El fabricante de almacenamiento Micron ha comenzado a enviar el primer flash NAND 3D de 232 capas del mundo, que ofrece la mayor densidad de almacenamiento de celdas de nivel triple (TLC) disponible en la actualidad.
Micron dio un gran salto en la densidad de almacenamiento con respecto a su tecnología NAND de 176 capas anterior, y la NAND de 232 capas también prometió ofrecer velocidades de transferencia de datos un 50 % más rápidas.(Se abre en una nueva ventana) (2,4 GB/s), un 100 % más de ancho de banda de escritura y un 75 % más de ancho de banda de lectura. La densidad de almacenamiento es de 14,6 Gigabits por milímetro cuadrado, lo que permite un tamaño de paquete un 28 % más pequeño en comparación con la NAND de la generación anterior.
Los nuevos chips están en producción en volumen en la fábrica de Singapur de Micron, e inicialmente estarán disponibles a través de la línea de productos SSD de consumo Crucial de la compañía y para sus socios en forma de componentes. Micron planea hacer que el almacenamiento esté disponible para su uso en una amplia gama de dispositivos y configuraciones, incluidos teléfonos inteligentes, tabletas, computadoras portátiles, PC, centros de datos y soluciones de «borde inteligente» a finales de este año.
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En cuanto a la cantidad de almacenamiento que se puede incluir en su pequeño paquete de 11,5 por 13,5 mm, Micron dice que podemos esperar hasta 2 terabytes por chip(Se abre en una nueva ventana), posible gracias a hasta 1 terabit por dado. También hay buenas noticias para los dispositivos móviles porque la NAND de 232 capas es la primera en producción que habilita la interfaz de bajo voltaje NV-LPDDR4. Significa un ahorro de transferencia por bit de más del 30%, lo que debería ayudar con la duración de la batería.
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