Como proveedor de memoria NAND más grande del mundo, Samsung tiene grandes planes para el desarrollo de su V-NAND (que es como la compañía llama su 3D NAND), algunos de los cuales compartió esta semana. La compañía confirmó que está en camino de producir su memoria V-NAND de novena generación con más de 300 capas en 2024 y dijo que tendrá la mayor cantidad de capas activas de la industria.
«La V-NAND de novena generación está en camino para su producción en masa a principios del próximo año con el mayor número de capas de la industria basada en una estructura de doble pila», escribió en Jung-Bae Lee, presidente y director de negocios de memoria de Samsung Electronics. una publicación de blog.
En agosto supimos que Samsung estaba trabajando en V-NAND de novena generación con más de 300 capas, que conservará la tecnología de doble apilamiento que Samsung adoptó por primera vez en 2020. Samsung no solo confirmó que va por buen camino con su próxima generación no- memoria volátil, pero también que supuestamente tendrá más capas activas que la memoria 3D NAND de la competencia. Hasta ahora sabemos que la próxima generación 3D NAND de SK Hynix contará con 321 capas activas, por lo que parece que Samsung espera que su memoria tenga más.
El mayor número de capas permitirá a Samsung aumentar la densidad de almacenamiento de sus dispositivos 3D NAND. La compañía espera que los próximos tipos de memoria flash no sólo ganen en densidad de almacenamiento, sino también en rendimiento.
«Samsung también está trabajando en la próxima generación de tecnologías de creación de valor, incluida una nueva estructura que maximiza la velocidad de entrada/salida (E/S) de V-NAND», dijo Jung-Bae Lee.
No sabemos qué podemos esperar de la V-NAND de novena generación de Samsung en términos de rendimiento, aunque estamos seguros de que la compañía utilizará esta memoria para sus próximos SSD. Quizás sea entonces cuando veamos los SSD minoristas de la compañía con una interfaz PCIe Gen5, los sucesores de la serie 990 Pro de Samsung, que actualmente se encuentran entre los mejores SSD.
En lo que respecta a la innovación tecnológica a largo plazo, Samsung se compromete a minimizar la interferencia de las celdas, reducir la altura y maximizar el número de capas verticales, lo que le permitirá alcanzar los tamaños de celda más pequeños de la industria. Estas innovaciones serán fundamentales para impulsar la visión de Samsung de crear 3D NAND con más de 1000 capas, así como soluciones de memoria altamente diferenciadas, y para garantizar que las ofertas de la compañía sigan siendo relevantes para centros de datos, PC y otras aplicaciones.