SK Hynix, uno de los principales fabricantes de memoria DRAM, ingresó recientemente al proceso de verificación de compatibilidad de Intel para la memoria DDR5 para uso del lado del servidor con su próximo estándar DRAM, informa el sitio de noticias coreano Chosun Biz. Este próximo paso para la compañía es un paso más cerca de la producción en masa de nuevos productos, especialmente para DRAM basada en servidor.
SK Hynix actualmente está esperando la verificación de compatibilidad para la nueva DRAM de la compañía con Intel
SK Hynix estará esperando la verificación de compatibilidad completa de Intel en la nueva DRAM de servidor de quinta generación de clase 10nm de la compañía. El próximo mes, comenzará el proceso de verificación para ver si la nueva DRAM se puede utilizar en los procesadores de servidor de Intel. Esto se anunció durante la conferencia telefónica de la compañía el mes pasado, donde se citó a la compañía diciendo: «Completaremos los preparativos para la producción en masa de 1b DRAM a mediados de este año».
Con Intel manteniendo una estabilización del noventa por ciento del mercado de procesadores de servidor, SK Hynix espera que su nueva DRAM se utilice con los procesadores de Intel para ver un uso completo en servidores, como centros de datos. La compañía también logró la primera DRAM de servidor de cuarta generación de clase 10nm, mientras que Intel también presentó sus nuevos procesadores escalables Intel Xeon, también conocidos como Sapphire Rapids. Cuando se le pidió un comentario, un representante rechazó cualquier colaboración reciente con otras empresas.
El próximo paso de SK Hynix en su plan de negocios es lanzar una DRAM de 1ß nano que se producirá en el futuro. La nueva DRAM aumenta la eficiencia en un cuarenta por ciento en comparación con la competencia de la compañía con un costo más alto.
Samsung Electronics, otro líder en la industria de la memoria, lanzó recientemente una DRAM DDR5 de 16 GB que utilizó el proceso 1ß nano. La empresa que Samsung eligió para completar la verificación de compatibilidad fue el competidor de CPU de Intel, AMD.
Recientemente, se reveló que los fabricantes de DRAM como SK Hynix y Samsung han aumentado los precios de las soluciones de memoria, incluido HBM. NVIDIA había pedido a SK Hynix que aumentara su capacidad de producción de HBM3 para la empresa. Sin embargo, otros proveedores buscan integrar HBM3 en sus productos de última generación, como Intel. Esto haría que SK Hynix no pudiera mantener la demanda de sus productos. Dicho esto, el precio de la memoria HBM3 ha visto un aumento de hasta cinco veces su costo original.
Actualmente, SK Hynix y su rival Samsung Electronics son las únicas instituciones capaces de fabricar componentes de computadora con el nuevo proceso de litografía Extreme Ultraviolet (EUV).
Fuentes de noticias: harukaze5719 (Twitter)Chosun Biz