Samsung Electronics está preparado para emplear una arquitectura de doble pila para su memoria 3D-NAND de novena generación cuando comience su producción el próximo año, según un informe de DigiTimes que cita Diario económico de Seúl. Esto diferencia a Samsung de SK Hynix, que utiliza tres pilas de NAND para construir sus dispositivos 3D NAND de 321 capas cuando entren en producción en masa en la primera mitad de 2025.
El V-NAND de 9.ª generación de Samsung con más de 300 capas se basa en la técnica de doble pila, que Samsung adoptó por primera vez en 2020 con sus chips 3D NAND de 176 capas de 7.ª generación. Este método implica la producción de una pila 3D NAND en una oblea de 300 mm y luego la construcción de otra pila encima de la primera. La NAND 3D de 300 capas de Samsung aumentará la densidad de almacenamiento producida en una oblea y permitirá a los fabricantes construir SSD de menor costo o hacer que las mejores SSD sean más baratas.
Por el contrario, su rival SK Hynix ha revelado su intención de iniciar la producción de su 3D NAND de 321 capas en 2025 utilizando un enfoque de triple pila. Este procedimiento, distinto al de Samsung, implicará la creación de tres conjuntos distintos de capas 3D NAND, lo que aumentará la cantidad de pasos y el uso de materias primas, pero está destinado a maximizar los rendimientos, ya que es más fácil producir pilas 3D NAND con menos capas.
Las especulaciones de la industria que se basan en hojas de ruta filtradas sugieren que después de su 3D NAND de 9.ª generación, Samsung podría adoptar una metodología de triple pila para su 3D NAND de 430 capas de 10.ª generación. Algunos expertos dijeron Diario económico de Seúl que superar las 400 capas en 3D NAND requeriría el uso de tres pilas separadas de 3D NAND, posiblemente debido a problemas de rendimiento. Mientras tanto, esto aumentará naturalmente el uso de materias primas y aumentará los costos por oblea 3D NAND.
La visión a largo plazo de Samsung, tal como se presentó en el Samsung Tech Day 2022 el pasado octubre, aspira a alcanzar hasta 1.000 capas para 2030.