Durante su informe de ganancias del tercer trimestre de 2023, Micron presentó su nueva hoja de ruta de DRAM que presenta productos HBM3 de próxima generación, GDDR7 y troqueles DDR5 más densos.
Micron Roadmap presenta HBM3 Gen2, HBMNext, GDDR7 y hasta 32 Gb DDR5 DRAM Technologies
Micron inició su llamada de ganancias con la presentación de la DRAM de HBM más rápida y de mayor capacidad de la industria hasta la fecha. Esta nueva solución de HBM se denomina HBM3 Gen2 y utilizará un nodo de proceso 1β para ofrecer velocidades más rápidas y capacidades más densas. Así que sigamos con el desglose técnico y detallado.
El Micron HBM3 Gen2 parece ser una solución intermedia que servirá como transición al estándar HBM de próxima generación, que todavía parece estar a un par de años de distancia. Como tal, Micron impulsará el estándar HBM3 existente a su máximo potencial. La primera iteración de HBM3 Gen2 contará con un diseño 8-Hi, que ofrece capacidades de hasta 24 GB y un ancho de banda superior a 1,2 TB/s con hasta 2,5 veces el rendimiento por vatio de la generación anterior. La DRAM funcionará a velocidades de 9,2 Gb/s, lo que supone un aumento del 50 % con respecto al estándar existente, que funciona a velocidades de alrededor de 4,6 Gb/s. Se espera que se lance en 2024.
Al mismo tiempo, Micron también comenzará a probar su segunda iteración de la DRAM HBM3 Gen2 que se lanzará en 2025. Esta DRAM HBM3 Gen2 ofrecerá un diseño 12-Hi con capacidades DRAM de hasta 36 GB y, una vez más, velocidades que superan 1,2 TB/s de ancho de banda. Ambas soluciones HBM3 Gen2 estarán dirigidas a la IA y el espacio generativo que ha arrasado en la industria.
Pero hay más, la compañía también incluyó su solución DRAM HBMNext que podría estar refiriéndose a HBM4. Esta solución contará con capacidades que van desde los 36 GB hasta los 64 GB y un ancho de banda de entre 1,5 y más de 2 TB/s. El competidor de Micron, SK Hynix, también se está preparando para lanzar su solución DRAM HBM4 de próxima generación para 2026, al mismo tiempo que la solución HBMNext de Micron.
Comparación de especificaciones de memoria de HBM
| DRACMA | HBM1 | HBM2 | HBM2e | HBM3 | HBM3 Gen2 | HBMNiguiente (HBM4) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| E/S (interfaz de bus) | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 |
| Precarga (E/S) | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| Ancho de banda máximo | 128 GB/s | 256 GB/s | 460,8 GB/s | 819,2 GB/s | 1,2 TB/s | 1,5 – 2,0 TB/s |
| Circuitos integrados DRAM por pila | 4 | 8 | 8 | 12 | 8-12 | 8-12 |
| Maxima capacidad | 4 GB | 8GB | 16 GB | 24GB | 24 – 36GB | 36-64GB |
| CVR | 48ns | 45ns | 45ns | por confirmar | por confirmar | por confirmar |
| CCD | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | por confirmar | por confirmar | por confirmar |
| VPP | VPP externo | VPP externo | VPP externo | VPP externo | VPP externo | por confirmar |
| VDD | 1,2 V | 1,2 V | 1,2 V | por confirmar | por confirmar | por confirmar |
| Entrada de comando | Comando dual | Comando dual | Comando dual | Comando dual | Comando dual | Comando dual |
Además de las soluciones HBM3 Gen2 y HBMNext, Micron también reveló sus planes GDDR7, que es un tema candente. La compañía ya ha confirmado el lanzamiento de la solución DRAM de consumo de próxima generación para la primera mitad de 2024 y está en la carrera con Samsung, que también anunció velocidades de 32 Gbps para sus soluciones.
Curiosamente, Micron ofrecerá su GPU DRAM GDDR7 en matrices DRAM de 16 Gb y 24 Gb, lo cual es una gran noticia para capacidades de VRAM más altas. Esto permitiría más capacidades por nivel de GPU en comparación con GDDR6X, que estaba limitado a solo 16 Gb. La memoria GDDR7 también funcionará a velocidades más rápidas de 32 Gbps, ofreciendo hasta 128 GB/s de ancho de banda por módulo. Por ejemplo, el RTX 4060 configurado con una configuración GDDR7 de 24 Gb ofrecerá capacidades de VRAM de 12 GB y hasta 512 GB/s de ancho de banda. Lo siguiente es lo que podemos esperar de varias configuraciones de bus:
- 128 bits a 32 Gbps: 512 GB/s / 12 GB VRAM
- 192 bits a 32 Gbps: 768 GB/s / 18 GB VRAM
- 256 bits a 32 Gbps: 1024 GB/s / 24 GB VRAM
- 320 bits a 32 Gbps: 1280 GB/s / 30 GB VRAM
- 384 bits a 32 Gbps: 1536 GB/s / 36 GB VRAM
Todavía queda mucho por sacar de la generación GDDR6, ya que Samsung ya está trabajando en su diseño GDDR6W y soluciones GDDR7 simultáneamente, lo que debería duplicar la capacidad y el rendimiento, mientras que se espera que Micron impulse GDDR6X a velocidades aún más altas en el futuro próximo. La compañía ha estado produciendo troqueles de 24 Gbps en masa, pero aún no han sido utilizados por ninguna GPU de consumo. Podemos esperar las primeras soluciones de nivel de consumidor basadas en GDDR7 DRAM a fines de 2024 o principios de 2025.
A riesgo de leer demasiado en la bola de cristal aquí, uno de los datos interesantes del último mapa de ruta de memoria de Micron es que no hay GDDR7X en él. Esta hoja de ruta implica que Micron solo producirá GDDR7 regular, sin una variante ‘X’ especial para NVIDIA pic.twitter.com/owa0tvdEWv
—Ryan Smith (@RyanSmithAT) 26 de julio de 2023
Ryan Smith de Anandtech también señala que aún no se ha anunciado una variante «X» especializada para GDDR7. Micron tenía GDDR5X y GDDR6X, que eran exclusivos de las GPU NVIDIA, pero si la empresa no fabrica una variante GDDR7X para NVIDIA, sería la primera vez en muchos años. Sin embargo, podría haber uno más adelante, ya que GDDR6X solo se presentó con Ampere, mientras que las GPU de Turing solo presentaban compatibilidad con GDDR6 y el estándar más nuevo no se había presentado para entonces.
Progresión de DRAM GPU GDDR:
| Tipo de memoria | GDDR5X | GDDR6 | GDDR6X | GDDR7 |
|---|---|---|---|---|
| Solicitud | Gráficos | Gráficos + IA | Gráficos + IA | Gráficos + IA |
| Plataformas | GeForce 10 | GeForce 20 | GeForce 30/40 | GeForce 50? |
| Ubicaciones | 12 | 12 | 12 | 12 |
| Gbps por pin | 11.4 | 14-16 | 19-24 | 32-36 |
| GB/s | 45 | 56-64 | 76-96 | 128-144 |
| Configuración (Máx.) | 384 io (paquete de 12 piezas x 32 IO) |
384 io (paquete de 12 piezas x 32 IO) |
384 io (paquete de 12 piezas x 32 IO) |
384 io (paquete de 12 piezas x 32 IO) |
| Potencia media del dispositivo ((pJ/bit)) | 8.0 | 7.5 | 7.25 | Por determinar |
| Canal de E/S típico | tarjeta de circuito impreso (P2P SM) |
tarjeta de circuito impreso (P2P SM) |
tarjeta de circuito impreso (P2P SM) |
tarjeta de circuito impreso (P2P SM) |
Y, por último, Micron también ha revelado sus circuitos integrados DRAM DDR5 de 32 Gb que también utilizan el nodo de proceso 1β y se implementarán en la primera mitad de 2024 con capacidades que alcanzan los 128 GB por módulo y 1 TB por DIMM. Estos estarán dirigidos primero a los servidores, pero podemos esperar que alguna forma aterrice en el segmento de consumidores, como hemos visto con los troqueles DRAM de 24 Gb que ofrecen capacidades de hasta 48 GB por DIMM.