza, y luego se unen para ofrecer una mayor densidad de bits y velocidades de entrada y salida NAND más rápidas.
A través de nuestra asociación de ingeniería única, hemos lanzado con éxito el BiCS FLASHTM de octava generación con la densidad de bits más alta de la industria. Me complace que hayan comenzado los envíos de muestras de Kioxia para clientes limitados. Al aplicar la tecnología CBA y escalar innovaciones, hemos avanzado en nuestra cartera de tecnologías de memoria flash 3D para su uso en diversas aplicaciones centradas en datos, incluidos teléfonos inteligentes, dispositivos IoT y centros de datos.
— Masaki Momodomi, director de tecnología, Kioxia Corporation
El nuevo flash 3D de 218 capas aprovechará la celda de nivel triple (TLC) y la celda de nivel cuádruple (QLC) de 1 TB con cuatro planos y exhibirá la nueva tecnología de contracción lateral para mejorar la densidad de bits en más del cincuenta por ciento. La E/S NAND de alta velocidad de Kioxia y WD se establece en más de 3,2 Gb/s, lo que representa una mejora del sesenta por ciento con respecto a las generaciones anteriores, y aumenta el rendimiento de escritura y la latencia de lectura en un veinte por ciento para mejorar la usabilidad y el rendimiento.
Fuente de noticias: Business Wire