Samsung proporcionó una actualización sobre su cartera de centros de datos en sus últimos resultados, confirmando que las próximas generaciones HBM3E, DDR5 y V-NAND llegarán en el segundo trimestre.
Samsung tiene varios productos de centro de datos de próxima generación disponibles este año: 12-Hi HBM3E, 128 GB DDR5, 9.ª generación V-NAND y más
El gigante surcoreano informó que estaba presenciando un crecimiento récord en el dominio de la IA y que seguirá adelante con múltiples líneas de productos nuevas en este segmento. En primer lugar, Samsung ha comenzado la producción en masa de su memoria HBM3E «Shinebolt», que se enviará por primera vez en pilas de 8 Hi este mes y será seguida por la variante de 12 Hi en el segundo trimestre. La solución de memoria de próxima generación ofrecerá hasta 36 GB de capacidad por pila para productos de hasta 288 GB en un chip de 8 módulos como el MI300X de AMD.
Samsung Electronics comenzó la producción en masa del HBM3E de 8 capas en abril para responder a la demanda de IA generativa y planea producir en masa productos de 12 capas en el segundo trimestre.
Además, planeamos fortalecer nuestro liderazgo en el mercado de servidores mediante la producción en masa y el envío a clientes de productos de 128 GB (gigabytes) basados en DDR5 de 1b nano 32 Gb (gigabit) en el segundo trimestre.
NAND planea responder de manera oportuna a la demanda de IA mediante el desarrollo de un SSD de 64 TB de capacidad ultraalta y proporcionando muestras en el segundo trimestre, y también mejorar su liderazgo tecnológico al iniciar la producción en masa de V9 por primera vez en la industria.
Samsung (traducido automáticamente)
Según se informa, AMD ha firmado un acuerdo con Samsung Foundry, que suministrará la DRAM HBM3E para su uso en productos existentes y de próxima generación, como las GPU MI350/MI370 actualizadas, que se dice que cuentan con mayores capacidades de memoria.
En el lado de la DRAM DDR5, Samsung lanzará sus módulos de memoria de 1b (nm) de 32 Gb para producción en masa en el segundo trimestre de 2024. Estos circuitos integrados de memoria se utilizarán para desarrollar módulos de hasta 128 GB. Samsung ya envió las primeras muestras de sus soluciones DDR5 de próxima generación a los clientes.
Por último, Samsung está actualizando el frente SSD V-NAND, que verá la introducción de SSD para centros de datos de 64 TB. Estos SSD se mostrarán a los clientes en el segundo trimestre de 2024 y la empresa también espera que la producción en masa de su novena generación V-NAND comience en el tercer trimestre. Los SSD V-NAND de novena generación se basarán en un diseño QLC (Quad Level Cell). Los informes sugieren que TLC V-NAND (9.ª generación) comenzará a producirse este mes y contará con velocidades de transferencia un 33% más rápidas de 3200 MT/s. Estos SSD aprovecharán el último estándar PCIe Gen5.