Micron anunció el martes su tecnología de fabricación 1β (1-beta) de próxima generación para DRAM (se abre en una pestaña nueva) (Memoria dinámica de acceso aleatorio). El nuevo nodo permitirá a Micron reducir los costos de su DRAM al tiempo que aumenta su eficiencia energética y rendimiento. 1β (1-beta) será el último proceso de producción de DRAM de la empresa que se basará en la litografía de ultravioleta profundo (DUV) y no utilizará herramientas de ultravioleta extremo (EUV).
El proceso de fabricación 1β de Micron utiliza la compuerta de metal de alta K de segunda generación (HKMG) de la empresa y se dice que aumenta la densidad de bits de una matriz de memoria de 16 Gb en un 35 % y mejora la eficiencia energética en un 15 % en comparación con un dispositivo DRAM similar fabricado en el nodo 1α de la empresa. La nueva tecnología de fabricación será particularmente útil para chips DDR5 y LPDDR5X de alta capacidad para aplicaciones móviles, de servidor y de escritorio.
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A diferencia de sus rivales Samsung y SK Hynix, Micron actualmente no usa herramientas EUV y, por lo tanto, tiene que depender de varias técnicas de patrones múltiples para seguir haciendo que las celdas DRAM sean más pequeñas.
«Impulsamos la innovación en todos los campos, incluidas las técnicas de multiplicación de patrones de vanguardia», dijo Thy Tran, vicepresidente de integración de procesos DRAM en Micron. «1β también viene con nuevos procesos, materiales y equipos avanzados para avanzar en nuestra integración de celdas de memoria para que podamos reducir la matriz de celdas de memoria. […] Para maximizar todos los beneficios tecnológicos y nuestras innovaciones de diseño, también estamos escalando agresivamente tanto la altura de la celda de memoria en términos de tamaño como el resto de los circuitos en el chip para ahorrar espacio y brindarle el chip más pequeño posible para una densidad dada mientras optimizando para mejorar la potencia y el rendimiento».
El primer producto que Micron fabricará utilizando su nodo de vanguardia será la memoria LPDDR5X-8500 de 16 Gb, pero finalmente la empresa comenzará a utilizar el nodo para otros productos. Se dice que el chip LPDDR5X de 16 Gb ofrece técnicas mejoradas de control de voltaje del núcleo de extensiones de escala de frecuencia y voltaje dinámico (eDVFSC) para ahorrar energía.
La memoria LPDDR5X se diseñó no solo para aplicaciones móviles como tabletas y teléfonos inteligentes, sino también para mejorar el rendimiento de diversas aplicaciones que consumen mucho ancho de banda, como sistemas en chips de clase PC y aceleradores de inteligencia artificial (IA).
La memoria LPDDR5X-8500 de 16 Gb de Micron, así como su proceso de fabricación 1β, están listos para la producción en masa, según Micron. Actualmente, la empresa está enviando muestras de sus DRAM LPDDR5X-8500 a las partes interesadas e iniciará la producción en masa de estos circuitos integrados una vez que pasen los procedimientos de calificación.