Micron anunció hoy sus SSD 6500 ION NVMe y XTR NVMe, con ambas unidades diseñadas específicamente para cargas de trabajo y casos de uso que residen en extremos opuestos del espectro SSD del centro de datos. El SSD Micron 6500 ION NVMe está diseñado para aplicaciones de ultra alta capacidad (solo está disponible en un punto de capacidad de 30,72 TB) para ofrecer una combinación rentable de rendimiento y resistencia mediante el uso de NAND TLC de 232 capas de última generación. . El 6500 ION es el primer SSD para centros de datos que utiliza flash de más de 200 capas, lo que, según Micron, ofrece la economía del flash QLC, pero ninguno de los otros inconvenientes inherentes de QLC, como la reducción del rendimiento y la resistencia. El rendimiento del ION también es impresionante, con hasta 6,8/5 GB/s de rendimiento de lectura/escritura secuencial y hasta 1 millón/200 000 IOPS de lectura aleatoria.
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En el extremo opuesto del espectro, el mucho menos espacioso Micron XTR solo viene en capacidades de 960 GB y 1,92 TB. El XTR está diseñado para entornos de escritura extremos con una calificación de resistencia impresionante de hasta 35 escrituras de disco aleatorias por día (DWPD), optimizándolo como destino de escritura para aplicaciones de alta intensidad. El XTR es bastante rápido en el trabajo secuencial, con hasta 6,8/5,6 GB/s de rendimiento de lectura/escritura, pero realmente destaca en cargas de trabajo aleatorias 4K pesadas, donde ofrece hasta 900 000/350 000 IOPS de lectura/escritura 4K aleatorias.
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Por lo general, Micron espera a que madure su flash de vanguardia, lo que confiere beneficios de resistencia y rendimiento, antes de usarlo para SSD de centros de datos. Esta vez, en lugar de esperar, Micron forjó su 6500 ION con su flash de 232 capas de vanguardia, lo que le permitió ofrecer SSD de alta capacidad que son más resistentes y más rápidos que los SSD QLC. Por ejemplo, el Solidigm D5-P5316 de la competencia también viene con un punto de capacidad de 30,72 TB, pero utiliza flash QLC de 144 capas de menor resistencia. Estas dos unidades tienen una capacidad comparable, pero diferentes mercados objetivo: la P5316 está diseñada para cargas de trabajo centradas en la lectura, mientras que la 6500 ION tiene suficiente resistencia para apuntar a cargas de trabajo de propósito general. Sin embargo, Micron dice que el 6500 ION estará disponible a un precio similar al del P5316, lo que lo convierte en la comparación más lógica.
El flash QLC ha comenzado recientemente a incursionar en el centro de datos, pero el SSD P5316 de vanguardia de Solidigm se adapta a la menor resistencia del flash subyacente y reduce la cantidad requerida de capacidad DRAM mediante el uso de una capa de direccionamiento indirecto de 64K, que puede penalizar significativamente la resistencia y rendimiento si los datos escritos en la unidad no están alineados con unidades de 64K. Como tal, las unidades Solidigm QLC requieren sistemas operativos y pilas de software adaptados a 64K para extraer el mejor rendimiento y resistencia.
Fuera de los grandes hiperescaladores, no hay muchos centros de datos empresariales o de propósito general que tengan un control lo suficientemente estricto de las diversas pilas de aplicaciones y software para admitir una alineación de 64K. Por el contrario, el TLC de mayor resistencia utilizado en el 6500 ION permite a Micron utilizar una capa de direccionamiento indirecto 4K estándar ampliamente compatible con la mayoría de las aplicaciones, por lo que la unidad no requiere tanta sujeción para garantizar el rendimiento y la resistencia.
| Fila 0 – Celda 0 | Micron 6500 ION | Solidigm D5-P5316 |
| Lectura/escritura secuencial | 6,8/5,0 GB/s | 7/3,6 GB/s |
| Lectura/escritura aleatoria | 1 millón / 200,000 | 800.000/7.800 (4K), 510 MB/s (64K) |
El 6500 ION viene en formato U.3 de 15 mm y como «regla» E1.L de 19 mm. La 6500 ION alcanza los 6,8 GB/s en cargas de trabajo de lectura secuencial, pero la unidad Solidigm optimizada para lectura alcanza los 7 GB/s. Sin embargo, el uso de flash TLC de Micron le permite ofrecer un mayor rendimiento en cargas de trabajo secuenciales, con sus 5,8 GB/s de rendimiento secuencial que superan los 3600 MB/s del P5316. El 6500 ION también lidera con 1 millón de IOPS de lectura aleatoria 4K en comparación con los 800 000 IOPS del P5316.
La mayor diferencia entre las unidades reside en el rendimiento de escritura aleatoria. Micron afirma que las 200 000 IOPS de escritura aleatorias de 4K del 6500 ION son 30 veces más rápidas que el rendimiento de escritura aleatoria del P5316, pero esa no es la mejor comparación: el P5316 está diseñado y comercializado específicamente para entornos optimizados para 64K y no tiene la intención de utilizarse con cargas de trabajo pesadas de escritura aleatoria de 4K. En cambio, Solidigm califica el P5316 a 510 MB/s de escrituras aleatorias de 64 000, y Micron no publica una métrica similar para el ION, por lo que las comparaciones no son totalmente de manzanas con manzanas.
El 6500 ION cuenta con 1 DWDP (escritura de disco por día) de resistencia en cargas de trabajo secuenciales y 0,3 DWPD en cargas de trabajo aleatorias. Micron también destaca que tiene 10 veces más resistencia que la unidad Solidigm de la competencia en cargas de trabajo de escritura aleatoria de 4K, lo cual es cierto dado que escribir un bloque de 4K en la unidad optimizada para 64K aumenta enormemente la amplificación de escritura. Pero, de nuevo, esta no es una comparación de manzanas con manzanas: cuando se usa según lo previsto, el P5316 de 30,72 TB ofrece ~0,4 DWPD de resistencia en cargas de trabajo aleatorias de 64 000 y ~1,9 DWPD de resistencia en cargas de trabajo secuenciales. La desventaja, por supuesto, es que estos valores solo se aplican en entornos altamente especializados.
En cualquier caso, la agresiva igualación de precios de Micron tiene como objetivo llevar las dos unidades a un campo de juego nivelado donde pueda aprovechar los beneficios de su unidad de direccionamiento indirecto 4K en comparación con la implementación de 64K del P5316. Por supuesto, siempre tomamos las métricas proporcionadas por los proveedores con pinzas (estamos realizando nuestras propias pruebas). Aún así, como puede ver en las diapositivas anteriores, Micron afirma que el 6500 ION ofrece ventajas de rendimiento tangibles sobre el P5316 cuando se usa en cargas de trabajo de propósito general.
El 6500 ION tiene muchas ventajas sobre el P5316 de precio similar en entornos de servidor estándar, y la facilidad de uso lo hace atractivo para los principales centros de datos y cargas de trabajo empresariales. Naturalmente, esperamos que Solidigm presente pronto SSD QLC más nuevos con mejores métricas de rendimiento que su modelo existente, al que vincularemos cuando se produzca un anuncio.
El 6500 ION está diseñado para adaptarse a casi todas las cargas de trabajo de uso general, pero siempre hay aplicaciones que requieren una mayor resistencia de escritura y un rendimiento de escritura aleatoria más rápido. Ahí es donde interviene Micron XTR, centrándose en proporcionar suficiente resistencia para satisfacer las cargas de trabajo de escritura pesada, como el almacenamiento en caché y el almacenamiento en búfer de escritura (también para arreglos all-flash), registro, diario y aplicaciones OLTP.
Sin embargo, mientras que el Optane de Intel y el SSD FT6 con tecnología XL-flash de Toshiba están diseñados para un rendimiento de latencia ultrabaja y una resistencia increíble, el XTR no está diseñado para cargas de trabajo que requieren una latencia extremadamente baja; en cambio, el enfoque es puramente aleatorio. escribir el rendimiento y la resistencia.
Los medios especializados utilizados en unidades como Optane y XL Flash requieren líneas de producción dedicadas, mientras que el XTR utiliza el flash de 176 capas probado y verdadero de Micron para garantizar un suministro sólido. Luego, Micron programa el flash para que funcione únicamente en modo SLC, lo que brinda hasta un 35 % de la resistencia de Optane pero al 20 % del costo. La unidad también consume un 44 % menos de energía que las memorias de clase de almacenamiento, como Optane.
Las unidades vienen en capacidades de 960 GB y 1,92 TB, y el modelo más grande ofrece hasta 6,8/5,6 GB/s de rendimiento de lectura/escritura secuencial junto con hasta 900 000/350 000 IOPS de lectura/escritura aleatoria. Eso es 150 000 IOPS de escritura aleatoria más que los 6500 ION de Micron.
El XTR puede resistir con hasta 60 DWPD de resistencia en cargas de trabajo secuenciales y 35 DWPD de cargas de trabajo aleatorias de 4K, superando fácilmente a cualquier SSD basado en NAND de la competencia. Intel ya no produce nuevos medios Optane, por lo que el mercado está maduro para una unidad que pueda apuntar al segmento de alta resistencia, y aquí el XTR parece estar bien posicionado para afianzarse en las aplicaciones de destino.
Naturalmente, una unidad que alcanza una capacidad máxima de 1,92 TB solo servirá en casos de uso muy específicos, y Micron la posiciona como un búfer de escritura opcional para las matrices de sus SSD de la serie 6000. Como puede ver, el XTR y el 6500 ION se conectan directamente con el resto de la pila de SSD del centro de datos de Micron, brindando a sus clientes una amplia gama de opciones en términos de cargas de trabajo de destino y factores de forma.
Tanto el 6500 ION como el XTR se enviarán a socios seleccionados de Micron este mes, con una disponibilidad más amplia para otros el próximo mes.