Micron ha comenzado la producción en masa de su memoria HBM3e, ya que el estándar recibe una adopción masiva por parte de empresas como NVIDIA para las GPU H200 AI.
La solución HBM3e de Micron promete un rendimiento excepcional, atendiendo al crecimiento de las soluciones de IA y potenciando el gigante de la IA H200 de NVIDIA
[Press Release]: Micron Technology, anunció hoy que ha comenzado la producción en volumen de su solución HBM3E (High Bandwidth Memory 3E). El HBM3E de 24 GB 8H de Micron formará parte de las GPU NVIDIA H200 Tensor Core, que comenzarán a enviarse en el segundo trimestre calendario de 2024.
Este hito posiciona a Micron a la vanguardia de la industria, potenciando las soluciones de inteligencia artificial (IA) con el rendimiento y la eficiencia energética líderes en la industria de HBM3E. A medida que la demanda de IA sigue aumentando, la necesidad de soluciones de memoria para seguir el ritmo de las cargas de trabajo ampliadas es fundamental.
La solución HBM3E de Micron aborda este desafío de frente con:
- Rendimiento superior: con una velocidad de pin superior a 9,2 gigabits por segundo (Gb/s), el HBM3E de Micron ofrece más de 1,2 terabytes por segundo (TB/s) de ancho de banda de memoria, lo que permite un acceso ultrarrápido a datos para aceleradores de IA, supercomputadoras y datos. centros.
- Eficiencia excepcional: HBM3E lidera la industria con un consumo de energía ~30% menor en comparación con las ofertas de la competencia. Para respaldar la creciente demanda y el uso de IA, HBM3E ofrece el máximo rendimiento con los niveles más bajos de consumo de energía para mejorar importantes métricas de gastos operativos del centro de datos.
- Escalabilidad perfecta: con 24 GB de capacidad actual, HBM3E permite a los centros de datos escalar sin problemas sus aplicaciones de IA. Ya sea para entrenar redes neuronales masivas o acelerar tareas de inferencia, la solución de Micron proporciona el ancho de banda de memoria necesario.
Micron desarrolló este diseño HBM3E líder en la industria utilizando su tecnología 1-beta, vía avanzada de silicio (TSV) y otras innovaciones que permiten una solución de embalaje diferenciada. Micron, un líder comprobado en memoria para apilamiento 2.5D/3D y tecnologías de empaquetado avanzadas, se enorgullece de ser socio de la 3DFabric Alliance de TSMC y de ayudar a dar forma al futuro de las innovaciones de sistemas y semiconductores.
Micron ofrece una tripleta con este hito del HBM3E: liderazgo en el tiempo de comercialización, el mejor rendimiento de la industria en su clase y un perfil de eficiencia energética diferenciado. Las cargas de trabajo de IA dependen en gran medida del ancho de banda y la capacidad de la memoria, y Micron está muy bien posicionado para respaldar el importante crecimiento de la IA que se avecina a través de nuestra hoja de ruta HBM3E y HBM4 líder en la industria, así como nuestra cartera completa de soluciones DRAM y NAND para aplicaciones de IA.
– Sumit Sadana, vicepresidente ejecutivo y director comercial de Micron Technology
Micron también está ampliando su liderazgo con la muestra de 36 GB 12-High HBM3E, que ofrecerá un rendimiento superior a 1,2 TB/s y una eficiencia energética superior en comparación con las soluciones de la competencia, en marzo de 2024. Micron es patrocinador de NVIDIA GTC. una conferencia global de IA que comenzará el 18 de marzo, donde la compañía compartirá más sobre su cartera y hojas de ruta de memorias de IA líderes en la industria.
Comparación de especificaciones de memoria HBM
| DRACMA | HBM1 | HBM2 | HBM2e | HBM3 | HBM3E | HBMSiguiente (HBM4) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| E/S (interfaz de bus) | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024-2048 | 1024-2048 |
| Captación previa (E/S) | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| Ancho de banda máximo | 128GB/s | 256 GB/s | 460,8 GB/s | 819,2 GB/s | 1,2 TB/s | 1,5 – 2,0 TB/s |
| Circuitos integrados de DRAM por pila | 4 | 8 | 8 | 12 | 8-12 | 8-12 |
| Maxima capacidad | 4 GB | 8GB | 16 GB | 24GB | 24 – 36GB | 36-64GB |
| tRC | 48ns | 45ns | 45ns | por confirmar | por confirmar | por confirmar |
| CCD | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | por confirmar | por confirmar | por confirmar |
| PPV | PPV externo | PPV externo | PPV externo | PPV externo | PPV externo | por confirmar |
| VDD | 1,2 V | 1,2 V | 1,2 V | por confirmar | por confirmar | por confirmar |
| Entrada de comando | Comando doble | Comando doble | Comando doble | Comando doble | Comando doble | Comando doble |
Fuente de noticias: Micron